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![]() | SQ2315ES-T1_BE3 | 0.6000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SQ2315 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | - | (1 (无限) | 742-SQ2315ES-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 5A(TC) | 1.8V,4.5V | 50mohm @ 3.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | ±8V | 870 pf @ 6 V | - | 2W(TC) | |||||
![]() | SQJA60EP-T1_BE3 | 1.1100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJA60 | MOSFET (金属 o化物) | POWERPAK®SO-8 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 30A(TC) | 4.5V,10V | 12.5mohm @ 8a,10v | 2.5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1600 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | ||||||
![]() | IRF730pbf-be3 | 1.5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF730 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 742-IRF730PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 400 v | 5.5A(TC) | 10V | 1欧姆 @ 3A,10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 700 pf @ 25 V | - | 74W(TC) | |||||
![]() | IRFR014TRPBF-BE3 | 1.0000 | ![]() | 155 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR014 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | - | (1 (无限) | 742-IRFR014TRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 60 V | 7.7A(TC) | 10V | 200mohm @ 4.6A,10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | |||||
![]() | SUD25N15-52-BE3 | 2.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | SUD25 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | - | (1 (无限) | 742-SUD25N15-52-BE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 150 v | 25A(TC) | 6V,10V | 52MOHM @ 5A,10V | 4V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1725 PF @ 25 V | - | (3W)(136w(ta)(TC) | |||||
![]() | SUD80460E-BE3 | 0.9700 | ![]() | 1259 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | SUD80460 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | - | (1 (无限) | 742-SUD80460E-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 150 v | 42A(TC) | 10V | 44.7mohm @ 8.3a,10v | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 560 pf @ 50 V | - | 65.2W(TC) | |||||
![]() | IRFR110TRPBF-BE3 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR110 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | - | (1 (无限) | 742-IRFR110TRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 100 v | 4.3A(TC) | 10V | 540MOHM @ 2.6A,10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | |||||
![]() | SUD19N20-90-BE3 | 3.0700 | ![]() | 4940 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | SUD19 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | - | (1 (无限) | 742-SUD19N20-90-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 200 v | 19a(tc) | 6V,10V | 90MOHM @ 5A,10V | 4V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±20V | 1800 pf @ 25 V | - | (3W)(136w(ta)(TC) | |||||
![]() | IRFR310TRPBF-BE3 | 1.1700 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR310 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | - | (1 (无限) | 742-IRFR310TRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 400 v | 1.7A(TC) | 10V | 3.6OHM @ 1A,10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | |||||
![]() | SUD90330E-BE3 | 1.5800 | ![]() | 8916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | SUD90330 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | - | (1 (无限) | 742-SUD90330E-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 200 v | 35.8A(TC) | 7.5V,10V | 37.5MOHM @ 12.2a,10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±20V | 1172 PF @ 100 V | - | 125W(TC) | |||||
![]() | IRFR9310TRLPBF-BE3 | 1.5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR9310 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 400 v | 1.8A(TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a,10v | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||
![]() | SQ2398ES-T1_BE3 | 0.6300 | ![]() | 4432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SQ2398 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | - | (1 (无限) | 742-SQ2398ES-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 1.6A(TC) | 10V | 300MOHM @ 1.5A,10V | 3.5V @ 250µA | 3.4 NC @ 10 V | ±20V | 152 PF @ 50 V | - | 2W(TC) | |||||
![]() | SIHA21N80AE-GE3 | 2.8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | Siha21 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SIHA21N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 7.5A(TC) | 10V | 235mohm @ 11a,10v | 4V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±30V | 1388 pf @ 100 V | - | 33W(TC) | ||||
SQJ912DEP-T1_GE3 | 1.0500 | ![]() | 2950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ912 | MOSFET (金属 o化物) | 27W(TC) | POWERPAK®SO-8 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 40V | 30A(TC) | 7.3MOHM @ 7A,10V | 2.5V @ 250µA | 36NC @ 10V | - | - | |||||||
![]() | SQJ142EP-T1_GE3 | 1.1200 | ![]() | 3403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SQJ142 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SQJ142EP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 167a(TC) | 10V | 3.6mohm @ 15a,10v | 3.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 2650 pf @ 25 V | - | 191W(TC) | ||||
![]() | SIHA17N80AE-GE3 | 2.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | Siha17 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SIHA17N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 800 v | 7A(TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A,10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ±30V | 1260 pf @ 100 V | - | 34W(TC) | ||||
![]() | SIHB17N80AE-GE3 | 4.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIHB17 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SIHB17N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 15A(TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A,10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ±30V | 1260 pf @ 100 V | - | 179W(TC) | ||||
![]() | SIDR170DP-T1-RE3 | 2.5800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SIDR170 | MOSFET (金属 o化物) | POWERPAK®SO-8DC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SIDR170DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 23.2A(ta),95a(tc) | 4.5V,10V | 4.8mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ±20V | 6195 PF @ 50 V | - | 6.25W(TA),125W((((((((((( |
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