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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SISA10DN-T1-GE3	1.0400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA10	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	51 NC @ 10 V	+20V，-16V	2425 pf @ 15 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
SQJB46EP-T1_GE3	1.2200	RFQ	4536	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB46	MOSFET （金属 o化物）	34W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000	2 n通道		40V	30A（TC）		8mohm @ 8a，10v	3.3V @ 250µA	32NC @ 10V		1800pf @ 25V	-
2N5547JTXL01	-	RFQ	8055	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-71-6	2N5547			TO-71	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	40		-								-
SIE820DF-T1-E3	-	RFQ	2063	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	Sie820	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	2.5V，4.5V	3.5MOHM @ 18A，4.5V	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±12V	4300 PF @ 10 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SI4386DY-T1-E3	1.4000	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4386	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	7mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.47W（TA）
SMM2348ES-T1-GE3	-	RFQ	9464	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMM2348	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 15 V	-	3W（TC）
SIHP050N60E-GE3	9.3000	RFQ	4125	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP050	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	51A（TC）	10V	50MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	3459 pf @ 100 V	-	278W（TC）
SI1405BDH-T1-GE3	-	RFQ	4668	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1405	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（TC）	1.8V，4.5V	112MOHM @ 2.8A，4.5V	950mv @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±8V	305 pf @ 4 V	-	1.47W（TA），2.27W（tc）
SQJQ480E-T1_GE3	3.0300	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ480	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	80 V	150a（TC）	10V	3mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	144 NC @ 10 V	±20V	8625 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SI6967DQ-T1-GE3	-	RFQ	7554	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6967	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		8V	-		30mohm @ 5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	40NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIZF5302DT-T1-RE3	1.7500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-PowerPair™	SIZF5302	MOSFET （金属 o化物）	3.8W（TA），48.1W（tc）	PowerPair®3x3fs	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZF5302DT-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	28.1a（TA），100A（tc）		3.2MOHM @ 10a，10v	2V @ 250µA	22.2nc @ 10V		1030pf @ 15V	-
SQ1470EH-T1-GE3	-	RFQ	8977	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1470	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.8A（TC）		65MOHM @ 3.8A，4.5V	1.6V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V		610 pf @ 25 V	-
IRFBF30STRLPBF	3.5800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
VP1008B	-	RFQ	6699	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	VP1008	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		P通道	100 v	790ma（ta）	10V	5ohm @ 1A，10V	4.5V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	6.25W（TA）
SUP60N10-18P-E3	-	RFQ	7050	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	60a（TC）	8V，10V	18.3mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 50 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
SIR440DP-T1-GE3	2.0100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir440	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.55MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 10 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI8824EDB-T2-E1	0.4300	RFQ	34	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8824	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.1a（ta）	1.2V，4.5V	75MOHM @ 1A，4.5V	800MV @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±5V	400 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SI1012X-T1-GE3	0.4500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	SI1012	MOSFET （金属 o化物）		SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	500mA（ta）	1.8V，4.5V	700MOHM @ 600mA，4.5V	900mv @ 250µA	0.75 NC @ 4.5 V	±6V		-	250MW（TA）
SQ4840EY-T1_GE3	3.3100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4840	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	20.7A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	2440 pf @ 20 V	-	7.1W（TC）
IRFZ14PBF-BE3	1.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ14PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	10A（TC）		200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRF530STRLPBF	1.7300	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SUM23N15-73-E3	-	RFQ	9221	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum23	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	23A（TC）	6V，10V	73mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1290 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），100W（TC）
SIA936EDJ-T1-GE3	-	RFQ	3349	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA936	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.5a		34mohm @ 4A，4.5V	1.3V @ 250µA	17NC @ 10V		-	逻辑级别门
SQD25N15-52_GE3	3.8600	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD25	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	150 v	25A（TC）	10V	52MOHM @ 15A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	107W（TC）
SI1499DH-T1-GE3	0.6700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1499	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（TC）	1.2V，4.5V	78MOHM @ 2A，4.5V	800MV @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±5V	650 pf @ 4 V	-	2.5W（2.78W）（2.78W）TC）
IRFL9014TRPBF-BE3	0.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	1.8A（TC）	10V	500MOHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI5447DC-T1-E3	-	RFQ	4374	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5447	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.5A（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 3.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	10 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
SI2331DS-T1-E3	-	RFQ	2887	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2331	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	3.2A（ta）	1.8V，4.5V	48mohm @ 3.6A，4.5V	900mv @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	780 pf @ 6 V	-	710MW（TA）
SQJ420EP-T1_GE3	0.8800	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ420	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 9.7a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1860 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SIZ902DT-T1-GE3	1.4900	RFQ	6870	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ902	MOSFET （金属 o化物）	29W，66W	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	16a		12mohm @ 13.8a，10v	2.2V @ 250µA	21NC @ 10V		790pf @ 15V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²