SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SQ2303ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2303ES-T1_BE3 0.5300
RFQ
ECAD 658 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SQ2303 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 (1 (无限) 742-SQ2303ES-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 2.5A(TC) 4.5V,10V 170MOHM @ 1.7A,10V 2.5V @ 250µA 6.8 NC @ 10 V ±20V 210 pf @ 25 V - 1.9W(TC)
SQ4920EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4920EY-T1_BE3 1.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SQ4920 MOSFET (金属 o化物) 4.4W(TC) 8-SOIC 下载 (1 (无限) 742-SQ4920EY-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 8A(TC) 14.5MOHM @ 6A,10V 2.5V @ 250µA 30nc @ 10V 1465pf @ 15V -
SQ4532AEY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4532AEY-T1_BE3 0.8700
RFQ
ECAD 629 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SQ4532 MOSFET (金属 o化物) 3.3W(TC) 8-SOIC - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 7.3A(TC),5.3a tc) 31mohm @ 4.9a,10v,70Mohm @ 3.5a,10v 2.5V @ 250µA 7.8NC @ 10V,10.2NC @ 10V 535pf @ 15V,528pf @ 15V -
SQS460EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS460EN-T1_BE3 1.2900
RFQ
ECAD 63 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SQS460 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 (1 (无限) 742-SQS460EN-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 8A(TC) 4.5V,10V 36mohm @ 5.3a,10v 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 755 pf @ 25 V - 39W(TC)
SQ2348ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2348ES-T1_BE3 0.6700
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SQ2348 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 8A(TC) 4.5V,10V 24mohm @ 12a,10v 2.5V @ 250µA 14.5 NC @ 10 V ±20V 540 pf @ 15 V - 3W(TC)
SQ2318AES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2318AES-T1_BE3 0.6000
RFQ
ECAD 57 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SQ2318 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 8A(TC) 4.5V,10V 31MOHM @ 7.9A,10V 2.5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 553 pf @ 20 V - 3W(TC)
SQ4050EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4050EY-T1_BE3 1.0500
RFQ
ECAD 390 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SQ4050 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 19a(tc) 4.5V,10V 8mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 51 NC @ 10 V ±20V 2406 pf @ 20 V - 6W(TC)
SI2336DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2336DS-T1-BE3 0.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2336 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 4.3A(ta),5.2a(tc) 1.8V,4.5V 42MOHM @ 3.8A,4.5V 1V @ 250µA 15 NC @ 8 V ±8V 560 pf @ 15 V - 1.25W(TA),1.8W(tc)
SQ2389ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2389ES-T1_BE3 0.6900
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SQ2389 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 4.1A(TC) 4.5V,10V 94mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 420 pf @ 20 V - 3W(TC)
SQS484EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS484EN-T1_BE3 0.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SQS484 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 16A(TC) 4.5V,10V 9MOHM @ 16.4a,10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 1855 pf @ 25 V - 62W(TC)
SQ3481EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3481EV-T1_BE3 0.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SQ3481 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 (1 (无限) 742-SQ3481EV-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 7.5A(TC) 4.5V,10V 43mohm @ 5.3a,10v 2.5V @ 250µA 23.5 NC @ 10 V ±20V 870 pf @ 15 V - 4W(TC)
SQ4949EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4949EY-T1_BE3 1.6100
RFQ
ECAD 7212 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SQ4949 MOSFET (金属 o化物) 3.3W(TC) 8-SOIC 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 2(p 通道(双) 30V 7.5A(TC) 35mohm @ 5.9a,10v 2.5V @ 250µA 30nc @ 10V 1020pf @ 25V -
SQ2315ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2315ES-T1_BE3 0.6000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SQ2315 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) - (1 (无限) 742-SQ2315ES-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 5A(TC) 1.8V,4.5V 50mohm @ 3.5A,4.5V 1V @ 250µA 13 NC @ 4.5 V ±8V 870 pf @ 6 V - 2W(TC)
SQJA60EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJA60EP-T1_BE3 1.1100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJA60 MOSFET (金属 o化物) POWERPAK®SO-8 - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 30A(TC) 4.5V,10V 12.5mohm @ 8a,10v 2.5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 25 V - 45W(TC)
IRF730PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF730pbf-be3 1.5700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF730 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 (1 (无限) 742-IRF730PBF-BE3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 400 v 5.5A(TC) 10V 1欧姆 @ 3A,10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 25 V - 74W(TC)
IRFR014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR014TRPBF-BE3 1.0000
RFQ
ECAD 155 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR014 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA - (1 (无限) 742-IRFR014TRPBF-BE3TR Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 7.7A(TC) 10V 200mohm @ 4.6A,10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 300 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
SUD25N15-52-BE3 Vishay Siliconix SUD25N15-52-BE3 2.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 SUD25 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA - (1 (无限) 742-SUD25N15-52-BE3CT Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 150 v 25A(TC) 6V,10V 52MOHM @ 5A,10V 4V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1725 PF @ 25 V - (3W)(136w(ta)(TC)
SUD80460E-BE3 Vishay Siliconix SUD80460E-BE3 0.9700
RFQ
ECAD 1259 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 SUD80460 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA - (1 (无限) 742-SUD80460E-BE3 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 150 v 42A(TC) 10V 44.7mohm @ 8.3a,10v 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±20V 560 pf @ 50 V - 65.2W(TC)
IRFR110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR110TRPBF-BE3 1.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR110 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA - (1 (无限) 742-IRFR110TRPBF-BE3TR Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 100 v 4.3A(TC) 10V 540MOHM @ 2.6A,10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±20V 180 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
SUD19N20-90-BE3 Vishay Siliconix SUD19N20-90-BE3 3.0700
RFQ
ECAD 4940 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 SUD19 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA - (1 (无限) 742-SUD19N20-90-BE3TR Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 200 v 19a(tc) 6V,10V 90MOHM @ 5A,10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 25 V - (3W)(136w(ta)(TC)
IRFR310TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR310TRPBF-BE3 1.1700
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR310 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA - (1 (无限) 742-IRFR310TRPBF-BE3TR Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 400 v 1.7A(TC) 10V 3.6OHM @ 1A,10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 170 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
SUD90330E-BE3 Vishay Siliconix SUD90330E-BE3 1.5800
RFQ
ECAD 8916 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 SUD90330 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA - (1 (无限) 742-SUD90330E-BE3TR Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 200 v 35.8A(TC) 7.5V,10V 37.5MOHM @ 12.2a,10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 V ±20V 1172 PF @ 100 V - 125W(TC)
IRFR9310TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR9310TRLPBF-BE3 1.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR9310 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 400 v 1.8A(TC) 10V 7ohm @ 1.1a,10v 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 270 pf @ 25 V - 50W(TC)
SQ2398ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2398ES-T1_BE3 0.6300
RFQ
ECAD 4432 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SQ2398 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) - (1 (无限) 742-SQ2398ES-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 1.6A(TC) 10V 300MOHM @ 1.5A,10V 3.5V @ 250µA 3.4 NC @ 10 V ±20V 152 PF @ 50 V - 2W(TC)
SIHA21N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHA21N80AE-GE3 2.8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 Siha21 MOSFET (金属 o化物) TO-220完整包 - rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SIHA21N80AE-GE3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 7.5A(TC) 10V 235mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±30V 1388 pf @ 100 V - 33W(TC)
SQJ912DEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ912DEP-T1_GE3 1.0500
RFQ
ECAD 2950 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ912 MOSFET (金属 o化物) 27W(TC) POWERPAK®SO-8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 40V 30A(TC) 7.3MOHM @ 7A,10V 2.5V @ 250µA 36NC @ 10V - -
SQJ142EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ142EP-T1_GE3 1.1200
RFQ
ECAD 3403 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SQJ142 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SQJ142EP-T1_GE3TR Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 40 V 167a(TC) 10V 3.6mohm @ 15a,10v 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 2650 pf @ 25 V - 191W(TC)
SIHA17N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHA17N80AE-GE3 2.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 Siha17 MOSFET (金属 o化物) TO-220完整包 - rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SIHA17N80AE-GE3 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 800 v 7A(TC) 10V 290MOHM @ 8.5A,10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±30V 1260 pf @ 100 V - 34W(TC)
SIHB17N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB17N80AE-GE3 4.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIHB17 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) - rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SIHB17N80AE-GE3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 15A(TC) 10V 290MOHM @ 8.5A,10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±30V 1260 pf @ 100 V - 179W(TC)
SIDR170DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR170DP-T1-RE3 2.5800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SIDR170 MOSFET (金属 o化物) POWERPAK®SO-8DC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SIDR170DP-T1-RE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 23.2A(ta),95a(tc) 4.5V,10V 4.8mohm @ 20a,10v 2.5V @ 250µA 140 NC @ 10 V ±20V 6195 PF @ 50 V - 6.25W(TA),125W(((((((((((
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库