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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQJ456EP-T1_GE3	5.2000	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	32A（TC）	6V，10V	26mohm @ 9.3a，10v	3.5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	3342 PF @ 25 V	-	83W（TC）
IRFBC30LPBF	-	RFQ	7674	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC30LPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
IRL3303D1STRR	-	RFQ	9378	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL3303	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	38A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 20a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	68W（TC）
SQS840CENW-T1_GE3	0.7200	RFQ	7302	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS840	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQS840CENW-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 7.5a，10v	2.5V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±20V	1031 PF @ 20 V	-	33W（TC）
SIHH070N60EF-T1GE3	7.9200	RFQ	4041	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH070	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	36a（TC）	10V	71MOHM @ 15A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	2647 PF @ 100 V	-	202W（TC）
SI3467DV-T1-GE3	-	RFQ	6683	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3467	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.8A（TA）	4.5V，10V	54mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
SI5943DU-T1-GE3	-	RFQ	5749	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5943	MOSFET （金属 o化物）	8.3W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	6a		64mohm @ 3.6A，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 8V		460pf @ 6V	逻辑级别门
SIRS5800DP-T1-GE3	3.1900	RFQ	7790	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRS5800	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	80 V	46A（TA），265a （TC）	7.5V，10V	1.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	6190 pf @ 40 V	-	7.4W（ta），240W（TC）
SIDR608EP-T1-RE3	2.6400	RFQ	3406	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIDR608EP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	45 v	56a（ta），228a（tc）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	167 NC @ 10 V	+20V，-16V	8900 PF @ 20 V	-	7.5W（ta），125W（tc）
SQ1922EEH-T1_GE3	0.4900	RFQ	480	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1922	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	840ma（tc）		350MOHM @ 400mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V		50pf @ 10V	-
SUP60N06-12P-E3	-	RFQ	1117	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SUP60N0612PE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	60a（TC）	10V	12mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 30 V	-	3.25W（TA），100W（（（（（（（（
SQJQ936EL-T1_GE3	2.7800	RFQ	4134	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ936	MOSFET （金属 o化物）	75W（TC）	PowerPak®8x8二元	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n通道		40V	100A（TC）		2.3MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	45nc @ 10V		7300pf @ 25V	标准
IRFD010PBF	-	RFQ	4496	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD010	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD010PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	50 V	1.7A（TC）	10V	200mohm @ 860mA，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	1W（TC）
SIA110DJ-T1-GE3	0.9300	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA110	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	5.4A（ta），12a（tc）	7.5V，10V	55mohm @ 4A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 50 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SI4190DY-T1-GE3	-	RFQ	5429	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4190	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	20A（TC）		8.8mohm @ 15a，10v	2.8V @ 250µA	58 NC @ 10 V		2000 pf @ 50 V	-
irfbf20pbf	2.4100	RFQ	996	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBF20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfbf20pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	1.7A（TC）	10V	8ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	54W（TC）
SI4425DDY-T1-GE3	0.9100	RFQ	63	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4425	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	19.7a（TC）	4.5V，10V	9.8mohm @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	2610 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
SI8451DB-T2-E1	-	RFQ	7660	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6- UFBGA	SI8451	MOSFET （金属 o化物）		6-micro脚™（1.5x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	10.8A（TC）	1.5V，4.5V	80MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	24 NC @ 8 V	±8V	750 pf @ 10 V	-	2.77W（TA），13W（tc）
SQ1420EEH-T1-GE3	-	RFQ	2902	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1420	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	1.6A（TC）		140MOHM @ 1.2A，10V	2.5V @ 250µA	4 NC @ 4.5 V		215 pf @ 25 V	-
SI5933DC-T1-E3	-	RFQ	6428	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5933	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.7a		110MOHM @ 2.7a，4.5V	1V @ 250µA	7.7nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHP100N60E-GE3	4.9900	RFQ	9474	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP100	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	30A（TC）	10V	100mohm @ 13A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1851 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI7447ADP-T1-E3	-	RFQ	9665	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7447	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	10V	6.5MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±25V	4650 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83.3W（tc）
SIR826DP-T1-GE3	2.9400	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir826	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.8V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
irfr024tr	-	RFQ	4852	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI3499DV-T1-GE3	1.0000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3499	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.3a（ta）	1.5V，4.5V	23mohm @ 7A，4.5V	750mv @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±5V		-	1.1W（TA）
SUP50N03-5M1P-GE3	-	RFQ	4450	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 22A，10V	2.5V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	2780 pf @ 15 V	-	2.7W（TA），59.5W（tc）
SIHP5N50D-GE3	1.1200	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	5.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	325 pf @ 100 V	-	104W（TC）
SI3473CDV-T1-GE3	0.7100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3473	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	22mohm @ 8.1a，4.5V	1V @ 250µA	65 NC @ 8 V	±8V	2010 PF @ 6 V	-	2W（TA），4.2W（TC）
SIHFPS40N60K-GE3	7.2200	RFQ	562	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHFPS40N60K-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	40a（TC）	10V	130MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±30V	7970 pf @ 25 V	-	570W（TC）
IRF730pbf-be3	1.5700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF730PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	74W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²