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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFR9214TRPBF	1.5500	RFQ	44	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SQ4840EY-T1_GE3	3.3100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4840	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	20.7A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	2440 pf @ 20 V	-	7.1W（TC）
IRFZ14PBF-BE3	1.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ14PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	10A（TC）		200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRF530STRLPBF	1.7300	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SI1557DH-T1-E3	-	RFQ	4689	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1557	MOSFET （金属 o化物）	470MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		12V	1.2a，770mA		235mohm @ 1.2A，4.5V	1V @ 100µA	1.2nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SUM23N15-73-E3	-	RFQ	9221	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum23	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	23A（TC）	6V，10V	73mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1290 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），100W（TC）
SIA936EDJ-T1-GE3	-	RFQ	3349	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA936	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.5a		34mohm @ 4A，4.5V	1.3V @ 250µA	17NC @ 10V		-	逻辑级别门
SQD25N15-52_GE3	3.8600	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD25	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	150 v	25A（TC）	10V	52MOHM @ 15A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	107W（TC）
SI1499DH-T1-GE3	0.6700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1499	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（TC）	1.2V，4.5V	78MOHM @ 2A，4.5V	800MV @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±5V	650 pf @ 4 V	-	2.5W（2.78W）（2.78W）TC）
IRFL9014TRPBF-BE3	0.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	1.8A（TC）	10V	500MOHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI5447DC-T1-E3	-	RFQ	4374	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5447	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.5A（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 3.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	10 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
SI2331DS-T1-E3	-	RFQ	2887	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2331	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	3.2A（ta）	1.8V，4.5V	48mohm @ 3.6A，4.5V	900mv @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	780 pf @ 6 V	-	710MW（TA）
SQ3418AEEV-T1_BE3	0.9300	RFQ	4843	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3418	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SQ3418AEEV-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	8A（TC）	4.5V，10V	32MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	12.4 NC @ 10 V	±20V	675 PF @ 20 V	-	5W（TC）
SQJ420EP-T1_GE3	0.8800	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ420	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 9.7a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1860 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SIZ902DT-T1-GE3	1.4900	RFQ	6870	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ902	MOSFET （金属 o化物）	29W，66W	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	16a		12mohm @ 13.8a，10v	2.2V @ 250µA	21NC @ 10V		790pf @ 15V	逻辑级别门
SI4835BDY-T1-E3	-	RFQ	8665	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4835	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	7.4a（ta）	4.5V，10V	18mohm @ 9.6a，10v	3V @ 250µA	37 NC @ 5 V	±25V		-	1.5W（TA）
irfr320pbf-be3	0.8122	RFQ	2731	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR320	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载				742-irfr320pbf-be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI7866ADP-T1-E3	-	RFQ	5378	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7866	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	40a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5415 pf @ 10 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
IRFBC30L	-	RFQ	9673	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC30L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SI4840DY-T1-E3	-	RFQ	2986	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4840	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	10a（10a）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±20V		-	1.56W（TA）
SI7636DP-T1-GE3	1.1907	RFQ	4995	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7636	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	4mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	5600 pf @ 15 V	-	1.9W（TA）
SI4943CDY-T1-GE3	1.7000	RFQ	6726	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4943	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		20V	8a		19.2MOHM @ 8.3a，10V	3V @ 250µA	62NC @ 10V		1945pf @ 10V	逻辑级别门
SIHP22N60AE-GE3	1.9830	RFQ	8658	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	20A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	1451 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SQJ184EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	118a（TC）	10V	7.5MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±20V	3478 pf @ 25 V	-	234W（TC）
IRFR9210TRL	-	RFQ	9672	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	200 v	1.9A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI4992EY-T1-E3	-	RFQ	7042	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4992	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		75V	3.6a		48mohm @ 4.8A，10V	3V @ 250µA	21NC @ 10V		-	逻辑级别门
SIR774DP-T1-GE3	-	RFQ	3000	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的				Sir774				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000				32A（ta），40a tc）	4.5V，10V				±20V
SIHP24N65EF-GE3	3.0870	RFQ	8831	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	24A（TC）	10V	156mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	2656 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIHB24N65E-E3	3.1311	RFQ	8758	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHB24N65EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2740 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIHA100N60E-GE3	5.0300	RFQ	926	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha100	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	30A（TC）	10V	100mohm @ 13A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1851 PF @ 100 V	-	35W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²