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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRLIZ14GPBF	1.9400	RFQ	1407	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLIZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRLIZ14GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	8A（TC）	4V，5V	200mohm @ 4.8A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SI9926BDY-T1-GE3	-	RFQ	6712	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9926	MOSFET （金属 o化物）	1.14W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		20V	6.2a		20mohm @ 8.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SUP40012EL-GE3	2.3400	RFQ	7391	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP40012	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	150a（TC）	4.5V，10V	1.79MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	10930 PF @ 20 V	-	150W（TC）
SIA906EDJ-T1-GE3	0.6200	RFQ	115	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA906	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.5a		46mohm @ 3.9a，4.5V	1.4V @ 250µA	12nc @ 10V		350pf @ 10V	逻辑级别门
V30410-T1-GE3	-	RFQ	2846	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				V30410				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	3,000
SQD50N05-11L_GE3	1.7000	RFQ	952	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	50 V	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 45a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2106 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRF9Z10PBF	1.6300	RFQ	958	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9Z10PBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SI1046R-T1-GE3	-	RFQ	2205	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1046	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	606ma（ta）	1.8V，4.5V	420MOHM @ 606mA，4.5V	950mv @ 250µA	1.49 NC @ 5 V	±8V	66 pf @ 10 V	-	250MW（TA）
SIR638DP-T1-GE3	1.6600	RFQ	3258	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir638	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	204 NC @ 10 V	+20V，-16V	10500 PF @ 20 V	-	104W（TC）
IRFR9120Trl	-	RFQ	7811	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	5.6A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI5480DU-T1-E3	-	RFQ	5994	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5480	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 7.2a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1230 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SI1488DH-T1-E3	-	RFQ	2035	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1488	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6.1A（TC）	1.8V，4.5V	49MOHM @ 4.6A，4.5V	950mv @ 250µA	10 NC @ 5 V	±8V	530 pf @ 10 V	-	1.5W（ta），2.8W（TC）
SIS892DN-T1-GE3	1.5900	RFQ	8714	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS892	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	30A（TC）	4.5V，10V	29mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	±20V	611 pf @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SQJ446EP-T1_GE3	0.6209	RFQ	7490	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ446	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	4220 PF @ 20 V	-	46W（TC）
SIHA14N60E-E3	2.3700	RFQ	2678	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
SI7882DP-T1-GE3	-	RFQ	3629	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7882	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	13A（TA）	2.5V，4.5V	5.5MOHM @ 17A，4.5V	1.4V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.9W（TA）
SI7850DP-T1-GE3	2.0000	RFQ	2541	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7850	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 10.3a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V		-	1.8W（TA）
IRFPC50LCPBF	4.0688	RFQ	4345	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPC50LCPBF	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	11A（TC）	10V	600mohm @ 6.6a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	190w（TC）
SQD15N06-42L_T4GE3	0.9400	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-SQD15N06-42L_T4GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	15A（TC）	4.5V，10V	42mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	535 pf @ 25 V	-	37W（TC）
IRFZ24L	-	RFQ	7664	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFZ24	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFZ24L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SI4816BDY-T1-E3	1.6400	RFQ	4884	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4816	MOSFET （金属 o化物）	1W，1.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.8a，8.2a		18.5mohm @ 6.8a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 5V		-	逻辑级别门
SI4931DY-T1-E3	1.2300	RFQ	8988	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4931	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		12V	6.7a		18mohm @ 8.9a，4.5V	1V @ 350µA	52nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SISH116DN-T1-GE3	1.7000	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH116	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	10.5a（ta）	4.5V，10V	7.8mohm @ 16.4a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SQA405CEJW-T1_GE3	0.4800	RFQ	435	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	6-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	9A（TC）	4.5V，10V	39.5MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	13.6W（TC）
SIHB068N60EF-GE3	5.5500	RFQ	700	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SIHB068	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHB068N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	41A（TC）	10V	68mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±30V	2628 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI5402DC-T1-E3	-	RFQ	8823	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5402	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.9a（ta）	4.5V，10V	35MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA（250µA）	20 nc @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
IRFPC48	-	RFQ	6967	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC48	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	8.9a（TC）	10V	820MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SI4410BDY-T1-GE3	-	RFQ	4964	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4410	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	7.5A（ta）	10V	13.5MOHM @ 10A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V		-	1.4W（TA）
SIDR626DP-T1-RE3	2.9100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	42.8A（TA），100A（tc）	6V，10V	1.7MOHM @ 20A，10V	3.4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5130 PF @ 30 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SI7613DN-T1-GE3	1.0700	RFQ	52	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7613	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	35A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 17a，10v	2.2V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±16V	2620 PF @ 10 V	-	3.8W（TA），52.1W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²