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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI1469DH-T1-BE3	0.6100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1469	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.2A（ta），2.7a tc）		80mohm @ 2a，10v	1.5V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	470 pf @ 10 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
IRLZ24PBF-BE3	1.7000	RFQ	841	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLZ24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irlz24pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	17a（TC）		100mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRFZ44RPBF-BE3	2.7800	RFQ	856	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ44RPBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）		28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRL530pbf-be3	1.6900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irl530pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	15A（TC）		160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	88W（TC）
SIJA74DP-T1-GE3	0.9700	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA74	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	24A（24A），81.2A（TC）		3.99MOHM @ 10A，10V	2.4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	+20V，-16V	2000 pf @ 20 V	-	4.1W（TA），46.2W（tc）
SIJH112E-T1-GE3	4.6000	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIJH112	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	-		（1 （无限）		742-SIJH112E-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	23A（23A），225a（tc）		2.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	8050 pf @ 50 V	-	3.3W（333W）（333W（tc）
SI7615BDN-T1-GE3	-	RFQ	3755	Vishay Siliconix	-	（CT）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7615	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	29A（ta），104a（tc）		3.8mohm @ 20a，10v	1.5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±12V	4890 pf @ 10 V	-	5.2W（ta），66w（tc）
SIHFPS40N60K-GE3	7.2200	RFQ	562	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHFPS40N60K-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	40a（TC）	10V	130MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±30V	7970 pf @ 25 V	-	570W（TC）
SIHS90N65E-GE3	20.6200	RFQ	233	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHS90N65E-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	87A（TC）	10V	29mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	591 NC @ 10 V	±30V	11826 PF @ 100 V	-	625W（TC）
SIHFPS37N50A-GE3	6.7900	RFQ	2075	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHFPS37N50A-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	500 v	36a（TC）	10V	130mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±30V	5579 PF @ 25 V	-	446W（TC）
SIHP17N80AEF-GE3	2.9400	RFQ	1	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHP17N80AEF-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	15A（TC）	10V	305MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SIHA5N80AE-GE3	1.3800	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHA5N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	3A（TC）	10V	1.35OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	321 PF @ 100 V	-	29W（TC）
SQJ147ELP-T1_GE3	0.9900	RFQ	24	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ147	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	90A（TC）		12.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	183W（TC）
SIR681DP-T1-RE3	2.5700	RFQ	8399	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir681	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SIR681DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	17.6a（ta），71.9a （TC）		11.2Mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	4850 pf @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIHFPS43N50K-GE3	-	RFQ	8460	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHFPS43N50K-GE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	47A（TC）	10V	90mohm @ 28a，10v	5V @ 250µA	350 NC @ 10 V	±30V	8310 PF @ 25 V	-	540W（TC）
SIS178LDN-T1-GE3	0.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	70 v	13.9a（ta），45.3a （TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	28.5 NC @ 10 V	±20V	1135 PF @ 35 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
SIHH080N60E-T1-GE3	5.1700	RFQ	4	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHH080N60E-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	32A（TC）	10V	80Mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	184W（TC）
SIR570DP-T1-RE3	2.4700	RFQ	3731	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	（19a（ta），77.4A（TC）	7.5V，10V	7.9Mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3740 pf @ 75 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SISH536DN-T1-GE3	0.6400	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	24.7a（TA），67.4A （TC）	4.5V，10V	3.25mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	25 NC @ 10 V	+16V，-12V	1150 pf @ 15 V	-	3.57W（TA），26.5W（tc）
SIHG080N60E-GE3	4.9900	RFQ	327	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHG080N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	35A（TC）	10V	80Mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SIZF928DT-T1-GE3	1.6500	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF928	MOSFET （金属 o化物）	3.9W（TA），28W tc（TC），4.5W（ta（74W ta）（74W tc）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	33A（33A），88a tc），61a（ta（248a ta）（TC）TC）		2.45Mohm @ 10a，10v，750µHomm @ 15a，10v	2V @ 250µA	-		-	-
SIR876BDP-T1-RE3	1.3100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	13.6A（TA），51.4A （TC）	4.5V，10V	10.8mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	3040 pf @ 50 V	-	5W（5W），71.4W（TC）
SQD40052EL_GE3	1.0500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	62W（TC）
SIHG21N80AEF-GE3	3.3700	RFQ	494	Vishay Siliconix	EF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHG21N80AEF-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	800 v	16.3a（TC）	10V	250mohm @ 8.5a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±30V	1511 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SQSA70CENW-T1_GE3	0.9900	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	18A（TC）	10V	68.5MOHM @ 7A，10V	3.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	540 pf @ 25 V	-	62.5W（TC）
SQW33N65EF-GE3	6.1900	RFQ	519	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，e	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQW33N65EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	480		n通道	650 v	34A（TC）	10V	109MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	173 NC @ 10 V	±30V	3972 PF @ 100 V	-	375W（TC）
sum90100e-ge3	4.0100	RFQ	3633	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SUM90100E-GE3	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	150a（TC）	7.5V，10V	11.4mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3930 PF @ 100 V	-	375W（TC）
SIHB053N60E-GE3	6.3800	RFQ	912	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB053N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	47A（TC）	10V	54mohm @ 26.5A，10V	5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	3722 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SUP70042E-GE3	3.0700	RFQ	500	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SUP70042E-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	150a（TC）	7.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	6490 pf @ 50 V	-	278W（TC）
SIR5802DP-T1-RE3	1.8900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR5802DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	33.6a（TA），137.5A （TC）	7.5V，10V	2.9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3020 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²