RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
SIHK155N60EF-T1GE3	5.4300	RFQ	4843	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn	SIHK155	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	18A（TC）	10V	52MOHM @ 10a，10v	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 100 V	-	156W（TC）
2N5114	-	RFQ	2077	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N5114			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200		-								-
U290	-	RFQ	4132	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AC，TO-52-3	U290		500兆	TO-206AC（to-52）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		n通道								160pf @ 0v			30 V	500 ma @ 10 V	4 V @ 3 na	3欧姆
SIHF840LCS-GE3	0.8313	RFQ	5669	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SIHF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHF840LCS-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI5461EDC-T1-E3	-	RFQ	7426	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5461	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	45MOHM @ 5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	20 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SIR586DP-T1-RE3	1.4100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	20.7a（ta），78.4a （TC）	7.5V，10V	5.8mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1905 PF @ 40 V	-	5W（5W），71.4W（TC）
SIDR608DP-T1-RE3	2.4300	RFQ	6315	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR608	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	45 v	51A（ta），208a （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	167 NC @ 10 V	+20V，-16V	8900 PF @ 20 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI1967DH-T1-E3	0.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1967	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	1.3a		490MOHM @ 910mA，4.5V	1V @ 250µA	4NC @ 8V		110pf @ 10V	逻辑级别门
SI7674DP-T1-GE3	-	RFQ	9853	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7674	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	5910 PF @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SIHP30N60E-GE3	5.9800	RFQ	7039	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP30	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI7190DP-T1-GE3	2.0400	RFQ	4001	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7190	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	18.4a（TC）	6V，10V	118mohm @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2214 PF @ 125 V	-	5.4W（ta），96w（tc）
SUD50P04-08-GE3	1.5000	RFQ	6216	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	8.1MOHM @ 22A，10V	2.5V @ 250µA	159 NC @ 10 V	±20V	5380 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），73.5W（tc）
SQ2348CES-T1_GE3	0.4300	RFQ	9162	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2348	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 15 V	-	3W（TC）
SQS411ENW-T1_GE3	0.9400	RFQ	7842	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS411	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	16A（TC）	4.5V，10V	27.3mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3191 PF @ 25 V	-	39.5W（TC）
SI7138DP-T1-GE3	-	RFQ	5350	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7138	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	30A（TC）	6V，10V	7.8mohm @ 19.7a，10v	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 30 V	-	5.4W（ta），96w（tc）
SI2307BDS-T1-BE3	0.6400	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	2.5a（ta）	4.5V，10V	78mohm @ 3.2a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
SQ2398ES-T1_BE3	0.6300	RFQ	4432	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2398	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-		（1 （无限）		742-SQ2398ES-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	1.6A（TC）	10V	300MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 250µA	3.4 NC @ 10 V	±20V	152 PF @ 50 V	-	2W（TC）
IRFZ48SPBF	4.4200	RFQ	104	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRFZ48	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	10V	18mohm @ 43a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.7W（190W）（TC）
SQ2348ES-T1_GE3	0.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2348	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 15 V	-	3W（TC）
SI4650DY-T1-E3	-	RFQ	4186	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4650	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	8a		18mohm @ 8a，10v	3V @ 1mA	40NC @ 10V		1550pf @ 15V	-
SI5463EDC-T1-E3	-	RFQ	7368	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5463	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.8A（TA）	1.8V，4.5V	62MOHM @ 4A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	15 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.25W（TA）
SIHP15N60E-BE3	2.9500	RFQ	977	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 100 V	-	180W（TC）
SI3460DDV-T1-BE3	0.4400	RFQ	8960	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SI3460DDV-T1-BE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6.2A（ta），7.9a（tc）	1.8V，4.5V	28mohm @ 5.1a，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 8 V	±8V	666 pf @ 10 V	-	1.7W（ta），2.7W（TC）
2N5547JTXV01	-	RFQ	3922	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-71-6	2N5547			TO-71	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20		-								-
SIRA14DP-T1-GE3	0.6900	RFQ	8431	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira14	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	58A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	+20V，-16V	1450 pf @ 15 V	-	3.6W（TA），31.2W（tc）
IRFR014TRPBF-BE3	1.0000	RFQ	155	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）		742-IRFR014TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	7.7A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIHG150N60E-GE3	4.3000	RFQ	8547	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG150	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHG150N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	22a（TC）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SIR876ADP-T1-GE3	1.6700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir876	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	40a（TC）	4.5V，10V	10.8mohm @ 20a，10v	2.8V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	1630 PF @ 50 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
SQS142ELNW-T1_GE3	0.9700	RFQ	50	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	40 V	86A（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2442 PF @ 25 V	-	70W（TC）
SI2341DS-T1-GE3	-	RFQ	4512	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2341	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	2.5a（ta）	4.5V，10V	72MOHM @ 2.8A，10V	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 15 V	-	710MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²