RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI3529DV-T1-E3	-	RFQ	2037	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3529	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		40V	2.5a，1.95a		125mohm @ 2.2a，10v	3V @ 250µA	7NC @ 10V		205pf @ 20V	逻辑级别门
2N4860JAN02	-	RFQ	7844	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4860			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SIR494DP-T1-GE3	1.1500	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir494	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 6 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SQP50N06-09L_GE3	-	RFQ	7128	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	3065 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SQ2361ES-T1_BE3	0.6300	RFQ	44	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2361	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.8A（TC）	4.5V，10V	177MOHM @ 2.4a，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	550 pf @ 30 V	-	2W（TC）
SIR864DP-T1-GE3	-	RFQ	8959	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir864	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	2460 pf @ 15 V	-	5W（5W），54W（tc）（TC）
irlz14strr	-	RFQ	2581	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ14	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	10A（TC）	4V，5V	200mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRFD9123PBF	-	RFQ	3308	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9123	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	1A（1A）		600mohm @ 600mA，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V		390 pf @ 25 V	-	-
SIA437DJ-T1-GE3	0.6900	RFQ	2425	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA437	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	29.7A（TC）	1.5V，4.5V	14.5MOHM @ 8A，4.5V	900mv @ 250µA	90 NC @ 8 V	±8V	2340 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SI4654DY-T1-GE3	-	RFQ	7223	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4654	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	28.6a（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±16V	3770 pf @ 15 V	-	2.5W（2.5W），5.9W（TC）
SIR500DP-T1-RE3	1.6400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR500DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	85.9a（TA），350.8A（tc）	4.5V，10V	0.47MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	180 NC @ 10 V	+16V，-12V	8960 pf @ 15 V	-	6.25W（TA），104.1W（tc）
SUD50N04-16P-E3	-	RFQ	6664	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	9.8A（TA），20A（tc）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±16V	1655 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），35.7W（TC）
SIRA52DP-T1-RE3	0.5600	RFQ	2336	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira52	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 15A，10V	2.4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	+20V，-16V	7150 pf @ 20 V	-	48W（TC）
IRF9Z30	-	RFQ	2157	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z30	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	50 V	18A（TC）	10V	140MOHM @ 9.3A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SQ4153EY-T1_GE3	1.6500	RFQ	6784	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4153	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	12 v	25A（TC）	1.8V，4.5V	8.32MOHM @ 14A，4.5V	900mv @ 250µA	151 NC @ 4.5 V	±8V	11000 PF @ 6 V	-	7.1W（TC）
SIHJ7N65E-T1-GE3	1.1737	RFQ	7081	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sihj7	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	7.9A（TC）	10V	598mohm @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	96W（TC）
SIS126DN-T1-GE3	0.9500	RFQ	9191	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS126	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	12a（12A），45.1A（TC）	7.5V，10V	10.2MOHM @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1402 PF @ 40 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IRFBC40AS	-	RFQ	7915	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC40AS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	1036 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI1302DL-T1-E3	0.4400	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1302	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	600mA（TA）	4.5V，10V	480MOHM @ 600mA，10V	3V @ 250µA	1.4 NC @ 10 V	±20V		-	280MW（TA）
SIJH5700E-T1-GE3	6.5400	RFQ	8533	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	150 v	17a（17a），174a（tc）	7.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 75 V	-	3.3W（333W）（333W（tc）
SIHF28N60EF-GE3	3.3075	RFQ	4560	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF28	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	28a（TC）	10V	123mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2714 PF @ 100 V	-	39W（TC）
SIR410DP-T1-GE3	1.0700	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir410	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	35A（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1600 PF @ 10 V	-	4.2W（TA），36W（tc）
SI7461DP-T1-E3	2.4000	RFQ	1301	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7461	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	14.5MOHM @ 14.4a，10V	3V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SUD40N04-10A-E3	-	RFQ	4825	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	40a（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	71W（TC）
SISS40DN-T1-GE3	0.5292	RFQ	3401	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS40	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	36.5A（TC）	6V，10V	21mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	845 PF @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IRF620STRL	-	RFQ	3842	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	（3w（ta），50W（TC）
SI5908DC-T1-GE3	1.3900	RFQ	30	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5908	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.4a		40mohm @ 4.4a，4.5V	1V @ 250µA	7.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHP21N60EF-GE3	4.0000	RFQ	9034	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP21	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2266-SIHP21N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	21a（TC）	10V	176mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2030 PF @ 100 V	-	227W（TC）
IRF840STRR	-	RFQ	3701	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
2N6660-E3	-	RFQ	7399	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6660	MOSFET （金属 o化物）		TO-205AD（TO-39）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道	60 V	990mA（tc）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²