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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF9Z34S	-	RFQ	6734	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z34S	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	18A（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
IRFR110TRPBF	1.0000	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIDR608EP-T1-RE3	2.6400	RFQ	3406	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIDR608EP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	45 v	56a（ta），228a（tc）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	167 NC @ 10 V	+20V，-16V	8900 PF @ 20 V	-	7.5W（ta），125W（tc）
IRFSL11N50A	-	RFQ	8049	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL11	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFSL11N50A	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±30V	1426 PF @ 25 V	-	190w（TC）
SQ1922EEH-T1_GE3	0.4900	RFQ	480	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1922	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	840ma（tc）		350MOHM @ 400mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V		50pf @ 10V	-
SUP60N06-12P-E3	-	RFQ	1117	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SUP60N0612PE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	60a（TC）	10V	12mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 30 V	-	3.25W（TA），100W（（（（（（（（
IRF9530L	-	RFQ	7169	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9530	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF9530L	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	12A（TC）	10V	300MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	-
SQJQ936EL-T1_GE3	2.7800	RFQ	4134	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ936	MOSFET （金属 o化物）	75W（TC）	PowerPak®8x8二元	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n通道		40V	100A（TC）		2.3MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	45nc @ 10V		7300pf @ 25V	标准
IRF644N	-	RFQ	2838	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF644N	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	240MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFD010PBF	-	RFQ	4496	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD010	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD010PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	50 V	1.7A（TC）	10V	200mohm @ 860mA，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	1W（TC）
SIA110DJ-T1-GE3	0.9300	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA110	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	5.4A（ta），12a（tc）	7.5V，10V	55mohm @ 4A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 50 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SI4190DY-T1-GE3	-	RFQ	5429	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4190	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	20A（TC）		8.8mohm @ 15a，10v	2.8V @ 250µA	58 NC @ 10 V		2000 pf @ 50 V	-
irfbf20pbf	2.4100	RFQ	996	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBF20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfbf20pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	1.7A（TC）	10V	8ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IRFZ34	-	RFQ	6877	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ34	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	88W（TC）
irfu9024pbf	1.6400	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9024	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu9024pbf	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI4909DY-T1-GE3	1.0400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4909	MOSFET （金属 o化物）	3.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		40V	8a		27mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	63nc @ 10V		2000pf @ 20V	逻辑级别门
SI5504BDC-T1-E3	1.0000	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5504	MOSFET （金属 o化物）	3.12W，3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		30V	4a，3.7a		65mohm @ 3.1a，10v	3V @ 250µA	7NC @ 10V		220pf @ 15V	逻辑级别门
SI4425DDY-T1-GE3	0.9100	RFQ	63	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4425	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	19.7a（TC）	4.5V，10V	9.8mohm @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	2610 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
IRFP340	-	RFQ	1379	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP340	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP340	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	400 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI8451DB-T2-E1	-	RFQ	7660	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6- UFBGA	SI8451	MOSFET （金属 o化物）		6-micro脚™（1.5x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	10.8A（TC）	1.5V，4.5V	80MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	24 NC @ 8 V	±8V	750 pf @ 10 V	-	2.77W（TA），13W（tc）
irfibf20g	-	RFQ	3824	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBF20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIBF20G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	900 v	1.2A（TC）	10V	8ohm @ 720mA，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SI9410BDY-T1-GE3	-	RFQ	8970	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9410	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 8.1a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI4324DY-T1-GE3	-	RFQ	5835	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4324	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	36a（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	3510 PF @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SQ1420EEH-T1-GE3	-	RFQ	2902	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1420	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	1.6A（TC）		140MOHM @ 1.2A，10V	2.5V @ 250µA	4 NC @ 4.5 V		215 pf @ 25 V	-
IRFI644G	-	RFQ	7730	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI644G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	7.9A（TC）	10V	280MOHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SI5933DC-T1-E3	-	RFQ	6428	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5933	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.7a		110MOHM @ 2.7a，4.5V	1V @ 250µA	7.7nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHP100N60E-GE3	4.9900	RFQ	9474	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP100	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	30A（TC）	10V	100mohm @ 13A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1851 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI7447ADP-T1-E3	-	RFQ	9665	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7447	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	10V	6.5MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±25V	4650 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83.3W（tc）
IRF624L	-	RFQ	7640	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF624	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF624L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	4.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	-
SI7806ADN-T1-E3	1.4600	RFQ	3811	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7806	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	11mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²