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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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SIA485DJ-T1-GE3	0.5800	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA485	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	1.6A（TC）	6V，10V	2.6ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.3 NC @ 10 V	±20V	155 pf @ 75 V	-	15.6W（TC）
SIHA18N60E-E3	1.6758	RFQ	4998	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	18A（TC）	10V	202MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	34W（TC）
SIHB18N60E-GE3	1.7405	RFQ	7994	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB18	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	18A（TC）	10V	202MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SIHB22N60EL-GE3	2.2344	RFQ	2818	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	197mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	1690 pf @ 100 V	-	227W（TC）
SIHB24N65ET1-GE3	3.7126	RFQ	2884	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2740 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIHB33N60ET1-GE3	6.1800	RFQ	2691	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB33	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	33A（TC）	10V	99MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3508 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SIHB33N60ET5-GE3	3.8346	RFQ	8835	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB33	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	33A（TC）	10V	99MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3508 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SIHD6N62ET1-GE3	0.6924	RFQ	9883	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	620 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	578 pf @ 100 V	-	78W（TC）
SIHD6N65ET1-GE3	0.7371	RFQ	5044	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SIHD6N65ET5-GE3	0.7371	RFQ	8030	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SIHD7N60ET5-GE3	0.8080	RFQ	7810	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD7	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	78W（TC）
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SIHFR1N60A-GE3	1.0000	RFQ	2762	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	sihfr1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	7ohm @ 840mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SIHP18N60E-GE3	1.6464	RFQ	9170	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	18A（TC）	10V	202MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SIHP22N60EL-GE3	2.1903	RFQ	2841	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	197mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	1690 pf @ 100 V	-	227W（TC）
SIHP6N65E-GE3	1.0658	RFQ	6099	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SIR638DP-T1-RE3	0.7316	RFQ	1703	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir638	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	204 NC @ 10 V	+20V，-16V	10500 PF @ 20 V	-	104W（TC）
SIR690DP-T1-RE3	0.7316	RFQ	3012	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir690	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	34.4A（TC）	7.5V，10V	35mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1935 PF @ 100 V	-	104W（TC）
SIR872ADP-T1-RE3	2.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir872	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	53.7a（TC）	7.5V，10V	18mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	1286 pf @ 75 V	-	104W（TC）
SIRA00DP-T1-RE3	0.7903	RFQ	2197	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira00	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	1MOHM @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	+20V，-16V	11700 PF @ 15 V	-	104W（TC）
SIRA18DP-T1-RE3	0.1904	RFQ	4824	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	33A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	1000 pf @ 15 V	-	14.7W（TC）
SIRA32DP-T1-RE3	1.0600	RFQ	5641	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira32	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	83 NC @ 10 V	+16V，-12V	4450 pf @ 10 V	-	65.7W（TC）
SIRA66DP-T1-GE3	0.3959	RFQ	4604	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira66	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 1mA	66 NC @ 10 V	+20V，-16V		-	62.5W（TC）
SIRA90DP-T1-GE3	1.5500	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira90	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.8MOHM @ 20a，10v	2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	+20V，-16V	10180 pf @ 15 V	-	104W（TC）
SIRA90DP-T1-RE3	1.5500	RFQ	13	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira90	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.8MOHM @ 20a，10v	2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	+20V，-16V	10180 pf @ 15 V	-	104W（TC）
SIS429DNT-T1-GE3	0.1378	RFQ	1479年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS429	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 10.5a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	27.8W（TC）
SIZ320DT-T1-GE3	0.9400	RFQ	2	Vishay Siliconix	PowerPair®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ320	MOSFET （金属 o化物）	16.7W，31W	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		25V	30A（TC），40a tc）（TC）		8.3MOHM @ 8A，10V，4.24MOHM @ 10A，10V	2.4V @ 250µA	8.9nc @ 4.5V，11.9nc @ 4.5V		660pf @ 12.5V，1370pf @ 12.5V	-
SIZ980DT-T1-GE3	1.6300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ980	MOSFET （金属 o化物）	20W，66W	8-Powerpair®（6x5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	20A（TC），60a （TC）		6.7MOHM @ 15A，10V，1.6MOHM @ 19a，10v	2.2V @ 250µA	8.1nc @ 4.5V，35nc @ 4.5V		930pf @ 15V，4600pf @ 15V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²