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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
SST5484-T1-E3	-	RFQ	3172	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST5484		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道								5pf @ 15V			25 v	1 mA @ 15 V	300 mv @ 10 na
SIE874DF-T1-GE3	2.4600	RFQ	413	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE874	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.17MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	6200 pf @ 10 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
2N4393	-	RFQ	8910	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4393		1.8 w	TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200		n通道								14pf @ 20V			40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na	100欧姆
SI5915DC-T1-E3	-	RFQ	6494	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5915	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		8V	3.4a		70MOHM @ 3.4A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	9NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
2N4859JTXL02	-	RFQ	3422	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4859			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SIA911EDJ-T1-GE3	-	RFQ	8750	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA911	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		101MOHM @ 2.7A，4.5V	1V @ 250µA	11NC @ 8V		-	逻辑级别门
2N4857JTXV02	-	RFQ	8900	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4857			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SIR820DP-T1-GE3	0.6350	RFQ	3781	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir820	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3512 PF @ 15 V	-	37.8W（TC）
SQJ457EP-T1_GE3	0.9800	RFQ	6709	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ457	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	36a（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	68W（TC）
IRFP250pbf	3.9500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP250	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP250pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	200 v	30A（TC）	10V	85mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	190w（TC）
SIB404DK-T1-GE3	-	RFQ	3348	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB404	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	9A（TC）	4.5V	19mohm @ 3a，4.5V	800MV @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±5V		-	2.5W（TA），13W（tc）
SI1065X-T1-GE3	-	RFQ	8934	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1065	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	1.18A（TA）	1.8V，4.5V	156mohm @ 1.18a，4.5V	950mv @ 250µA	10.8 NC @ 5 V	±8V	480 pf @ 6 V	-	236MW（TA）
irlr024trr	-	RFQ	9098	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SQ4410EY-T1_GE3	1.5200	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4410	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	15A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2385 pf @ 25 V	-	5W（TC）
SQP10250E_GE3	-	RFQ	1080	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP10250	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	250 v	53A（TC）	7.5V，10V	30mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	4050 pf @ 25 V	-	250W（TC）
SI4431CDY-T1-E3	1.0700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4431	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	9A（TC）	4.5V，10V	32MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1006 pf @ 15 V	-	4.2W（TC）
SQA310CEJW-T1_GE3	0.4700	RFQ	9729	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	30 V	9A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	535 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
SI7414DN-T1-GE3	1.5500	RFQ	7568	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7414	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	5.6a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 8.7a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI4931DY-T1-GE3	1.2300	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4931	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		12V	6.7a		18mohm @ 8.9a，4.5V	1V @ 350µA	52nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF510	-	RFQ	2862	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF510	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	5.6A（TC）	10V	540MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SIHP16N50C-BE3	5.8400	RFQ	997	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP16	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-SIHP16N50C-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	16A（TC）	10V	380MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±30V	1900 pf @ 25 V	-	250W（TC）
SI4464DY-T1-E3	1.4100	RFQ	4829	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4464	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	1.7A（TA）	6V，10V	240mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SIRB40DP-T1-GE3	1.4000	RFQ	2477	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SIRB40	MOSFET （金属 o化物）	46.2W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	40a（TC）		3.25mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	45nc @ 4.5V		4290pf @ 20V	-
IRF9520STRR	-	RFQ	5832	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	6.8A（TC）	10V	600MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
2N4856JTXV02	-	RFQ	8798	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4856			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		-								-
SI4825DDY-T1-GE3	0.9400	RFQ	128	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4825	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	14.9a（TC）	4.5V，10V	12.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±25V	2550 pf @ 15 V	-	2.7W（ta），5W（tc）
VQ2001P	-	RFQ	5621	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）		-	VQ2001	MOSFET （金属 o化物）	2W	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	4个p通道		30V	600mA		2ohm @ 1a，12v	4.5V @ 1mA	-		150pf @ 15V	-
SI7946ADP-T1-GE3	1.0322	RFQ	7895	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7946	MOSFET （金属 o化物）	19.8W	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		150V	7.7A（TC）		186mohm @ 3a，10v	3.5V @ 250µA	6.5NC @ 7.5V		230pf @ 75V	-
SUD50P10-43L-E3	2.6500	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	37.1A（TC）	4.5V，10V	43mohm @ 9.2a，10V	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 50 V	-	8.3W（ta），136W（tc）
SUM10250E-GE3	2.8900	RFQ	5321	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum10250	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	63.5A（TC）	7.5V，10V	31mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	3002 PF @ 125 V	-	375W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²