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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI2316BDS-T1-E3	0.5900	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2316	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 3.9a，10v	3V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.66W（tc）
IRFI640GPBF	3.6700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI640GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9.8A（TC）	10V	180mohm @ 5.9a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRL530STRR	-	RFQ	5589	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	15A（TC）	4V，5V	160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SI6928DQ-T1-GE3	-	RFQ	7157	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6928	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	4a		35mohm @ 4A，10V	1V @ 250µA	14NC @ 5V		-	逻辑级别门
IRFS9N60A	-	RFQ	8102	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFS9N60A	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRF740STRLPBF	2.8000	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRFZ40	-	RFQ	5889	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ40	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）
irfr024trr	-	RFQ	7181	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SUD20N10-66L-GE3	0.8500	RFQ	1072	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD20	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	16.9a（TC）	4.5V，10V	66mohm @ 6.6a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 50 V	-	2.1W（ta），41.7W（tc）
SIE820DF-T1-GE3	2.4200	RFQ	730	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	Sie820	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	2.5V，4.5V	3.5MOHM @ 18A，4.5V	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±12V	4300 PF @ 10 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SIHB22N60E-E3	2.1756	RFQ	7945	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHB22N60EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SQS405ENW-T1_GE3	1.1100	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS405	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	16A（TC）	2.5V，4.5V	20mohm @ 13.5a，4.5V	1V @ 250µA	75 NC @ 8 V	±8V	2650 pf @ 6 V	-	39W（TC）
SQJQ148E-T1_GE3	2.3700	RFQ	3705	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ148	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJQ148E-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	375a（TC）	10V	1.6mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	4930 PF @ 25 V	-	325W（TC）
IRLR110	-	RFQ	2708	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRLR110	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFR110TRPBF	1.0000	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI4200DY-T1-GE3	-	RFQ	5117	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4200	MOSFET （金属 o化物）	2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		25V	8a		25mohm @ 7.3a，10v	2.2V @ 250µA	12nc @ 10V		415pf @ 13V	逻辑级别门
SUM60020E-GE3	3.1100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SUM60020	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	80 V	150a（TC）	7.5V，10V	2.1MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	227 NC @ 10 V	±20V	10680 pf @ 40 V	-	375W（TC）
irlr120trl	-	RFQ	5658	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.7A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
irlr014tr	-	RFQ	1152	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	7.7A（TC）	4V，5V	200mohm @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7469DP-T1-E3	2.6600	RFQ	74	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7469	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	28a（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 10.2a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 40 V	-	5.2W（ta），83.3W（tc）
SQ2318AES-T1_BE3	0.6000	RFQ	57	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2318	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	8A（TC）	4.5V，10V	31MOHM @ 7.9A，10V	2.5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	553 pf @ 20 V	-	3W（TC）
IRFP31N50LPBF	7.6600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP31	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP31N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	31a（TC）	10V	180mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±30V	5000 pf @ 25 V	-	460W（TC）
SIHF9540S-GE3	0.7826	RFQ	6105	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF9540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHF9540S-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI5418DU-T1-GE3	1.3200	RFQ	659	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5418	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	14.5MOHM @ 7.7A，10V	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
IRFBC20PBF	1.4000	RFQ	9	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfbc20pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SUD50N03-11-E3	-	RFQ	4647	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 25a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	20 nc @ 5 V	±20V	1130 PF @ 25 V	-	7.5W（ta），62.5W（TC）
SI3434DV-T1-E3	-	RFQ	8745	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3434	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	34mohm @ 6.1a，4.5V	600mv @ 1mA （最小）	12 nc @ 4.5 V	±12V		-	1.14W（TA）
IRF3205ZSTRR	-	RFQ	6474	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF3205	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	55 v	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 66A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRF9620	-	RFQ	2169	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9620	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SUM90N06-4M4P-E3	-	RFQ	3536	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	90A（TC）	10V	4.4mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	6190 pf @ 30 V	-	3.75W（TA），300W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²