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离散半导体产品（（5717）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1032X-T1-E3 | - |  | 5713 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SC-89，SOT-490 | SI1032 | MOSFET （金属 o化物） | SC-89-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 200ma（ta） | 1.5V，4.5V | 5ohm @ 200ma，4.5V | 1.2V @ 250µA | 0.75 NC @ 4.5 V | ±6V | - | 300MW（TA） | ||||
 | SI1303EDL-T1-E3 | - | | 7121 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SC-70，SOT-323 | SI1303 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 670ma（ta） | 2.5V，4.5V | 430MOHM @ 1A，4.5V | 600mv @ 250µA（250µA）） | 2.5 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 290MW（TA） | ||||
| SI1305DL-T1-E3 | - | | 3341 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SC-70，SOT-323 | SI1305 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 860ma（ta） | 1.8V，4.5V | 280MOHM @ 1A，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 4 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 290MW（TA） | ||||
 | SI1400DL-T1-E3 | - | | 4455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1400 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 1.6a（ta） | 2.5V，4.5V | 150MOHM @ 1.7A，4.5V | 600mv @ 250µA（250µA）） | 4 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 568MW（TA） | ||||
| SI1419DH-T1-E3 | - | | 3440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1419 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 200 v | 300mA（TA） | 6V，10V | 5ohm @ 400mA，10v | 4.5V @ 100µA | 6.2 NC @ 10 V | ±20V | - | 1W（ta） | ||||
| SI1450DH-T1-E3 | - | | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1450 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 8 V | 4.53A（TA），6.04a （TC） | 1.5V，4.5V | 47MOHM @ 4A，4.5V | 1V @ 250µA | 7.05 NC @ 5 V | ±5V | 535 pf @ 4 V | - | 1.56W（TA），2.78W（tc） | |||
| SI1488DH-T1-E3 | - | | 2035 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1488 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6.1A（TC） | 1.8V，4.5V | 49MOHM @ 4.6A，4.5V | 950mv @ 250µA | 10 NC @ 5 V | ±8V | 530 pf @ 10 V | - | 1.5W（ta），2.8W（TC） | |||
| SI1499DH-T1-E3 | 0.6700 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1499 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 1.6A（TC） | 1.2V，4.5V | 78MOHM @ 2A，4.5V | 800MV @ 250µA | 16 NC @ 4.5 V | ±5V | 650 pf @ 4 V | - | 2.5W（2.78W）（2.78W）TC） | |||
| SI15555DL-T1-E3 | - | | 4248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1555 | MOSFET （金属 o化物） | 270MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V，8V | 660mA，570mA | 385MOHM @ 660mA，4.5V | 1.4V @ 250µA | 1.2nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI1563EDH-T1-E3 | - | | 9088 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1563 | MOSFET （金属 o化物） | 570MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 1.13a，880mA | 280MOHM @ 1.13A，4.5V | 1V @ 100µA | 1NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
 | SI2304BDS-T1-E3 | 0.4700 | | 41 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SI2304 | MOSFET （金属 o化物） | SOT-23-3（TO-236） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 2.6a（ta） | 4.5V，10V | 70MOHM @ 2.5A，10V | 3V @ 250µA | 4 NC @ 5 V | ±20V | 225 pf @ 15 V | - | 750MW（TA） | |||
| SI2307BDS-T1-E3 | 0.6400 | | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SI2307 | MOSFET （金属 o化物） | SOT-23-3（TO-236） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 2.5a（ta） | 4.5V，10V | 78mohm @ 3.2a，10v | 3V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 380 pf @ 15 V | - | 750MW（TA） | |||
| SI2314EDS-T1-E3 | 0.8300 | | 105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SI2314 | MOSFET （金属 o化物） | SOT-23-3（TO-236） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 3.77a（ta） | 1.8V，4.5V | 33MOHM @ 5A，4.5V | 950mv @ 250µA | 14 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 750MW（TA） | ||||
| SI2315BDS-T1-E3 | 0.5400 | | 174 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SI2315 | MOSFET （金属 o化物） | SOT-23-3（TO-236） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 3A（3A） | 1.8V，4.5V | 50mohm @ 3.85a，4.5V | 900mv @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±8V | 715 PF @ 6 V | - | 750MW（TA） | |||
| SI2319DS-T1-E3 | 0.7500 | | 9520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SI2319 | MOSFET （金属 o化物） | SOT-23-3（TO-236） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 40 V | 2.3a（ta） | 4.5V，10V | 82MOHM @ 3A，10V | 3V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 470 pf @ 20 V | - | 750MW（TA） | |||
 | SI3434DV-T1-E3 | - | | 8745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3434 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 4.6a（ta） | 2.5V，4.5V | 34mohm @ 6.1a，4.5V | 600mv @ 1mA （最小） | 12 nc @ 4.5 V | ±12V | - | 1.14W（TA） | ||||
| SI3446ADV-T1-E3 | - | | 1627年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3446 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6A（TC） | 2.5V，4.5V | 37MOHM @ 5.8A，4.5V | 1.8V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±12V | 640 pf @ 10 V | - | 2W（TA），3.2W（TC） | |||
| SI3457BDV-T1-E3 | - | | 1221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3457 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3.7a（ta） | 4.5V，10V | 54mohm @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±20V | - | 1.14W（TA） | ||||
| SI3465DV-T1-E3 | - | | 4278 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3465 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3A（3A） | 4.5V，10V | 80mohm @ 4A，10V | 3V @ 250µA | 5.5 NC @ 5 V | ±20V | - | 1.14W（TA） | |||||
| SI3467DV-T1-E3 | - | | 3502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3467 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.8A（TA） | 4.5V，10V | 54mohm @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.14W（TA） | |||||
| SI3475DV-T1-E3 | - | | 7214 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3475 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 200 v | 950mA（TC） | 6V，10V | 1.61OHM @ 900mA，10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 500 pf @ 50 V | - | 2W（TA），3.2W（TC） | |||
| SI3499DV-T1-E3 | - | | 3019 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3499 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 5.3a（ta） | 1.5V，4.5V | 23mohm @ 7A，4.5V | 750mv @ 250µA | 42 NC @ 4.5 V | ±5V | - | 1.1W（TA） | ||||
| SI3900DV-T1-E3 | 0.7600 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3900 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 2a | 125mohm @ 2.4a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 4NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
| SI3948DV-T1-E3 | - | | 9061 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3948 | MOSFET （金属 o化物） | 1.15W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | - | 105mohm @ 2.5a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 3.2nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI3983DV-T1-E3 | - | | 5709 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3983 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 2.1a | 110MOHM @ 2.5a，4.5V | 1.1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
 | SI4322DY-T1-E3 | - | | 7011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4322 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 18A（TC） | 4.5V，10V | 8.5mohm @ 15a，10v | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1640 pf @ 15 V | - | 3.1W（TA），5.4W（TC） | |||
| SI4368DY-T1-E3 | 2.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4368 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 17A（TA） | 4.5V，10V | 3.2MOHM @ 25A，10V | 1.8V @ 250µA | 80 NC @ 4.5 V | ±12V | 8340 pf @ 15 V | - | 1.6W（TA） | ||||
| SI4378DY-T1-E3 | - | | 8021 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4378 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | （19a ta） | 2.5V，4.5V | 2.7MOHM @ 25A，4.5V | 1.8V @ 250µA | 55 NC @ 4.5 V | ±12V | 8500 PF @ 10 V | - | 1.6W（TA） | ||||
| SI4386DY-T1-E3 | 1.4000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4386 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 11a（11a） | 4.5V，10V | 7mohm @ 16a，10v | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±20V | - | 1.47W（TA） | |||||
| SI4408DY-T1-E3 | 2.7500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4408 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 14A（TA） | 4.5V，10V | 4.5MOHM @ 21a，10V | 1V @ 250µA（250µA） | 32 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.6W（TA） |
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