RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFP360LC	-	RFQ	3655	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP360	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP360LC	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	400 v	23A（TC）	10V	200mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	3400 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SIB412DK-T1-E3	-	RFQ	7233	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB412	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	9A（TC）	1.8V，4.5V	34mohm @ 6.6a，4.5V	1V @ 250µA	10.16 NC @ 5 V	±8V	535 pf @ 10 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
SI4563DY-T1-E3	-	RFQ	6498	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4563	MOSFET （金属 o化物）	3.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	8a		16mohm @ 5A，10V	2V @ 250µA	85nc @ 10V		2390pf @ 20V	-
SIHP11N80AE-GE3	2.0300	RFQ	818	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	804 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SIR106DP-T1-RE3	1.7800	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir106	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	16.1a（TA），65.8a tc）	7.5V，10V	8mohm @ 15a，10v	3.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 50 V	-	3.2W（TA），83.3W（tc）
SIB900EDK-T1-GE3	-	RFQ	2706	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-75-6L双重	SIB900	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	POWERPAK®SC-75-6L双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1.5a		225mohm @ 1.6A，4.5V	1V @ 250µA	1.7NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFR9110TRPBF	1.2300	RFQ	12	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7457DP-T1-GE3	-	RFQ	5811	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7457	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	28a（TC）	6V，10V	42MOHM @ 7.9A，10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	5230 PF @ 50 V	-	5.2W（ta），83.3W（tc）
SQJ952EP-T1_BE3	1.1400	RFQ	9816	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ952	MOSFET （金属 o化物）	25W（TC）	PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ952EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	23A（TC）		20mohm @ 10.3a，10v	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		1800pf @ 30V	-
SIR870ADP-T1-GE3	2.0900	RFQ	5138	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir870	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	60a（TC）	4.5V，10V	6.6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	2866 PF @ 50 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
IRF730ASTRLPBF	1.3579	RFQ	1159	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIHG47N60E-E3	9.7500	RFQ	485	Vishay Siliconix	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHG47N60EE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	47A（TC）	10V	64mohm @ 24a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±30V	9620 PF @ 100 V	-	357W（TC）
SIE864DF-T1-GE3	-	RFQ	3559	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（U）	Sie864	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（U）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	45A（TC）	4.5V，10V	5.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1510 pf @ 15 V	-	5.2W（TA），25W（25W）TC）
SQ4961EY-T1_GE3	1.6500	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4961	MOSFET （金属 o化物）	3.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		60V	4.4A（TC）		85MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 250µA	40NC @ 10V		1140pf @ 25V	-
IRFL9110TR	-	RFQ	7383	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	1.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 660mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
irfu9024pbf	1.6400	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9024	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu9024pbf	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
irfr9020pbf	1.8700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IRFR014TRPBF	1.0000	RFQ	424	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	7.7A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFR9214PBF	1.5500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfr9214pbf	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI4660DY-T1-GE3	-	RFQ	7935	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4660	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	23.1a（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±16V	2410 pf @ 15 V	-	3.1W（ta），5.6W（TC）
SI7315DN-T1-GE3	1.2600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7315	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	8.9a（TC）	7.5V，10V	315MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	880 pf @ 75 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SIR462DP-T1-GE3	1.1800	RFQ	2837	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir462	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	7.9Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1155 pf @ 15 V	-	4.8W（TA），41.7W（tc）
SI4599DY-T1-GE3	0.9100	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4599	MOSFET （金属 o化物）	3W，3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	6.8a，5.8a		35.5MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		640pf @ 20V	逻辑级别门
SIHB24N65ET1-GE3	3.7126	RFQ	2884	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2740 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SQJ946EP-T1_GE3	0.9100	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ946	MOSFET （金属 o化物）	27W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	15A（TC）		33mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		600pf @ 25V	-
IRF734	-	RFQ	1421	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF734	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF734	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	4.9A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI2309CDS-T1-GE3	0.5500	RFQ	83	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2309	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	1.6A（TC）	4.5V，10V	345MOHM @ 1.25A，10V	3V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	210 pf @ 30 V	-	1W（1W），1.7W（TC）
IRF734L	-	RFQ	3534	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF734	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF734L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	4.9A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	-
SI4322DY-T1-E3	-	RFQ	7011	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4322	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	18A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1640 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），5.4W（TC）
IRF740LCl	-	RFQ	7398	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF740LCL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²