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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI3475DV-T1-E3	-	RFQ	7214	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3475	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	200 v	950mA（TC）	6V，10V	1.61OHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	500 pf @ 50 V	-	2W（TA），3.2W（TC）
SI3499DV-T1-E3	-	RFQ	3019	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3499	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.3a（ta）	1.5V，4.5V	23mohm @ 7A，4.5V	750mv @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±5V		-	1.1W（TA）
SI3900DV-T1-E3	0.7600	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3900	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	2a		125mohm @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	4NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI3948DV-T1-E3	-	RFQ	9061	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3948	MOSFET （金属 o化物）	1.15W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	-		105mohm @ 2.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	3.2nc @ 5V		-	逻辑级别门
SI3983DV-T1-E3	-	RFQ	5709	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3983	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.1a		110MOHM @ 2.5a，4.5V	1.1V @ 250µA	7.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4322DY-T1-E3	-	RFQ	7011	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4322	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	18A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1640 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），5.4W（TC）
SI4368DY-T1-E3	2.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4368	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 25A，10V	1.8V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±12V	8340 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
SI4378DY-T1-E3	-	RFQ	8021	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4378	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	（19a ta）	2.5V，4.5V	2.7MOHM @ 25A，4.5V	1.8V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±12V	8500 PF @ 10 V	-	1.6W（TA）
SI4386DY-T1-E3	1.4000	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4386	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	7mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.47W（TA）
SI4408DY-T1-E3	2.7500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4408	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	14A（TA）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 21a，10V	1V @ 250µA（250µA）	32 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SI4420BDY-T1-E3	0.9600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4420	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	9.5A（TA）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13.5A，10V	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V		-	1.4W（TA）
SI4425BDY-T1-E3	1.2900	RFQ	133	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4425	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	8.8a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 11.4a，10V	3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI4431BDY-T1-E3	1.0000	RFQ	31	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4431	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	5.7A（ta）	4.5V，10V	30mohm @ 7.5A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI4446DY-T1-E3	-	RFQ	2257	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4446	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	3.9a（ta）	4.5V，10V	40mohm @ 5.2A，10V	1.6V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±12V	700 pf @ 20 V	-	1.1W（TA）
SI4465ADY-T1-E3	1.9500	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4465	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	8 V	13.7a（TA），20A（tc）	1.8V，4.5V	9MOHM @ 14A，4.5V	1V @ 250µA	85 NC @ 4.5 V	±8V		-	（3W）（6.5W（ta）（TC）
SI4480DY-T1-E3	-	RFQ	5504	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4480	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	80 V	6a（6a）	6V，10V	35mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA（）	50 NC @ 10 V	±20V		-	2.5W（TA）
SI4501ADY-T1-E3	-	RFQ	9260	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4501	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		30V，8V	6.3a，4.1a		18mohm @ 8.8a，10v	1.8V @ 250µA	20nc @ 5V		-	逻辑级别门
SI4563DY-T1-E3	-	RFQ	6498	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4563	MOSFET （金属 o化物）	3.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	8a		16mohm @ 5A，10V	2V @ 250µA	85nc @ 10V		2390pf @ 20V	-
SI4618DY-T1-E3	-	RFQ	6290	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4618	MOSFET （金属 o化物）	1.98W，4.16W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	8a，15.2a		17mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	44NC @ 10V		1535pf @ 15V	-
SI4621DY-T1-E3	-	RFQ	4980	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4621	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	6.2A（TC）	4.5V，10V	54mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.1W（TC）
SI4630DY-T1-E3	2.0000	RFQ	8741	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4630	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	40a（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	161 NC @ 10 V	±16V	6670 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SI2302CDS-T1-E3	0.4100	RFQ	137	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.6a（ta）	2.5V，4.5V	57MOHM @ 3.6A，4.5V	850mv @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	710MW（TA）
SI7880ADP-T1-E3	4.1500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7880	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI7860ADP-T1-E3	-	RFQ	9634	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7860	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 16a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
SIR426DP-T1-GE3	1.0400	RFQ	26	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir426	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1160 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），41.7W（tc）
SI1039X-T1-GE3	-	RFQ	6050	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1039	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	870ma（ta）	1.8V，4.5V	165mohm @ 870mA，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	6 NC @ 4.5 V	±8V		-	170MW（TA）
SQS415ENW-T1_GE3	1.0700	RFQ	3211	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS415	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	16A（TC）	4.5V，10V	16.1MOHM @ 12A，10V	2.5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	4825 pf @ 25 V	-	62.5W（TC）
SIJA52ADP-T1-GE3	1.3900	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA52	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	41.6A（TA），131A （TC）	4.5V，10V	1.63mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	+20V，-16V	5500 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
SISS46DN-T1-GE3	1.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS46	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	12.5A（ta），45.3a （TC）	7.5V，10V	12.8mohm @ 10a，10v	3.4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2140 pf @ 50 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SIHB180N60E-GE3	1.7861	RFQ	2921	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB180	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	19a（tc）	10V	180MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1085 pf @ 100 V	-	156W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²