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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
irfu310pbf	1.4900	RFQ	8291	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU310	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu310pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
irliz14g	-	RFQ	9268	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLIZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irliz14g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	8A（TC）	4V，5V	200mohm @ 4.8A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	27W（TC）
IRFI744G	-	RFQ	3309	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI744	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI744G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	4.9A（TC）	10V	630mohm @ 2.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFR214pbf	0.6159	RFQ	7829	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfr214pbf	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFR9310TRR	-	RFQ	7590	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI5933CDC-T1-E3	-	RFQ	4767	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5933	MOSFET （金属 o化物）	2.8W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	3.7a		144mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 250µA	6.8NC @ 5V		276pf @ 10V	-
SI2319CDS-T1-GE3	0.5700	RFQ	4055	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2319	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	4.4A（TC）	4.5V，10V	77MOHM @ 3.1A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	595 pf @ 20 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SISA18DN-T1-GE3	-	RFQ	8649	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	38.3a（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	1000 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SI4670DY-T1-E3	-	RFQ	2066	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4670	MOSFET （金属 o化物）	2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		25V	8a		23mohm @ 7a，10v	2.2V @ 250µA	18NC @ 10V		680pf @ 13V	逻辑级别门
SIJA52ADP-T1-GE3	1.3900	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA52	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	41.6A（TA），131A （TC）	4.5V，10V	1.63mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	+20V，-16V	5500 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
SIRA06DP-T1-GE3	1.1800	RFQ	710	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira06	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	77 NC @ 10 V	+20V，-16V	3595 pf @ 15 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
SI5515DC-T1-GE3	-	RFQ	8255	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5515	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	4.4a，3a		40mohm @ 4.4a，4.5V	1V @ 250µA	7.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHW73N60E-GE3	6.6456	RFQ	1202	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHW73	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	480		n通道	600 v	73A（TC）	10V	39mohm @ 36a，10v	4V @ 250µA	362 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 100 V	-	520W（TC）
IRFI9634GPBF	3.0900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9634	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI9634GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	250 v	4.1A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SQA411CEJW-T1_GE3	0.5100	RFQ	7	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	6.46a（TC）	4.5V，10V	155MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 250µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	590 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
IRF9510STRLPBF	1.7000	RFQ	39	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRFSL11N50A	-	RFQ	8049	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL11	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFSL11N50A	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±30V	1426 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRFB17N50LPBF	6.0100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFB17N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	16A（TC）	10V	320MOHM @ 9.9A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2760 pf @ 25 V	-	220W（TC）
SI4421DY-T1-GE3	2.4800	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4421	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	8.75MOHM @ 14a，4.5V	800mv @ 850µA	125 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
SQM120P10_10M1LGE3	3.8400	RFQ	5117	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	120A（TC）	4.5V，10V	10.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRL530pbf-be3	1.6900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irl530pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	15A（TC）		160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	88W（TC）
SI2302DDS-T1-BE3	0.4400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2302DDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.6a（ta）	2.5V，4.5V	57MOHM @ 3.6A，4.5V	850mv @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	710MW（TA）
IRF3314STRL	-	RFQ	2715	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF3314	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	-	10V	-	-		±20V		-	-
SI4646DY-T1-E3	-	RFQ	3820	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4646	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	11.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	1790 pf @ 15 V	-	（3W（ta），6.25W（TC）
SI4412ADY-T1-GE3	-	RFQ	3852	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4412	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	5.8A（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA（250µA）	20 nc @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
IRF620STRRPBF	2.0400	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	（3w（ta），50W（TC）
irfr010tr	-	RFQ	3899	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR010	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	50 V	8.2A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SQS850EN-T1_GE3	1.0300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS850	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	21.5mohm @ 6.1a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2021 PF @ 30 V	-	33W（TC）
SIHA15N65E-GE3	3.1800	RFQ	4793	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha15	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	2460 pf @ 100 V	-	34W（TC）
IRFR9120pbf	1.4000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		P通道	100 v	5.6A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²