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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIJA52ADP-T1-GE3	1.3900	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA52	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	41.6A（TA），131A （TC）	4.5V，10V	1.63mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	+20V，-16V	5500 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
SISS46DN-T1-GE3	1.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS46	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	12.5A（ta），45.3a （TC）	7.5V，10V	12.8mohm @ 10a，10v	3.4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2140 pf @ 50 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SIHB180N60E-GE3	1.7861	RFQ	2921	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB180	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	19a（tc）	10V	180MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1085 pf @ 100 V	-	156W（TC）
SIHG35N60EF-GE3	6.8300	RFQ	7934	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG35	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	32A（TC）	10V	97mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±30V	2568 PF @ 100 V	-	250W（TC）
sihp35n60ef-ge3	6.3500	RFQ	6869	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	sihp35	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	32A（TC）	10V	97mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±30V	2568 PF @ 100 V	-	250W（TC）
IRFC430	-	RFQ	8663	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	-	-	IRFC430	-		-	-		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1		-		-	-	-	-		-		-	-
SIZF300DT-T1-GE3	1.2000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF300	MOSFET （金属 o化物）	3.8W（TA），48w（tc），4.3W（ta（74W）（74W（tc）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	23A（23A），75A（tc（34a ta），141a （TC）		4.5MOHM @ 10A，10V，1.84MOHM @ 10A，10V	2.2V @ 250µA	22nc @ 10v，62nc @ 10V		1100pf @ 15V，3150pf @ 15V	-
SIJA72ADP-T1-GE3	0.9800	RFQ	9754	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA72	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	27.9a（ta），96A（tc）	4.5V，10V	3.42MOHM @ 10A，10V	2.4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	+20V，-16V	2530 PF @ 20 V	-	4.8W（TA），56.8W（tc）
SIHG050N60E-GE3	9.8200	RFQ	8120	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG050	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	51A（TC）	10V	50MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	3459 pf @ 100 V	-	278W（TC）
SIHP050N60E-GE3	9.3000	RFQ	4125	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP050	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	51A（TC）	10V	50MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	3459 pf @ 100 V	-	278W（TC）
SISH625DN-T1-GE3	0.6300	RFQ	8685	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH625	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	17.3a（ta），35a （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	4427 PF @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SISS08DN-T1-GE3	1.1400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS08	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	53.9a（ta），195.5a （TC）	4.5V，10V	1.23mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	82 NC @ 10 V	+20V，-16V	3670 pf @ 12.5 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SIHA120N60E-GE3	5.2500	RFQ	3707	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHA120	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	25A（TC）	10V	120mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1562 PF @ 100 V	-	34W（TC）
SIHB100N60E-GE3	5.0700	RFQ	345	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB100	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	30A（TC）	10V	100mohm @ 13A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1851 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SIHG100N60E-GE3	6.5600	RFQ	392	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG100	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	30A（TC）	10V	100mohm @ 13A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1851 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SIHG120N60E-GE3	3.4093	RFQ	6192	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG120	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	25A（TC）	10V	120mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1562 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SIHH100N60E-T1-GE3	3.6787	RFQ	1880年	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH100	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	28a（TC）	10V	100mohm @ 13.5a，10v	5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 100 V	-	174W（TC）
SIHP100N60E-GE3	4.9900	RFQ	9474	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP100	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	30A（TC）	10V	100mohm @ 13A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1851 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SIA907EDJ-T4-GE3	-	RFQ	8775	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-	SIA907	-	-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000	-		-	-		-	-	-		-	-
SUC85N15-19DWF	-	RFQ	5169	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-	-	-	SUC85	-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1		-		-	-	-	-		-		-	-
SIJ438ADP-T1-GE3	1.6500	RFQ	7316	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij438	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	45.3a（TA），169a （TC）	4.5V，10V	1.35MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	162 NC @ 10 V	+20V，-16V	7800 PF @ 20 V	-	5W（5W），69.4W（TC）
SIJA58ADP-T1-GE3	0.9800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA58	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	32.3a（TA），109a （TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	+20V，-16V	3030 pf @ 20 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
SUM50010E-GE3	3.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	条	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum50010	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	150a（TC）	7.5V，10V	1.75mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	212 NC @ 10 V	±20V	10895 pf @ 30 V	-	375W（TC）
SUP70030E-GE3	3.3600	RFQ	321	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP70030	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	150a（TC）	7.5V，10V	3.18mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	214 NC @ 10 V	±20V	10870 pf @ 50 V	-	375W（TC）
SIHB120N60E-GE3	5.2400	RFQ	984	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB120	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	25A（TC）	10V	120mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1562 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SIR608DP-T1-RE3	1.6400	RFQ	6679	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir608	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	45 v	51A（ta），208a （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	167 NC @ 10 V	+20V，-16V	8900 PF @ 20 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SISH101DN-T1-GE3	0.7700	RFQ	22	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH101	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	16.9a（ta），35a （TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±25V	3595 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SIUD401ED-T1-GE3	0.4300	RFQ	8874	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®0806	SIUD401	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®0806	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	500mA（ta）	2.5V，10V	1.573OHM @ 200mA，10v	1.4V @ 250µA	2 NC @ 10 V	±12V	33 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
SISH114ADN-T1-GE3	0.7700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH114	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	18A（18A），35A （TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 18A，10V	2.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1230 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），39W（tc）
SIZF920DT-T1-GE3	1.9000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF920	MOSFET （金属 o化物）	3.9W（TA），28W tc（TC），4.5W（ta（74W ta）（74W tc）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	28a（28a），76a （TC），49A（ta（197a t c）（TC）		3.07mohm @ 10a，10v，1.05Mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA	29nc @ 10v，125nc @ 10V		1300pf @ 15V，5230pf @ 15V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²