SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
IRFD420 Vishay Siliconix IRFD420 -
RFQ
ECAD 2976 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) IRFD420 MOSFET (金属 o化物) 4-HVMDIP 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFD420 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 500 v 370mA(ta) 10V 3ohm @ 220mA,10v 4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 360 pf @ 25 V - 1W(ta)
SQJ980AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ980AEP-T1_GE3 1.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TA) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ980 MOSFET (金属 o化物) 34W(TC) POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 75V 17a(TC) 50MOHM @ 3.8A,10V 2.5V @ 250µA 21NC @ 10V 790pf @ 35V -
SI4451DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4451DY-T1-E3 1.3041
RFQ
ECAD 8046 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4451 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 12 v 10a(10a) 1.8V,4.5V 8.25mohm @ 14A,4.5V 800mv @ 850µA 120 NC @ 4.5 V ±8V - 1.5W(TA)
SUM110N04-03-E3 Vishay Siliconix SUM110N04-03-E3 -
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB sum110 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 110A(TC) 10V 2.8mohm @ 30a,10v 4V @ 250µA 250 NC @ 10 V ±20V 8250 pf @ 25 V - 3.75W(TA),375W(tc)
IRF644N Vishay Siliconix IRF644N -
RFQ
ECAD 2838 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF644 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRF644N Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 14A(TC) 10V 240MOHM @ 8.4a,10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V 1060 pf @ 25 V - 150W(TC)
IRFP460LCPBF Vishay Siliconix IRFP460LCPBF 5.3900
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRFP460LCPBF Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 20A(TC) 10V 270MOHM @ 12A,10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±30V 3600 PF @ 25 V - 280W(TC)
SI3474DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3474DV-T1-GE3 0.4400
RFQ
ECAD 5694 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3474 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3.8A(TC) 4.5V,10V 126mohm @ 2a,10v 3V @ 250µA 10.4 NC @ 10 V ±20V 196 pf @ 50 V - 3.6W(TC)
SI4122DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4122DY-T1-GE3 2.3500
RFQ
ECAD 9977 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4122 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 27.2A(TC) 4.5V,10V 4.5MOHM @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±25V 4200 PF @ 20 V - (3w(ta),6w(tc)
SI7454DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7454DP-T1-E3 2.0000
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7454 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 5A(5A) 6V,10V 34mohm @ 7.8A,10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V - 1.9W(TA)
IRL640S Vishay Siliconix IRL640S -
RFQ
ECAD 5588 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRL640 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRL640S Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 17a(TC) 4V,5V 180mohm @ 10a,5v 2V @ 250µA 66 NC @ 5 V ±10V 1800 pf @ 25 V - 3.1W(ta),125W(tc)
SI4892DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4892DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1612 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4892 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 8.8a(ta) 4.5V,10V 12mohm @ 12.4a,10v 800mv @ 250µA(250µA) 10.5 NC @ 5 V ±20V - 1.6W(TA)
IRFR9010TRPBF Vishay Siliconix IRFR9010TRPBF 1.0600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR9010 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 50 V 5.3A(TC) 10V 500MOHM @ 2.8a,10V 4V @ 250µA 9.1 NC @ 10 V ±20V 240 pf @ 25 V - 25W(TC)
SIHB053N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB053N60E-GE3 6.3800
RFQ
ECAD 912 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SIHB053N60E-GE3 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 47A(TC) 10V 54mohm @ 26.5A,10V 5V @ 250µA 92 NC @ 10 V ±30V 3722 PF @ 100 V - 278W(TC)
SI1032X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1032X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5713 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-89,SOT-490 SI1032 MOSFET (金属 o化物) SC-89-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 200ma(ta) 1.5V,4.5V 5ohm @ 200ma,4.5V 1.2V @ 250µA 0.75 NC @ 4.5 V ±6V - 300MW(TA)
SI5515DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5515DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8255 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5515 MOSFET (金属 o化物) 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 4.4a,3a 40mohm @ 4.4a,4.5V 1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SQ3989EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3989EV-T1_GE3 0.6000
RFQ
ECAD 2652 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SQ3989 MOSFET (金属 o化物) 1.67W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 30V 2.5A(TC) 155mohm @ 400mA,10v 1.5V @ 250µA 11.1nc @ 10V - -
IRF830ASPBF Vishay Siliconix IRF830ASPBF 2.2000
RFQ
ECAD 776 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF830 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRF830ASPBF Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 5A(TC) 10V 1.4OHM @ 3A,10V 4.5V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±30V 620 pf @ 25 V - 3.1W(ta),74W(tc)
SI4466DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4466DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5587 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4466 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 20 v 9.5A(TA) 2.5V,4.5V 9MOHM @ 13.5a,4.5V 1.4V @ 250µA 60 NC @ 4.5 V ±12V - 1.5W(TA)
SQM40081EL_GE3 Vishay Siliconix SQM40081EL_GE3 1.7900
RFQ
ECAD 8318 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SQM40081 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 P通道 40 V 50A(TC) 4.5V,10V 8.5mohm @ 25a,10v 2.5V @ 250µA 230 NC @ 10 V ±20V 9950 PF @ 25 V - 107W(TC)
SI8415DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8415DB-T1-E1 -
RFQ
ECAD 9867 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-XFBGA,CSPBGA SI8415 MOSFET (金属 o化物) 4微米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 5.3a(ta) 1.8V,4.5V 37MOHM @ 1A,4.5V 1V @ 250µA 30 NC @ 4.5 V ±8V - 1.47W(TA)
SIRA52DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA52DP-T1-GE3 1.3900
RFQ
ECAD 9699 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sira52 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 60a(TC) 4.5V,10V 1.7MOHM @ 15A,10V 2.4V @ 250µA 150 NC @ 10 V +20V,-16V 7150 pf @ 20 V - 48W(TC)
SI8472DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8472DB-T2-E1 0.5600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-ufbga SI8472 MOSFET (金属 o化物) 4-microfoot®(1x1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 3.3a(ta) 1.5V,4.5V 44mohm @ 1.5A,4.5V 900mv @ 250µA 18 nc @ 8 V ±8V 630 pf @ 10 V - 780MW(TA)
IRC640PBF Vishay Siliconix IRC640pbf -
RFQ
ECAD 9424 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-5 IRC640 MOSFET (金属 o化物) TO-220-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 *IRC640pbf Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 18A(TC) 10V 180mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V 电流感应 125W(TC)
IRFR010TRPBF Vishay Siliconix IRFR010TRPBF 0.6218
RFQ
ECAD 4260 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR010 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 50 V 8.2A(TC) 10V 200mohm @ 4.6A,10V 4V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 250 pf @ 25 V - 25W(TC)
IRFBC30AS Vishay Siliconix IRFBC30AS -
RFQ
ECAD 5193 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFBC30 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFBC30AS Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 3.6A(TC) 10V 2.2OHM @ 2.2A,10V 4.5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±30V 510 pf @ 25 V - 74W(TC)
SI4425BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4425BDY-T1-GE3 1.9500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4425 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 8.8a(ta) 4.5V,10V 12mohm @ 11.4a,10V 3V @ 250µA 100 nc @ 10 V ±20V - 1.5W(TA)
SI3948DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3948DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3948 MOSFET (金属 o化物) 1.15W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V - 105mohm @ 2.5a,10v 1V @ 250µA(250µA) 3.2nc @ 5V - 逻辑级别门
SIRA00DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA00DP-T1-RE3 0.7903
RFQ
ECAD 2197 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sira00 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 100A(TC) 4.5V,10V 1MOHM @ 20a,10v 2.2V @ 250µA 220 NC @ 10 V +20V,-16V 11700 PF @ 15 V - 104W(TC)
SUM33N20-60P-E3 Vishay Siliconix SUM33N20-60P-E3 -
RFQ
ECAD 2669 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB sum33 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 200 v 33A(TC) 10V,15V 59mohm @ 20a,15v 4.5V @ 250µA 113 NC @ 15 V ±25V 2735 PF @ 25 V - 3.12W(TA),156W(tc)
SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB04ELP-T1_GE3 0.9700
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJB04 MOSFET (金属 o化物) 27W(TC) POWERPAK®SO-8 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 40V 30A(TC) 11MOHM @ 5A,10V 2.2V @ 250µA 20NC @ 10V 1055pf @ 25V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库