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离散半导体产品（（5717）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5902DC-T1-E3 | - |  | 7164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5902 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 2.9a | 85mohm @ 2.9a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 7.5NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI5904DC-T1-E3 | - | | 9801 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5904 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 3.1a | 75MOHM @ 3.1a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI5933DC-T1-E3 | - | | 6428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5933 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 2.7a | 110MOHM @ 2.7a，4.5V | 1V @ 250µA | 7.7nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI5935DC-T1-E3 | - | | 5810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5935 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 3a | 86mohm @ 3A，4.5V | 1V @ 250µA | 8.5nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
 | SI6423DQ-T1-E3 | 1.7700 | | 9569 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6423 | MOSFET （金属 o化物） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 8.2a（ta） | 1.8V，4.5V | 8.5MOHM @ 9.5A，4.5V | 800mv @ 400µA | 110 NC @ 5 V | ±8V | - | 1.05W（TA） | ||||
| SI6433BDQ-T1-E3 | - | | 5047 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6433 | MOSFET （金属 o化物） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 4A（ta） | 2.5V，4.5V | 40MOHM @ 4.8A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.05W（TA） | ||||
| SI6459BDQ-T1-E3 | - | | 9009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6459 | MOSFET （金属 o化物） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 2.2A（ta） | 4.5V，10V | 115mohm @ 2.7a，10v | 3V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | - | 1W（ta） | ||||
| SI6544BDQ-T1-E3 | - | | 4583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6544 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 3.7a，3.8a | 43MOHM @ 3.8A，10V | 3V @ 250µA | 15nc @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI6913DQ-T1-E3 | 2.1400 | | 3095 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6913 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 12V | 4.9a | 21MOHM @ 5.8A，4.5V | 900MV @ 400µA | 28nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI6943BDQ-T1-E3 | - | | 7976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6943 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 12V | 2.3a | 80MOHM @ 2.5A，4.5V | 800MV @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI6969BDQ-T1-E3 | - | | 6559 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6969 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 12V | 4a | 30mohm @ 4.6A，4.5V | 800MV @ 250µA | 25nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
 | SI7106DN-T1-E3 | 1.5600 | | 68 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7106 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 12.5A（TA） | 2.5V，4.5V | 6.2MOHM @ 19.5A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.5W（TA） | |||||
| SI7107DN-T1-E3 | - | | 7746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7107 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 9.8A（ta） | 1.8V，4.5V | 10.8mohm @ 15.3a，4.5V | 1V @ 450µA | 44 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.5W（TA） | ||||
| SI7110DN-T1-E3 | 1.8500 | | 8508 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7110 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 13.5A（TA） | 4.5V，10V | 5.3MOHM @ 21.1A，10V | 2.5V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.5W（TA） | |||||
| SI7112DN-T1-E3 | 1.7500 | | 3205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7112 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11.3A（TC） | 4.5V，10V | 7.5MOHM @ 17.8A，10V | 1.5V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 V | ±12V | 2610 PF @ 15 V | - | 1.5W（TA） | ||||
| SI7114DN-T1-E3 | 1.7500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7114 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11.7a（ta） | 4.5V，10V | 7.5MOHM @ 18.3a，10V | 3V @ 250µA | 19 nc @ 4.5 V | ±20V | - | 1.5W（TA） | |||||
| SI7116DN-T1-E3 | 2.2300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7116 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 10.5a（ta） | 4.5V，10V | 7.8mohm @ 16.4a，10v | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.5W（TA） | |||||
| SI7308DN-T1-E3 | 1.1800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7308 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 6A（TC） | 4.5V，10V | 58MOHM @ 5.4A，10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 665 pf @ 15 V | - | 3.2W（TA），19.8W（tc） | ||||
 | SI7382DP-T1-E3 | - | | 3953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7382 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 14A（TA） | 4.5V，10V | 4.7MOHM @ 24A，10V | 3V @ 250µA | 40 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W（TA） | ||||
| SI7384DP-T1-E3 | - | | 1488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7384 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11a（11a） | 4.5V，10V | 8.5MOHM @ 18A，10V | 3V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W（TA） | |||||
| SI7386DP-T1-E3 | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7386 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 12a（12a） | 4.5V，10V | 7mohm @ 19a，10v | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W（TA） | |||||
| SI7411DN-T1-E3 | - | | 5353 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7411 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 7.5A（ta） | 1.8V，4.5V | 19mohm @ 11.4a，4.5V | 1V @ 300µA | 41 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.5W（TA） | ||||
| SI7415DN-T1-E3 | 1.6000 | | 38 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7415 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 3.6a（ta） | 4.5V，10V | 65MOHM @ 5.7A，10V | 3V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.5W（TA） | |||||
| SI7421DN-T1-E3 | 1.4600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7421 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 6.4a（ta） | 4.5V，10V | 25mohm @ 9.8a，10v | 3V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.5W（TA） | |||||
| SI7430DP-T1-E3 | 3.0100 | | 1605 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7430 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 150 v | 26a（TC） | 8V，10V | 45mohm @ 5a，10v | 4.5V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ±20V | 1735 PF @ 50 V | - | 5.2W（ta），64W（tc） | ||||
| SI7454DP-T1-E3 | 2.0000 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7454 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 5A（5A） | 6V，10V | 34mohm @ 7.8A，10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.9W（TA） | |||||
| SI7465DP-T1-E3 | 1.3200 | | 51 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7465 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 3.2A（ta） | 4.5V，10V | 64mohm @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.5W（TA） | |||||
| SI7469DP-T1-E3 | 2.6600 | | 74 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7469 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 80 V | 28a（TC） | 4.5V，10V | 25mohm @ 10.2a，10v | 3V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 4700 PF @ 40 V | - | 5.2W（ta），83.3W（tc） | ||||
| SI7478DP-T1-E3 | 2.8500 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7478 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 15A（TA） | 4.5V，10V | 7.5mohm @ 20a，10v | 3V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.9W（TA） | |||||
| SI7636DP-T1-E3 | 1.8500 | | 6060 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7636 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 17A（TA） | 4.5V，10V | 4mohm @ 25a，10v | 3V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 V | ±20V | 5600 pf @ 15 V | - | 1.9W（TA） |
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