SIC
close

离散半导体产品（（5717）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
2N4858JTXL02 Vishay Siliconix 2N4858JTXL02 -
RFQ
 ECAD 8060 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N4858 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 - -
2N4859JTXV02 Vishay Siliconix 2N4859JTXV02 -
RFQ
 ECAD 6533 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N4859 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 - -
2N4861JAN02 Vishay Siliconix 2N4861JAN02 -
RFQ
 ECAD 5904 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N4861 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - -
2N5114 Vishay Siliconix 2N5114 -
RFQ
 ECAD 2077 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5114 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 200 - -
2N5114-E3 Vishay Siliconix 2N5114-E3 -
RFQ
 ECAD 6584 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5114 TO-206AA（to-18） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 200 - -
2N5114JTVL02 Vishay Siliconix 2N5114JTVL02 -
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5114 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N5115JTX02 Vishay Siliconix 2N5115JTX02 -
RFQ
 ECAD 2166 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5115 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N5116-E3 Vishay Siliconix 2N5116-E3 -
RFQ
 ECAD 1404 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5116 TO-206AA（to-18） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 200 - -
2N5116JTXV02 Vishay Siliconix 2N5116JTXV02 -
RFQ
 ECAD 4206 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5116 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N5432-2 Vishay Siliconix 2N5432-2 -
RFQ
 ECAD 7202 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-206AC，TO-52-3 2N5432 300兆 TO-206AC（to-52） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 n通道 30pf @ 0v 25 v 150 ma @ 15 V 4 V @ 3 na
2N5545JTX01 Vishay Siliconix 2N5545JTX01 -
RFQ
 ECAD 4003 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-71-6 2N5545 TO-71 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 - -
2N5545JTXV01 Vishay Siliconix 2N5545JTXV01 -
RFQ
 ECAD 8001 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-71-6 2N5545 TO-71 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 - -
2N5546JTXL01 Vishay Siliconix 2N5546JTXL01 -
RFQ
 ECAD 2172 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-71-6 2N5546 TO-71 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N5546JTXV01 Vishay Siliconix 2N5546JTXV01 -
RFQ
 ECAD 7477 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-71-6 2N5546 TO-71 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N5547JTXL01 Vishay Siliconix 2N5547JTXL01 -
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-71-6 2N5547 TO-71 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 40 - -
2N5547JTXV01 Vishay Siliconix 2N5547JTXV01 -
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-71-6 2N5547 TO-71 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N6660-2 Vishay Siliconix 2N6660-2 -
RFQ
 ECAD 3199 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6660 MOSFET （金属 o化物） TO-205AD（TO-39） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 60 V 990mA（tc） 5V，10V 3ohm @ 1a，10v 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - （725MW）（6.25W）TC）
2N6660JTXL02 Vishay Siliconix 2N6660JTXL02 -
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6660 MOSFET （金属 o化物） TO-205AD（TO-39） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 60 V 990mA（tc） 5V，10V 3ohm @ 1a，10v 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - （725MW）（6.25W）TC）
2N6661 Vishay Siliconix 2N6661 -
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6661 MOSFET （金属 o化物） 到39 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 90 v 860mA（tc） 5V，10V 4ohm @ 1A，10V 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - （725MW）（6.25W）TC）
2N6661-2 Vishay Siliconix 2N6661-2 -
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6661 MOSFET （金属 o化物） 到39 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 90 v 860mA（tc） 5V，10V 4ohm @ 1A，10V 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - （725MW）（6.25W）TC）
2N6661JTVP02 Vishay Siliconix 2N6661JTVP02 -
RFQ
 ECAD 3800 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6661 MOSFET （金属 o化物） 到39 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 90 v 860mA（tc） 5V，10V 4ohm @ 1A，10V 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - （725MW）（6.25W）TC）
2N6661JTX02 Vishay Siliconix 2N6661JTX02 -
RFQ
 ECAD 1080 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6661 MOSFET （金属 o化物） 到39 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 90 v 860mA（tc） 5V，10V 4ohm @ 1A，10V 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - （725MW）（6.25W）TC）
2N6661JTXP02 Vishay Siliconix 2N6661JTXP02 -
RFQ
 ECAD 8781 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6661 MOSFET （金属 o化物） 到39 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 90 v 860mA（tc） 5V，10V 4ohm @ 1A，10V 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - （725MW）（6.25W）TC）
2N6661JTXV02 Vishay Siliconix 2N6661JTXV02 -
RFQ
 ECAD 3690 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6661 MOSFET （金属 o化物） 到39 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 90 v 860mA（tc） 5V，10V 4ohm @ 1A，10V 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - （725MW）（6.25W）TC）
3N163-2 Vishay Siliconix 3N163-2 -
RFQ
 ECAD 5994 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-206AF，TO-72-4金属可以 3N163 MOSFET （金属 o化物） 到72 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 P通道 40 V 50mA（TA） 20V 250ohm @ 100µA，20V 5V @ 10µA ±30V 3.5 pf @ 15 V - 375MW（TA）
SIR646DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR646DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3786 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir646 MOSFET （金属 o化物） PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 60a（TC） 4.5V，10V 3.8mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 51 NC @ 10 V ±20V 2230 PF @ 20 V - 5W（5W），54W（tc）（TC）
SI4038DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4038DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8417 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4038 MOSFET （金属 o化物） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 42.5A（TC） 4.5V，10V 2.4mohm @ 15a，10v 2.1V @ 250µA 87 NC @ 10 V ±20V 4070 pf @ 20 V - 3.5W（TA），7.8W（TC）
SIA936EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA936EDJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3349 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA936 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.5a 34mohm @ 4A，4.5V 1.3V @ 250µA 17NC @ 10V - 逻辑级别门
SIA923AEDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA923AEDJ-T1-GE3 0.6500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA923 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5a 54mohm @ 3.8A，4.5V 900mv @ 250µA 25nc @ 8v 770pf @ 10V 逻辑级别门
SIA446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA446DJ-T1-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 7142 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 PowerPak®Sc-70-6 SIA446 MOSFET （金属 o化物） PowerPak®Sc-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 150 v 7.7A（TC） 6V，10V 177MOHM @ 3A，10V 3.5V @ 250µA 8 nc @ 10 V ±20V 230 pf @ 75 V - 3.5W（TA），19W（tc）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭