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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4408DY-T1-GE3	1.6758	RFQ	8886	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4408	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	14A（TA）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 21a，10V	1V @ 250µA（250µA）	32 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SUD19N20-90-T4-E3	1.4033	RFQ	4908	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD19	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	19a（tc）	6V，10V	90MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
irfbe20strr	-	RFQ	2611	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBE20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	800 v	1.8A（TC）	10V	6.5OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	-
irlr120trl	-	RFQ	5658	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.7A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI1016CX-T1-GE3	0.4700	RFQ	1941年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1016	MOSFET （金属 o化物）	220MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	-		396MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	2NC @ 4.5V		43pf @ 10V	逻辑级别门
SIRS4401DP-T1-GE3	3.2900	RFQ	8939	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRS4401	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	46.8A（TA），198a （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	588 NC @ 10 V	±20V	21850 pf @ 20 V	-	7.4W（TA），132W（tc）
SIHH14N60EF-T1-GE3	4.7300	RFQ	4568	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH14	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	15A（TC）	10V	266MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	1449 PF @ 100 V	-	147W（TC）
SI2311ds-T1-E3	-	RFQ	5828	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2311	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	3A（3A）	1.8V，4.5V	45MOHM @ 3.5A，4.5V	800MV @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±8V	970 pf @ 4 V	-	710MW（TA）
IRF730a	-	RFQ	9673	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF730a	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIA443DJ-T1-GE3	-	RFQ	7594	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA443	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	9A（TC）	1.8V，4.5V	45MOHM @ 4.7A，4.5V	1V @ 250µA	25 NC @ 8 V	±8V	750 pf @ 10 V	-	3.3W（TA），15W（tc）
IRFIB7N50A	-	RFQ	7980	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIB7N50A	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	6.6A（TC）	10V	520MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	60W（TC）
SQJ940EP-T1_GE3	1.4500	RFQ	8	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ940	MOSFET （金属 o化物）	48W，43W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	（15a）（TA），18A （TC）		16mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 20V		896pf @ 20V	逻辑级别门
IRFL014Tr	-	RFQ	6279	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.7A（TC）	10V	200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SIZF300DT-T1-GE3	1.2000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF300	MOSFET （金属 o化物）	3.8W（TA），48w（tc），4.3W（ta（74W）（74W（tc）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	23A（23A），75A（tc（34a ta），141a （TC）		4.5MOHM @ 10A，10V，1.84MOHM @ 10A，10V	2.2V @ 250µA	22nc @ 10v，62nc @ 10V		1100pf @ 15V，3150pf @ 15V	-
SI6993DQ-T1-GE3	-	RFQ	8483	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6993	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	3.6a		31MOHM @ 4.7A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
irfrc20trl	-	RFQ	8772	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SQD40031EL_GE3	1.6500	RFQ	3668	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40031	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SI2334DS-T1-GE3	-	RFQ	6788	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2334	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.9A（TC）	2.5V，4.5V	44mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	634 pf @ 15 V	-	1.3W（TA），1.7W（TC）
IRFIB7N50LPBF	-	RFQ	5820	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIB7N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	6.8A（TC）	10V	380MOHM @ 4.1A，10V	5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	46W（TC）
SUD50N02-09P-E3	-	RFQ	9366	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	20 v	20A（TA）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1300 pf @ 10 V	-	6.5W（TA），39.5W（TC）
SIR178DP-T1-RE3	1.7200	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir178	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR178DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	（100A）（ta），430a tc）（TC）	2.5V，10V	0.4mohm @ 30a，10v	1.5V @ 250µA	310 NC @ 10 V	+12V，-8V	12430 PF @ 10 V	-	6.3W（ta），104W（tc）
SQM120P10_10M1LGE3	3.8400	RFQ	5117	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	120A（TC）	4.5V，10V	10.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRFR9110TRPBF	1.2300	RFQ	12	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SQJQ144AE-T1_GE3	2.7700	RFQ	4319	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ144	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJQ144AE-T1_GE3CT	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	575a（TC）	10V	0.9MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	9020 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IRF9510pbf	1.1100	RFQ	19	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9510	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9510pbf	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SI4401DY-T1-E3	-	RFQ	1280	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4401	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	8.7a（ta）	4.5V，10V	15.5MOHM @ 10.5A，10V	1V @ 250µA（250µA）	50 NC @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SQS401ENW-T1_GE3	-	RFQ	7211	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS401	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	16A（TC）	4.5V，10V	29mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	21.2 NC @ 4.5 V	±20V	1875 PF @ 20 V	-	62.5W（TC）
SQ3481EV-T1_GE3	0.6900	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3481	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	7.5A（TC）	4.5V，10V	43mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	23.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 15 V	-	4W（TC）
SI4122DY-T1-GE3	2.3500	RFQ	9977	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4122	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	27.2A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 20 V	-	（3w（ta），6w（tc）
SIZ790DT-T1-GE3	-	RFQ	6718	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ790	MOSFET （金属 o化物）	27W，48W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	16a，35a		9.3mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	24NC @ 10V		830pf @ 15V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²