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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIRA02DP-T1-GE3	1.7700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira02	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	2mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	117 NC @ 10 V	+20V，-16V	6150 pf @ 15 V	-	5W（5W），71.4W（TC）
IRFP440pbf	3.3700	RFQ	356	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP440	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP440pbf	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	500 v	8.8A（TC）	10V	850MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SIHFR9310TR-GE3	1.5800	RFQ	8059	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR9310	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIS776DN-T1-GE3	-	RFQ	9894	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS776	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 15 V	（（（）	3.8W（TA），52W（TC）
irf1405ztrl	-	RFQ	4583	Vishay Siliconix	-	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF1405	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	55 v	75A（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
SIHH21N65EF-T1-GE3	6.4800	RFQ	675	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH21	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	650 v	19.8A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±30V	2396 PF @ 100 V	-	156W（TC）
IRFBC30ASTRL	-	RFQ	2602	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIJA72ADP-T1-GE3	0.9800	RFQ	9754	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA72	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	27.9a（ta），96A（tc）	4.5V，10V	3.42MOHM @ 10A，10V	2.4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	+20V，-16V	2530 PF @ 20 V	-	4.8W（TA），56.8W（tc）
SIHP20N50E-GE3	2.9400	RFQ	5200	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	19a（tc）	10V	184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	179W（TC）
IRFRC20	-	RFQ	4178	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFRC20	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
irll014tr	-	RFQ	2957	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL014	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	2.7A（TC）	4V，5V	200mohm @ 1.6A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFP048RPBF	5.0600	RFQ	7453	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP048	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP048RPBF	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	60 V	70A（TC）	10V	18mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRF9640STRR	-	RFQ	2802	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
SI7342DP-T1-GE3	-	RFQ	6344	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7342	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	8.25mohm @ 15a，10v	1.8V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±12V	1900 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
IRFIB5N65A	-	RFQ	6693	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB5	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIB5N65A	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	5.1A（TC）	10V	930mohm @ 3.1a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1417 PF @ 25 V	-	60W（TC）
SIA408DJ-T1-GE3	-	RFQ	4239	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA408	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	4.5A（TC）	2.5V，10V	36mohm @ 5.3a，10v	1.6V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±12V	830 pf @ 15 V	-	3.4W（TA），17.9W（tc）
IRFBC30PBF	1.7300	RFQ	17	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfbc30pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRLR120TRR	-	RFQ	4968	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR120	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	7.7A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIR606BDP-T1-RE3	1.4600	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir606	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	10.9a（ta），38.7a（tc）	7.5V，10V	17.4mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 50 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
IRFZ48RSPBF	3.6100	RFQ	8	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ48	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFZ48RSPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	50A（TC）	10V	18mohm @ 43a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRF840ASTRR	-	RFQ	5202	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRFR9014TR	-	RFQ	6319	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9014	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	60 V	5.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRF644STRRPBF	3.7500	RFQ	7952	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF644	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SIRA32DP-T1-RE3	1.0600	RFQ	5641	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira32	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	83 NC @ 10 V	+16V，-12V	4450 pf @ 10 V	-	65.7W（TC）
IRFU9014	-	RFQ	3953	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9014	Ear99	8541.29.0095	75	P通道	60 V	5.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
irlr024trl	-	RFQ	2113	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR024	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI3493DDDDV-T1-GE3	0.3900	RFQ	22	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3493	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	24mohm @ 7.5a，4.5V	1V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V	1825 PF @ 10 V	-	3.6W（TC）
IRFPF50pbf	6.9100	RFQ	485	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF50	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPF50pbf	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	900 v	6.7A（TC）	10V	1.6OHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	190w（TC）
SQJA76EP-T1_GE3	1.4600	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA76	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	75A（TC）	10V	2.4mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5250 pf @ 25 V	-	68W（TC）
SIE844DF-T1-E3	-	RFQ	7044	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（U）	SIE844	MOSFET （金属 o化物）	10-Polarpak®（U）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	44.5A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 12.1a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 15 V	-	5.2W（TA），25W（25W）TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²