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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SISF00DN-T1-GE3	1.4700	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8SCD双重	SISF00	MOSFET （金属 o化物）	69.4W（TC）	POWERPAK®1212-8SCD双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		30V	60a（TC）		5mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	53nc @ 10V		2700pf @ 15V	-
SI6913DQ-T1-E3	2.1400	RFQ	3095	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6913	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	4.9a		21MOHM @ 5.8A，4.5V	900MV @ 400µA	28nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIR5808DP-T1-RE3	1.4100	RFQ	1063	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIR5808	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	18.8a（ta），66.8a tc）	7.5V，10V	157mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1210 PF @ 40 V	-	5.2W（ta），65.7W（TC）
IRFI744GPBF	-	RFQ	7295	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI744	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI744GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	4.9A（TC）	10V	630mohm @ 2.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SI3442BDV-T1-GE3	0.2284	RFQ	3719	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3442	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	57MOHM @ 4A，4.5V	1.8V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±12V	295 pf @ 10 V	-	860MW（TA）
irfu310pbf	1.4900	RFQ	8291	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU310	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu310pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI1426DH-T1-GE3	-	RFQ	2951	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1426	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	2.8A（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 3.6A，10V	2.5V @ 250µA	3 NC @ 4.5 V	±20V		-	1W（ta）
SIHD7N60ET5-GE3	0.8080	RFQ	7810	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD7	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	78W（TC）
SIZF4800LDT-T1-GE3	1.5500	RFQ	8706	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-PowerPair™		MOSFET （金属 o化物）	4.5W（TA），56.8W（tc）	PowerPair®3x3fs	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		80V	10a（10a），36a （TC）		19mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	23nc @ 10V		950pf @ 40V	标准
SIA425EDJ-T1-GE3	-	RFQ	2797	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA425	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	60mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA		±12V		-	2.9W（TA），15.6W（TC）
SI5443DC-T1-GE3	-	RFQ	5288	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5443	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.6a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	14 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SQA413CEJW-T1_GE3	0.4300	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®Sc-70-6	SQA413	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	7.5A（TC）	2.5V，4.5V	38mohm @ 4.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±12V	1350 pf @ 10 V	-	13.6W（TC）
SI6562CDQ-T1-BE3	1.0200	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6562	MOSFET （金属 o化物）	1.1W（1.6W），1.6W（tc），1.2W（ta（1.7W）（1.7W（tc）	8-tssop	下载		（1 （无限）		742-SI6562CDQ-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	5.7a（6.7a）（6.7a tc），5.1a ta（6.1a）（6.1a tc）TC）		22mohm @ 5.7a，4.5V，30mohm @ 5.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	23nc @ 10v，51nc @ 10v		850pf @ 10V，1200pf @ 10V	-
IRFB16N60LPBF	-	RFQ	9786	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB16	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB16N60LPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	16A（TC）	10V	460MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±30V	2720 PF @ 25 V	-	310W（TC）
SI8809EDB-T2-E1	-	RFQ	9905	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8809	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.94（ta）	1.8V，4.5V	90MOHM @ 1.5A，4.5V	900mv @ 250µA	15 NC @ 8 V	±8V		-	500MW（TA）
IRF620STRLPBF	2.0400	RFQ	960	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	（3w（ta），50W（TC）
SI7106DN-T1-E3	1.5600	RFQ	68	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7106	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12.5A（TA）	2.5V，4.5V	6.2MOHM @ 19.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
irfu320pbf	1.5100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU320	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu320pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFD120pbf	1.3900	RFQ	8	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD120	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD120PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.3a（ta）	10V	270MOHM @ 780mA，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SI3410DV-T1-E3	-	RFQ	7865	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3410	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1295 pf @ 15 V	-	2W（TA），4.1W（4.1W）TC）
SIR178DP-T1-RE3	1.7200	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir178	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR178DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	（100A）（ta），430a tc）（TC）	2.5V，10V	0.4mohm @ 30a，10v	1.5V @ 250µA	310 NC @ 10 V	+12V，-8V	12430 PF @ 10 V	-	6.3W（ta），104W（tc）
IRF820	-	RFQ	8597	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF820	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SI5486DU-T1-GE3	-	RFQ	5361	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5486	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12A（TC）	1.8V，4.5V	15mohm @ 7.7a，4.5V	1V @ 250µA	54 NC @ 8 V	±8V	2100 PF @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
IRFR9014TRR	-	RFQ	5215	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	5.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFZ34PBF-BE3	1.8800	RFQ	904	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ34PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）		50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	88W（TC）
SI2336DS-T1-GE3	0.5100	RFQ	5756	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2336	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	5.2A（TC）	1.8V，4.5V	42MOHM @ 3.8A，4.5V	1V @ 250µA	15 NC @ 8 V	±8V	560 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.8W（tc）
IRFR9310TRR	-	RFQ	7590	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIHG460B-GE3	2.4869	RFQ	3690	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG460	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	3094 PF @ 100 V	-	278W（TC）
IRFIZ44GPBF	1.4312	RFQ	2238	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIZ44GPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	30A（TC）	10V	28mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	48W（TC）
IRFBE20L	-	RFQ	1628年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBE20	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFBE20L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	1.8A（TC）	10V	6.5OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²