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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
SIR770DP-T1-GE3	1.1800	RFQ	7601	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	Sir770	MOSFET （金属 o化物）	17.8W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	8a		21mohm @ 8a，10v	2.8V @ 250µA	21NC @ 10V		900pf @ 15V	逻辑级别门
SIS330DN-T1-GE3	-	RFQ	7569	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS330	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	5.6mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SIS448DN-T1-GE3	-	RFQ	1078	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS448	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	5.6mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1575 PF @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SIS776DN-T1-GE3	-	RFQ	9894	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS776	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 15 V	（（（）	3.8W（TA），52W（TC）
SQD50N05-11L_GE3	1.7000	RFQ	952	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	50 V	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 45a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2106 pf @ 25 V	-	75W（TC）
SQJ940EP-T1_GE3	1.4500	RFQ	8	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ940	MOSFET （金属 o化物）	48W，43W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	（15a）（TA），18A （TC）		16mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 20V		896pf @ 20V	逻辑级别门
SQM120N04-1M9_GE3	2.1090	RFQ	2922	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	120A（TC）	10V	1.9mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	8790 pf @ 25 V	-	300W（TC）
SQM200N04-1M1L_GE3	4.2600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	SQM200	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	200a（TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	413 NC @ 10 V	±20V	20655 PF @ 25 V	-	375W（TC）
SQS484EN-T1_GE3	1.0100	RFQ	14	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS484	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	16A（TC）	4.5V，10V	9MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1855 pf @ 25 V	-	62W（TC）
SST201-T1-E3	-	RFQ	5427	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST201		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道								4.5pf @ 15V			40 V	200 µA @ 15 V	300 mv @ 10 na
SST204-E3	-	RFQ	3203	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST204		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道								4.5pf @ 15V			40 V	200 µA @ 15 V	300 mv @ 10 na
SST204-T1-E3	-	RFQ	8684	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST204		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道								4.5pf @ 15V			25 v	200 µA @ 15 V	300 mv @ 10 na
SST4119-T1-E3	-	RFQ	4656	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST4119		350兆	TO-236	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道								3pf @ 10V			40 V	200 µA @ 10 V	2 V @ 1 na
SST5486-E3	-	RFQ	7733	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST5486		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道								5pf @ 15V			25 v	8 ma @ 15 V	2 V @ 10 na
SST5486-T1-E3	-	RFQ	8951	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST5486		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道								5pf @ 15V			25 v	8 ma @ 15 V	2 V @ 10 na
SUP53P06-20-GE3	-	RFQ	8704	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP53	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		P通道	60 V	9.2A（ta），53A （TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），104.2W（TC）
U290	-	RFQ	4132	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AC，TO-52-3	U290		500兆	TO-206AC（to-52）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	200		n通道								160pf @ 0v			30 V	500 ma @ 10 V	4 V @ 3 na	3欧姆
U290-E3	-	RFQ	1859年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AC，TO-52-3	U290		500兆	TO-206AC（to-52）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	200		n通道								160pf @ 0v			30 V	500 ma @ 10 V	4 V @ 3 na	3欧姆
U291	-	RFQ	7340	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AC，TO-52-3	U291		500兆	TO-206AC（to-52）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	200		n通道								160pf @ 0v			30 V	200 ma @ 10 V	1.5 V @ 3 na	7欧姆
U441-E3	-	RFQ	1468	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-71-6	U441		500兆	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	200		2 n 通道（双）								3pf @ 10V			25 v	6 mA @ 10 V	1 v @ 1 na
VP0300B-E3	-	RFQ	2220	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-		-	VP0300	MOSFET （金属 o化物）			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100		P通道	30 V	320mA（TA）		2.5OHM @ 1A，12V	4.5V @ 1mA			150 pf @ 15 V	-	-
VP0808B-E3	-	RFQ	2661	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	VP0808	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100		P通道	80 V	880mA（TA）	10V	5ohm @ 1A，10V	4.5V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	6.25W（TA）
VP1008B	-	RFQ	6699	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	VP1008	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100		P通道	100 v	790ma（ta）	10V	5ohm @ 1A，10V	4.5V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	6.25W（TA）
VQ1004P	-	RFQ	4690	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	-	-	VQ1004	-		-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25		-		830mA ta）	5V，10V	-	-		±20V		-	-
VQ1006P-2	-	RFQ	5878	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	-	VQ1006	MOSFET （金属 o化物）	2W	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25	4 n通道		90V	400mA		4.5OHM @ 1A，10V	2.5V @ 1mA	-		60pf @ 25V	逻辑级别门
IRFBF30STRLPBF	3.5800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFD213	-	RFQ	8274	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD213	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	-	Rohs不合规	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	250 v	450mA（ta）		2ohm @ 270mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V		140 pf @ 25 V	-	-
IRFP22N60K	-	RFQ	1857年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	22a（TC）	10V	280MOHM @ 13A，10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3570 pf @ 25 V	-	370W（TC）
IRFP26N60L	-	RFQ	3859	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP26	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	26a（TC）	10V	250mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±30V	5020 PF @ 25 V	-	470W（TC）
IRFP27N60K	-	RFQ	8116	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP27	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	27a（TC）	10V	220MOHM @ 16A，10V	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±30V	4660 pf @ 25 V	-	500W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²