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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
IRF730STRL	-	RFQ	1415	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
U440-E3	-	RFQ	4218	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-71-6	U440		500兆	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		2 n 通道（双）								3pf @ 10V			25 v	6 mA @ 10 V	1 v @ 1 na
SI3447BDV-T1-GE3	-	RFQ	5935	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3447	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	40mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.1W（TA）
SUP90N08-7M7P-E3	-	RFQ	9675	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	75 v	90A（TC）	10V	7.7MOHM @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	4250 pf @ 30 V	-	3.75W（TA），208.3W（tc）
SI7392ADP-T1-E3	-	RFQ	7249	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7392	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 12.5A，10V	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 15 V	-	5W（5W），27.5W（TC）
SUD25N04-25-E3	-	RFQ	2043	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SUD25	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	25A（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	3W（3W），33w（tc）
SIHF7N60E-GE3	2.1400	RFQ	1853年	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	31W（TC）
SI7958DP-T1-GE3	-	RFQ	4831	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7958	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	7.2a		16.5MOHM @ 11.3A，10V	3V @ 250µA	75nc @ 10V		-	逻辑级别门
SIHG25N60EFL-GE3	5.1900	RFQ	2092	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG25	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	25A（TC）	10V	146MOHM @ 12.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	2274 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI2342DS-T1-GE3	0.5100	RFQ	4234	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2342	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	6A（TC）	1.2V，4.5V	17MOHM @ 7.2A，4.5V	800MV @ 250µA	15.8 NC @ 4.5 V	±5V	1070 pf @ 4 V	-	2.5W（TC）
IRFP360LC	-	RFQ	3655	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP360	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP360LC	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	400 v	23A（TC）	10V	200mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	3400 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SI4500BDY-T1-E3	-	RFQ	7254	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4500	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		20V	6.6a，3.8a		20mohm @ 9.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIS626DN-T1-GE3	-	RFQ	6642	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS626	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	16A（TC）	2.5V，10V	9mohm @ 10a，10v	1.4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±12V	1925 PF @ 15 V	-	52W（TC）
SI3499DV-T1-GE3	1.0000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3499	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.3a（ta）	1.5V，4.5V	23mohm @ 7A，4.5V	750mv @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±5V		-	1.1W（TA）
IRL3303D1STRR	-	RFQ	9378	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL3303	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	38A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 20a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRFD120	-	RFQ	6501	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD120	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.3a（ta）	10V	270MOHM @ 780mA，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SI7403BDN-T1-GE3	-	RFQ	1342	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7403	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8A（TC）	2.5V，4.5V	74MOHM @ 5.1A，4.5V	1V @ 250µA	15 NC @ 8 V	±8V	430 pf @ 10 V	-	3.1W（ta），9.6W（9.6W）TC）
SI4100DY-T1-E3	1.3200	RFQ	39	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4100	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	6.8A（TC）	6V，10V	63mohm @ 4.4A，10V	4.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），6W（（ta）
SIA448DJ-T1-GE3	-	RFQ	9720	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA448	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12A（TC）	1.5V，4.5V	15mohm @ 12.4a，4.5V	1V @ 250µA	35 NC @ 8 V	±8V	1380 pf @ 1 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SI7461DP-T1-GE3	2.4000	RFQ	6795	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7461	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	14.5MOHM @ 14.4a，10V	3V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SQM35N30-97_GE3	3.8400	RFQ	974	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM35	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	300 v	35A（TC）	10V	97mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5650 pf @ 25 V	-	375W（TC）
SIA911DJ-T1-E3	-	RFQ	2606	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA911	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		94mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	12.8nc @ 8V		355pf @ 10V	-
IRFI710G	-	RFQ	4777	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI710	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFI710G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	1.6a（ta）		-	4V @ 250µA				-	-
IRFL014Tr	-	RFQ	6279	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.7A（TC）	10V	200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI6933DQ-T1-E3	-	RFQ	9427	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6933	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	-		45MOHM @ 3.5A，10V	1V @ 250µA（250µA）	30nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI3477DV-T1-GE3	0.7500	RFQ	9052	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3477	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	17.5MOHM @ 9A，4.5V	1V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±10V	2600 PF @ 6 V	-	2W（TA），4.2W（TC）
IRFL9014TRPBF-BE3	0.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	1.8A（TC）	10V	500MOHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRF620	-	RFQ	7136	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI2316BDS-T1-GE3	0.5900	RFQ	58	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2316	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 3.9a，10v	3V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.66W（tc）
SIA517DJ-T1-GE3	0.6400	RFQ	26	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA517	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		12V	4.5a		29mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 8V		500pf @ 6V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²