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离散半导体产品（（5717）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5920DC-T1-GE3 | - |  | 9081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5920 | MOSFET （金属 o化物） | 3.12W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 8V | 4a | 32mohm @ 6.8a，4.5V | 1V @ 250µA | 12nc @ 5V | 680pf @ 4V | 逻辑级别门 | |||||
| SI5935CDC-T1-GE3 | 0.5500 | | 4202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5935 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 4a | 100mohm @ 3.1a，4.5V | 1V @ 250µA | 11NC @ 5V | 455pf @ 10V | - | |||||
 | SI6913DQ-T1-GE3 | 1.3000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6913 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 12V | 4.9a | 21MOHM @ 5.8A，4.5V | 900MV @ 400µA | 28nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI6993DQ-T1-GE3 | - | | 8483 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6993 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 3.6a | 31MOHM @ 4.7A，10V | 3V @ 250µA | 20nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
 | SI7141DP-T1-GE3 | 2.3200 | | 41 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7141 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 60a（TC） | 4.5V，10V | 1.9mohm @ 25a，10v | 2.3V @ 250µA | 400 NC @ 10 V | ±20V | 14300 PF @ 10 V | - | 6.25W（TA），104W（tc） | ||||
| SI7143DP-T1-GE3 | 1.3900 | | 173 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7143 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 35A（TC） | 4.5V，10V | 10mohm @ 16.1a，10V | 2.8V @ 250µA | 71 NC @ 10 V | ±20V | 2230 pf @ 15 V | - | 4.2W（TA），35.7W（tc） | ||||
 | SI7613DN-T1-GE3 | 1.0700 | | 52 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7613 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 35A（TC） | 4.5V，10V | 8.7MOHM @ 17a，10v | 2.2V @ 250µA | 87 NC @ 10 V | ±16V | 2620 PF @ 10 V | - | 3.8W（TA），52.1W（TC） | ||||
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 | SI4511DY-T1-E3 | - | | 3529 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4511 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 20V | 7.2a，4.6a | 14.5MOHM @ 9.6A，10V | 1.8V @ 250µA | 18NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
| SI6463BDQ-T1-E3 | - | | 1663年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | （CT） | 过时的 | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6463 | MOSFET （金属 o化物） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 6.2a（ta） | 15mohm @ 7.4a，4.5V | 800MV @ 250µA | 60 NC @ 5 V | - | ||||||||
| SI6467BDQ-T1-E3 | - | | 4235 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | （CT） | 过时的 | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6467 | MOSFET （金属 o化物） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 6.8a（ta） | 12.5MOHM @ 8A，4.5V | 850mv @ 450µA | 70 NC @ 4.5 V | - | ||||||||
| SI6562DQ-T1-E3 | - | | 7113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | （CT） | 过时的 | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6562 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | - | 30mohm @ 4.5A，4.5V | 600mv @ 250µA（250µA）） | 25nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
| SI7462DP-T1-E3 | - | | 9434 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7462 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 200 v | 2.6a（ta） | 130MOHM @ 4.1A，10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | - | ||||||||
 | SI7501DN-T1-E3 | - | | 4503 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7501 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道，普通排水 | 30V | 5.4a，4.5a | 35mohm @ 7.7A，10V | 3V @ 250µA | 14NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
 | TN0200K-T1-E3 | - | | 1530 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | TN0200 | MOSFET （金属 o化物） | SOT-23-3（TO-236） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 730ma（ta） | 400mohm @ 600mA，4.5V | 1V @ 50µA | 2 NC @ 4.5 V | - | ||||||||
 | SI1013R-T1-E3 | - | | 6433 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SC-75，SOT-416 | SI1013 | MOSFET （金属 o化物） | SC-75A | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 350mA（ta） | 1.8V，4.5V | 1.2OHM @ 350mA，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 1.5 NC @ 4.5 V | ±6V | - | 150MW（TA） | ||||
 | SI1023X-T1-E3 | - | | 5914 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | SI1023 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | SC-89（SOT-563F） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 370mA | 1.2OHM @ 350mA，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 1.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI1026X-T1-E3 | - | | 7760 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | SI1026 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | SC-89（SOT-563F） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 305mA | 1.4OHM @ 500mA，10V | 2.5V @ 250µA | 0.6NC @ 4.5V | 30pf @ 25V | 逻辑级别门 | |||||
| SI1031R-T1-E3 | - | | 8647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SC-75，SOT-416 | SI1031 | MOSFET （金属 o化物） | SC-75A | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 140mA（ta） | 1.5V，4.5V | 8ohm @ 150mA，4.5V | 1.2V @ 250µA | 1.5 NC @ 4.5 V | ±6V | - | 250MW（TA） | ||||
 | SI1032X-T1-E3 | - | | 5713 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SC-89，SOT-490 | SI1032 | MOSFET （金属 o化物） | SC-89-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 200ma（ta） | 1.5V，4.5V | 5ohm @ 200ma，4.5V | 1.2V @ 250µA | 0.75 NC @ 4.5 V | ±6V | - | 300MW（TA） | ||||
 | SI1303EDL-T1-E3 | - | | 7121 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SC-70，SOT-323 | SI1303 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 670ma（ta） | 2.5V，4.5V | 430MOHM @ 1A，4.5V | 600mv @ 250µA（250µA）） | 2.5 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 290MW（TA） | ||||
| SI1305DL-T1-E3 | - | | 3341 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SC-70，SOT-323 | SI1305 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 860ma（ta） | 1.8V，4.5V | 280MOHM @ 1A，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 4 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 290MW（TA） | ||||
 | SI1400DL-T1-E3 | - | | 4455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1400 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 1.6a（ta） | 2.5V，4.5V | 150MOHM @ 1.7A，4.5V | 600mv @ 250µA（250µA）） | 4 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 568MW（TA） | ||||
| SI1419DH-T1-E3 | - | | 3440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1419 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 200 v | 300mA（TA） | 6V，10V | 5ohm @ 400mA，10v | 4.5V @ 100µA | 6.2 NC @ 10 V | ±20V | - | 1W（ta） | ||||
| SI1450DH-T1-E3 | - | | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1450 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 8 V | 4.53A（TA），6.04a （TC） | 1.5V，4.5V | 47MOHM @ 4A，4.5V | 1V @ 250µA | 7.05 NC @ 5 V | ±5V | 535 pf @ 4 V | - | 1.56W（TA），2.78W（tc） | |||
| SI1488DH-T1-E3 | - | | 2035 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1488 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6.1A（TC） | 1.8V，4.5V | 49MOHM @ 4.6A，4.5V | 950mv @ 250µA | 10 NC @ 5 V | ±8V | 530 pf @ 10 V | - | 1.5W（ta），2.8W（TC） | |||
| SI1499DH-T1-E3 | 0.6700 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1499 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 1.6A（TC） | 1.2V，4.5V | 78MOHM @ 2A，4.5V | 800MV @ 250µA | 16 NC @ 4.5 V | ±5V | 650 pf @ 4 V | - | 2.5W（2.78W）（2.78W）TC） | |||
| SI15555DL-T1-E3 | - | | 4248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1555 | MOSFET （金属 o化物） | 270MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V，8V | 660mA，570mA | 385MOHM @ 660mA，4.5V | 1.4V @ 250µA | 1.2nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
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