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离散半导体产品（（5717）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3900DV-T1-E3 | 0.7600 |  | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3900 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 2a | 125mohm @ 2.4a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 4NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
| SI3948DV-T1-E3 | - | | 9061 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3948 | MOSFET （金属 o化物） | 1.15W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | - | 105mohm @ 2.5a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 3.2nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI3983DV-T1-E3 | - | | 5709 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3983 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 2.1a | 110MOHM @ 2.5a，4.5V | 1.1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
 | SI4322DY-T1-E3 | - | | 7011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4322 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 18A（TC） | 4.5V，10V | 8.5mohm @ 15a，10v | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1640 pf @ 15 V | - | 3.1W（TA），5.4W（TC） | |||
| SI4368DY-T1-E3 | 2.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4368 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 17A（TA） | 4.5V，10V | 3.2MOHM @ 25A，10V | 1.8V @ 250µA | 80 NC @ 4.5 V | ±12V | 8340 pf @ 15 V | - | 1.6W（TA） | ||||
| SI4378DY-T1-E3 | - | | 8021 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4378 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | （19a ta） | 2.5V，4.5V | 2.7MOHM @ 25A，4.5V | 1.8V @ 250µA | 55 NC @ 4.5 V | ±12V | 8500 PF @ 10 V | - | 1.6W（TA） | ||||
| SI4386DY-T1-E3 | 1.4000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4386 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 11a（11a） | 4.5V，10V | 7mohm @ 16a，10v | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±20V | - | 1.47W（TA） | |||||
| SI4408DY-T1-E3 | 2.7500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4408 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 14A（TA） | 4.5V，10V | 4.5MOHM @ 21a，10V | 1V @ 250µA（250µA） | 32 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.6W（TA） | |||||
| SI4420BDY-T1-E3 | 0.9600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4420 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 9.5A（TA） | 4.5V，10V | 8.5MOHM @ 13.5A，10V | 3V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.4W（TA） | |||||
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| SI4431BDY-T1-E3 | 1.0000 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4431 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 5.7A（ta） | 4.5V，10V | 30mohm @ 7.5A，10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 V | ±20V | - | 1.5W（TA） | |||||
| SI4446DY-T1-E3 | - | | 2257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4446 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 3.9a（ta） | 4.5V，10V | 40mohm @ 5.2A，10V | 1.6V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 V | ±12V | 700 pf @ 20 V | - | 1.1W（TA） | |||
| SI4465ADY-T1-E3 | 1.9500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4465 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 8 V | 13.7a（TA），20A（tc） | 1.8V，4.5V | 9MOHM @ 14A，4.5V | 1V @ 250µA | 85 NC @ 4.5 V | ±8V | - | （3W）（6.5W（ta）（TC） | |||||
| SI4480DY-T1-E3 | - | | 5504 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4480 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 80 V | 6a（6a） | 6V，10V | 35mohm @ 6a，10v | 2V @ 250µA（） | 50 NC @ 10 V | ±20V | - | 2.5W（TA） | ||||
| SI4501ADY-T1-E3 | - | | 9260 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4501 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道，普通排水 | 30V，8V | 6.3a，4.1a | 18mohm @ 8.8a，10v | 1.8V @ 250µA | 20nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI4563DY-T1-E3 | - | | 6498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4563 | MOSFET （金属 o化物） | 3.25W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 40V | 8a | 16mohm @ 5A，10V | 2V @ 250µA | 85nc @ 10V | 2390pf @ 20V | - | |||||
| SI4618DY-T1-E3 | - | | 6290 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4618 | MOSFET （金属 o化物） | 1.98W，4.16W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 8a，15.2a | 17mohm @ 8a，10v | 2.5V @ 1mA | 44NC @ 10V | 1535pf @ 15V | - | ||||||
| SI4621DY-T1-E3 | - | | 4980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4621 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 20 v | 6.2A（TC） | 4.5V，10V | 54mohm @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 450 pf @ 10 V | Schottky 二极管（孤立） | 2W（TA），3.1W（TC） | |||
| SI4630DY-T1-E3 | 2.0000 | | 8741 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4630 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 25 v | 40a（TC） | 4.5V，10V | 2.7MOHM @ 20A，10V | 2.2V @ 250µA | 161 NC @ 10 V | ±16V | 6670 pf @ 15 V | - | 3.5W（TA），7.8W（TC） | ||||
| SI4830ADY-T1-E3 | - | | 9870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4830 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a，10v | 3V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI4831DY-T1-E3 | - | | 7337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4831 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 5A（5A） | 4.5V，10V | 45mohm @ 5a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 20 nc @ 5 V | ±20V | Schottky 二极管（孤立） | 2W（TA） | ||||
| SI4833ADY-T1-E3 | - | | 2797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4833 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 4.6A（TC） | 4.5V，10V | 72MOHM @ 3.6A，10V | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 750 pf @ 15 V | Schottky 二极管（孤立） | 1.93W（ta），2.75W（tc） | |||
| SI4835BDY-T1-E3 | - | | 8665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4835 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 7.4a（ta） | 4.5V，10V | 18mohm @ 9.6a，10v | 3V @ 250µA | 37 NC @ 5 V | ±25V | - | 1.5W（TA） | ||||
| SI4838DY-T1-E3 | 3.1200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4838 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 12 v | 17A（TA） | 2.5V，4.5V | 3mohm @ 25a，4.5V | 600mv @ 250µA（250µA）） | 60 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.6W（TA） | |||||
| SI4840DY-T1-E3 | - | | 2986 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4840 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 10a（10a） | 4.5V，10V | 9mohm @ 14a，10v | 3V @ 250µA | 28 NC @ 5 V | ±20V | - | 1.56W（TA） | ||||
| SI4845DY-T1-E3 | - | | 2208 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4845 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 20 v | 2.7A（TC） | 2.5V，4.5V | 210MOHM @ 2A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 4.5 NC @ 4.5 V | ±12V | 312 PF @ 10 V | Schottky 二极管（孤立） | 1.75W（TA），2.75W（tc） | |||
| SI4874BDY-T1-E3 | 1.4000 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4874 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 12a（12a） | 4.5V，10V | 7mohm @ 16a，10v | 3V @ 250µA | 25 NC @ 4.5 V | ±20V | 3230 pf @ 15 V | - | 1.6W（TA） | ||||
| SI4890DY-T1-E3 | 1.3466 | | 9915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4890 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 11a（11a） | 4.5V，10V | 12mohm @ 11a，10v | 800mv @ 250µA（250µA） | 20 nc @ 5 V | ±25V | - | 2.5W（TA） | |||||
| SI4896DY-T1-E3 | 1.9500 | | 1853年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4896 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 80 V | 6.7a（ta） | 6V，10V | 16.5MOHM @ 10A，10V | 2V @ 250µA（） | 41 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.56W（TA） | |||||
| SI4913DY-T1-E3 | - | | 2949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4913 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 20V | 7.1a | 15mohm @ 9.4a，4.5V | 1V @ 500µA | 65nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 |
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