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![]() | SI4451DY-T1-E3 | 1.3041 | ![]() | 8046 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4451 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 12 v | 10a(10a) | 1.8V,4.5V | 8.25mohm @ 14A,4.5V | 800mv @ 850µA | 120 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.5W(TA) | ||||||
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IRF644N | - | ![]() | 2838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF644 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF644N | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 250 v | 14A(TC) | 10V | 240MOHM @ 8.4a,10V | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±20V | 1060 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | ||||
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![]() | SI4122DY-T1-GE3 | 2.3500 | ![]() | 9977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4122 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 27.2A(TC) | 4.5V,10V | 4.5MOHM @ 15A,10V | 2.5V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±25V | 4200 PF @ 20 V | - | (3w(ta),6w(tc) | |||||
![]() | SI7454DP-T1-E3 | 2.0000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7454 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 5A(5A) | 6V,10V | 34mohm @ 7.8A,10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.9W(TA) | ||||||
![]() | IRL640S | - | ![]() | 5588 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRL640 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRL640S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 200 v | 17a(TC) | 4V,5V | 180mohm @ 10a,5v | 2V @ 250µA | 66 NC @ 5 V | ±10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W(ta),125W(tc) | |||
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![]() | SIHB053N60E-GE3 | 6.3800 | ![]() | 912 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SIHB053N60E-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 600 v | 47A(TC) | 10V | 54mohm @ 26.5A,10V | 5V @ 250µA | 92 NC @ 10 V | ±30V | 3722 PF @ 100 V | - | 278W(TC) | |||||
![]() | SI1032X-T1-E3 | - | ![]() | 5713 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | SI1032 | MOSFET (金属 o化物) | SC-89-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 200ma(ta) | 1.5V,4.5V | 5ohm @ 200ma,4.5V | 1.2V @ 250µA | 0.75 NC @ 4.5 V | ±6V | - | 300MW(TA) | |||||
![]() | SI5515DC-T1-GE3 | - | ![]() | 8255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5515 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 4.4a,3a | 40mohm @ 4.4a,4.5V | 1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SQ3989EV-T1_GE3 | 0.6000 | ![]() | 2652 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SQ3989 | MOSFET (金属 o化物) | 1.67W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 2.5A(TC) | 155mohm @ 400mA,10v | 1.5V @ 250µA | 11.1nc @ 10V | - | - | |||||||
![]() | IRF830ASPBF | 2.2000 | ![]() | 776 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF830 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRF830ASPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 5A(TC) | 10V | 1.4OHM @ 3A,10V | 4.5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±30V | 620 pf @ 25 V | - | 3.1W(ta),74W(tc) | ||||
![]() | SI4466DY-T1-GE3 | - | ![]() | 5587 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4466 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 9.5A(TA) | 2.5V,4.5V | 9MOHM @ 13.5a,4.5V | 1.4V @ 250µA | 60 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.5W(TA) | |||||
![]() | SQM40081EL_GE3 | 1.7900 | ![]() | 8318 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SQM40081 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 40 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 25a,10v | 2.5V @ 250µA | 230 NC @ 10 V | ±20V | 9950 PF @ 25 V | - | 107W(TC) | |||||
![]() | SI8415DB-T1-E1 | - | ![]() | 9867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-XFBGA,CSPBGA | SI8415 | MOSFET (金属 o化物) | 4微米 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 5.3a(ta) | 1.8V,4.5V | 37MOHM @ 1A,4.5V | 1V @ 250µA | 30 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.47W(TA) | |||||
![]() | SIRA52DP-T1-GE3 | 1.3900 | ![]() | 9699 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sira52 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 60a(TC) | 4.5V,10V | 1.7MOHM @ 15A,10V | 2.4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | +20V,-16V | 7150 pf @ 20 V | - | 48W(TC) | |||||
![]() | SI8472DB-T2-E1 | 0.5600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-ufbga | SI8472 | MOSFET (金属 o化物) | 4-microfoot®(1x1) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 3.3a(ta) | 1.5V,4.5V | 44mohm @ 1.5A,4.5V | 900mv @ 250µA | 18 nc @ 8 V | ±8V | 630 pf @ 10 V | - | 780MW(TA) | ||||
![]() | IRC640pbf | - | ![]() | 9424 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-5 | IRC640 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRC640pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 200 v | 18A(TC) | 10V | 180mohm @ 11a,10v | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 25 V | 电流感应 | 125W(TC) | |||
![]() | IRFR010TRPBF | 0.6218 | ![]() | 4260 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR010 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 50 V | 8.2A(TC) | 10V | 200mohm @ 4.6A,10V | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W(TC) | |||||
![]() | IRFBC30AS | - | ![]() | 5193 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFBC30 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFBC30AS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 3.6A(TC) | 10V | 2.2OHM @ 2.2A,10V | 4.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±30V | 510 pf @ 25 V | - | 74W(TC) | |||
![]() | SI4425BDY-T1-GE3 | 1.9500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4425 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 8.8a(ta) | 4.5V,10V | 12mohm @ 11.4a,10V | 3V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | - | 1.5W(TA) | ||||||
![]() | SI3948DV-T1-E3 | - | ![]() | 9061 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3948 | MOSFET (金属 o化物) | 1.15W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | - | 105mohm @ 2.5a,10v | 1V @ 250µA(250µA) | 3.2nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SIRA00DP-T1-RE3 | 0.7903 | ![]() | 2197 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sira00 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 100A(TC) | 4.5V,10V | 1MOHM @ 20a,10v | 2.2V @ 250µA | 220 NC @ 10 V | +20V,-16V | 11700 PF @ 15 V | - | 104W(TC) | ||||||
![]() | SUM33N20-60P-E3 | - | ![]() | 2669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | sum33 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 200 v | 33A(TC) | 10V,15V | 59mohm @ 20a,15v | 4.5V @ 250µA | 113 NC @ 15 V | ±25V | 2735 PF @ 25 V | - | 3.12W(TA),156W(tc) | ||||
![]() | SQJB04ELP-T1_GE3 | 0.9700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJB04 | MOSFET (金属 o化物) | 27W(TC) | POWERPAK®SO-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 40V | 30A(TC) | 11MOHM @ 5A,10V | 2.2V @ 250µA | 20NC @ 10V | 1055pf @ 25V | - |
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