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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI7388DP-T1-E3	-	RFQ	2658	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7388	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12a（12a）	4.5V，10V	7mohm @ 19a，10v	1.6V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±20V		-	1.9W（TA）
irfz14pbf	1.2900	RFQ	63	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfz14pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SIHG080N60E-GE3	4.9900	RFQ	327	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHG080N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	35A（TC）	10V	80Mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SUD50N10-18P-E3	-	RFQ	5887	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	8.2a（ta），50a（tc）	10V	18.5mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 50 V	-	3W（TA），136.4W（TC）
IRFI740GLCPBF	3.8900	RFQ	658	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI740GLCPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	5.7A（TC）	10V	550MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	40W（TC）
SQJ433EP-T1_GE3	1.4100	RFQ	4	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ433	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	8.1MOHM @ 16A，10V	2.5V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	4877 PF @ 15 V	-	83W（TC）
IRF540pbf	2.1500	RFQ	40	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF540pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SI7465DP-T1-E3	1.3200	RFQ	51	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7465	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	64mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SIHB24N65E-GE3	5.9300	RFQ	4624	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2740 pf @ 100 V	-	250W（TC）
IRF730STRL	-	RFQ	1415	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SIZ720DT-T1-GE3	0.6395	RFQ	1017	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ720	MOSFET （金属 o化物）	27W，48W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		20V	16a		8.7MOHM @ 16.8A，10V	2V @ 250µA	23nc @ 10V		825pf @ 10V	逻辑级别门
SI4511DY-T1-E3	-	RFQ	3529	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4511	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		20V	7.2a，4.6a		14.5MOHM @ 9.6A，10V	1.8V @ 250µA	18NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF840BPBF	1.5500	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8.7A（TC）	10V	850MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	527 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SQD100N03-3M4_GE3	1.6100	RFQ	8822	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD100	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±20V	7349 PF @ 15 V	-	136W（TC）
SI7456DDP-T1-GE3	1.6700	RFQ	9553	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	27.8A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 10a，10v	2.8V @ 250µA	29.5 NC @ 10 V	±20V	900 PF @ 50 V	-	5W（5W），35.7W（TC）
SI2303CDS-T1-GE3	0.4500	RFQ	115	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2303	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7A（TC）	4.5V，10V	190mohm @ 1.9a，10v	3V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	155 pf @ 15 V	-	1W（TA），2.3W（2.3W）（TC）
SI1308EDL-T1-GE3	0.4600	RFQ	68	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1308	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.4A（TC）	2.5V，10V	132MOHM @ 1.4A，10V	1.5V @ 250µA	4.1 NC @ 10 V	±12V	105 pf @ 15 V	-	400MW（TA），500MW（（（（（（（（（（（
irfibg20g	-	RFQ	1680年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	Irfibg20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）		*irfibg20g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1000 v	-		-	-				-	-
IRFP340pbf	5.1700	RFQ	999	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP340	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	400 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI4534DY-T1-GE3	1.4100	RFQ	3233	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4534	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），3.6W（TC）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SI4534DY-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		60V	6.2a（ta），8a tc（8a tc），3a ta），4.1a tc（TC）		29mohm @ 5a，10v，120mohm @ 3.1a，10v	3V @ 250µA	11nc @ 10v，22nc @ 10v		420pf @ 30v，650pf @ 30V	-
IRF644NSPBF	-	RFQ	5575	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF644NSPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	240MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI4862DY-T1-GE3	-	RFQ	9308	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4862	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	16 V	17A（TA）	2.5V，4.5V	3.3MOHM @ 25a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	70 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SIR474DP-T1-GE3	0.9400	RFQ	618	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir474	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	985 pf @ 15 V	-	3.9W（TA），29.8W（TC）
SQM30010EL_GE3	2.9500	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM30010	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	120A（TC）	10V	1.35MOHM @ 40a，10V	2.5V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 15 V	-	375W（TC）
IRFPF40pbf	4.4500	RFQ	375	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF40	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPF40PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	900 v	4.7A（TC）	10V	2.5OHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SISA26DN-T1-GE3	0.8300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA26	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	44 NC @ 10 V	+16V，-12V	2247 PF @ 10 V	-	39W（TC）
SIHU2N80E-GE3	0.6689	RFQ	4396	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	sihu2	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	800 v	2.8A（TC）	10V	2.75ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±30V	315 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
SI4876DY-T1-GE3	-	RFQ	9709	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4876	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	14A（TA）	2.5V，4.5V	5mohm @ 21a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	80 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.6W（TA）
SI7900AEDN-T1-E3	1.7000	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7900	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		20V	6a		26mohm @ 8.5a，4.5V	900mv @ 250µA	16nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIS429DNT-T1-GE3	0.1378	RFQ	1479年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS429	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 10.5a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	27.8W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²