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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQ4946AEY-T1_GE3	-	RFQ	3595	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4946	MOSFET （金属 o化物）	4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	7a		40mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	18NC @ 10V		750pf @ 25V	逻辑级别门
SI4500BDY-T1-E3	-	RFQ	7254	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4500	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		20V	6.6a，3.8a		20mohm @ 9.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFBC30AS	-	RFQ	5193	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC30AS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIRA52DP-T1-GE3	1.3900	RFQ	9699	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira52	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 15A，10V	2.4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	+20V，-16V	7150 pf @ 20 V	-	48W（TC）
SI1926DL-T1-GE3	0.4100	RFQ	112	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1926	MOSFET （金属 o化物）	510MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	370mA		1.4OHM @ 340mA，10V	2.5V @ 250µA	1.4NC @ 10V		18.5pf @ 30V	逻辑级别门
IRFD120	-	RFQ	6501	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD120	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.3a（ta）	10V	270MOHM @ 780mA，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SUD25N04-25-E3	-	RFQ	2043	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SUD25	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	25A（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	3W（3W），33w（tc）
SISH116DN-T1-GE3	1.7000	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH116	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	10.5a（ta）	4.5V，10V	7.8mohm @ 16.4a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI7196DP-T1-GE3	-	RFQ	1331	Vishay Siliconix	WFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7196	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1577 PF @ 15 V	-	5W（5W），41.6W（TC）
IRFR420TRR	-	RFQ	4069	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHP6N40D-E3	1.6000	RFQ	8974	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP6N40DE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	311 PF @ 100 V	-	104W（TC）
IRFR9220pbf	1.8300	RFQ	245	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9220	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		P通道	200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI7456DP-T1-E3	2.1000	RFQ	22	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	5.7A（ta）	6V，10V	25mohm @ 9.3a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
IRF9Z34STRLPBF	2.0000	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9Z34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	18A（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
IRFP350LCPBF	6.4900	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP350	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP350LCPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	400 v	16A（TC）	10V	300MOHM @ 9.6A，10V	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRC630pbf	-	RFQ	4508	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRC630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRC630pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	电流感应	74W（TC）
SIHG73N60AE-GE3	11.4800	RFQ	74	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG73	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	60a（TC）	10V	40mohm @ 36.5a，10v	4V @ 250µA	394 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 100 V	-	417W（TC）
SI8435DB-T1-E1	-	RFQ	2179	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8435	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	10A（TC）	1.5V，4.5V	41MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±5V	1600 PF @ 10 V	-	2.78W（ta），6.25W（tc）
SI4660DY-T1-GE3	-	RFQ	7935	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4660	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	23.1a（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±16V	2410 pf @ 15 V	-	3.1W（ta），5.6W（TC）
irfrc20trl	-	RFQ	8772	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFL014Tr	-	RFQ	6279	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.7A（TC）	10V	200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI5418DU-T1-GE3	1.3200	RFQ	659	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5418	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	14.5MOHM @ 7.7A，10V	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SI6933DQ-T1-E3	-	RFQ	9427	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6933	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	-		45MOHM @ 3.5A，10V	1V @ 250µA（250µA）	30nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI2316BDS-T1-GE3	0.5900	RFQ	58	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2316	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 3.9a，10v	3V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.66W（tc）
SIHG25N60EFL-GE3	5.1900	RFQ	2092	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG25	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	25A（TC）	10V	146MOHM @ 12.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	2274 PF @ 100 V	-	250W（TC）
IRFIBF30G	-	RFQ	4558	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIBF30G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	900 v	1.9A（TC）	10V	3.7OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SIA517DJ-T1-GE3	0.6400	RFQ	26	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA517	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		12V	4.5a		29mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 8V		500pf @ 6V	逻辑级别门
IRF9Z34S	-	RFQ	6734	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z34S	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	18A（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SI3474DV-T1-GE3	0.4400	RFQ	5694	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3474	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.8A（TC）	4.5V，10V	126mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	196 pf @ 50 V	-	3.6W（TC）
SI7461DP-T1-GE3	2.4000	RFQ	6795	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7461	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	14.5MOHM @ 14.4a，10V	3V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²