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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHP17N60D-E3	1.7493	RFQ	4844	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP17N60DE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	17a（TC）	10V	340MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	1780 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
VQ1006P-2	-	RFQ	5878	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	-	VQ1006	MOSFET （金属 o化物）	2W	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	4 n通道		90V	400mA		4.5OHM @ 1A，10V	2.5V @ 1mA	-		60pf @ 25V	逻辑级别门
SI4890BDY-T1-E3	-	RFQ	6520	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4890	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±25V	1535 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
SIHH100N60E-T1-GE3	3.6787	RFQ	1880年	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH100	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	28a（TC）	10V	100mohm @ 13.5a，10v	5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 100 V	-	174W（TC）
SI4814BDY-T1-GE3	-	RFQ	8091	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4814	MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	10a，10.5a		18mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF644PBF	1.7300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF644PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI3983DV-T1-E3	-	RFQ	5709	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3983	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.1a		110MOHM @ 2.5a，4.5V	1.1V @ 250µA	7.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFZ14	-	RFQ	6678	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ14	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SI4500BDY-T1-GE3	-	RFQ	7817	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4500	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		20V	6.6a，3.8a		20mohm @ 9.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4668DY-T1-E3	-	RFQ	9051	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4668	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	16.2A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 15A，10V	2.6V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±16V	1654 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SIRA90DP-T1-RE3	1.5500	RFQ	13	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira90	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.8MOHM @ 20a，10v	2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	+20V，-16V	10180 pf @ 15 V	-	104W（TC）
SI2366ds-T1-GE3	0.4600	RFQ	1291	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2366	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	5.8A（TC）	10V	36mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	335 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），2.1W（TC）
SI1926DL-T1-E3	0.4100	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1926	MOSFET （金属 o化物）	510MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	370mA		1.4OHM @ 340mA，10V	2.5V @ 250µA	1.4NC @ 10V		18.5pf @ 30V	逻辑级别门
SI5853CDC-T1-E3	-	RFQ	3250	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5853	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4A（TC）	1.8V，4.5V	104mohm @ 2.5A，4.5V	1V @ 250µA	11 NC @ 8 V	±8V	350 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.5W（TA），3.1W（TC）
IRLR120TRPBF	1.6500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	7.7A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI8435DB-T1-E1	-	RFQ	2179	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8435	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	10A（TC）	1.5V，4.5V	41MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±5V	1600 PF @ 10 V	-	2.78W（ta），6.25W（tc）
IRFZ44RPBF	2.8100	RFQ	6719	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFZ44RPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF840LCSPBF	1.5567	RFQ	8924	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SIR414DP-T1-GE3	1.6400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir414	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	117 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 20 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI4830CDY-T1-GE3	-	RFQ	2801	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4830	MOSFET （金属 o化物）	2.9W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	8a		20mohm @ 8a，10v	3V @ 1mA	25nc @ 10V		950pf @ 15V	逻辑级别门
SI7940DP-T1-E3	-	RFQ	9697	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7940	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		12V	7.6a		17mohm @ 11.8a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF9620pbf	1.6800	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9620pbf	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFBE30L	-	RFQ	7369	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBE30	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBE30L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	4.1A（TC）	10V	3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIHG17N80E-GE3	5.4100	RFQ	9174	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG17	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2408 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI2316BDS-T1-E3	0.5900	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2316	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 3.9a，10v	3V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.66W（tc）
IRFI640GPBF	3.6700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI640GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9.8A（TC）	10V	180mohm @ 5.9a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRL530STRR	-	RFQ	5589	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	15A（TC）	4V，5V	160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SI6928DQ-T1-GE3	-	RFQ	7157	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6928	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	4a		35mohm @ 4A，10V	1V @ 250µA	14NC @ 5V		-	逻辑级别门
IRFS9N60A	-	RFQ	8102	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFS9N60A	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRF740STRLPBF	2.8000	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²