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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFR024TRPBF	1.2900	RFQ	208	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR024	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFL9014TRPBF	0.9300	RFQ	47	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9014	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	1.8A（TC）	10V	500MOHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFL014TRPBF	0.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	2.7A（TC）	10V	200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFL214pbf	-	RFQ	3606	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL214	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	250 v	790mA（tc）	10V	2ohm @ 470mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
irfr9020pbf	1.8700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IRFR9120pbf	1.4000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	P通道	100 v	5.6A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
irfr9310pbf	1.6900	RFQ	2904	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
irfrc20pbf	1.2900	RFQ	10	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFRC20TRRPBF	0.8236	RFQ	6797	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFU420pbf	1.3400	RFQ	9016	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU420	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFU420pbf	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
irfu320pbf	1.5100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU320	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu320pbf	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
irfu9024pbf	1.6400	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9024	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu9024pbf	Ear99	8541.29.0095	75	P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFD014PBF	1.3900	RFQ	248	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD014	MOSFET （金属 o化物）	4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD014PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	1.7A（TA）	10V	200mohm @ 1a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
IRFD120pbf	1.3900	RFQ	8	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD120	MOSFET （金属 o化物）	4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD120PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	1.3a（ta）	10V	270MOHM @ 780mA，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
IRFD214pbf	0.5880	RFQ	6004	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD214	MOSFET （金属 o化物）	4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD214PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	250 v	450mA（ta）	10V	2ohm @ 270mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRFP048RPBF	5.0600	RFQ	7453	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP048	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP048RPBF	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	60 V	70A（TC）	10V	18mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRFP260pbf	6.5100	RFQ	949	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP260	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP260pbf	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	200 v	46A（TC）	10V	55mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	280W（TC）
IRFPC50LCPBF	4.0688	RFQ	4345	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPC50LCPBF	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	11A（TC）	10V	600mohm @ 6.6a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRF840LCSPBF	1.5567	RFQ	8924	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRFIBC20GPBF	2.7300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBC20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIBC20GPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	1.7A（TC）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	30W（TC）
IRF9Z34PBF	1.8300	RFQ	745	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z34	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9Z34PBF	Ear99	8541.29.0095	50	P通道	60 V	18A（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	88W（TC）
irfbg20pbf	1.8300	RFQ	3338	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBG20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfbg20pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1000 v	1.4A（TC）	10V	11ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IRF644PBF	1.7300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF644	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF644PBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF540SPBF	2.3500	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF540	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF540SPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRL540SPBF	2.7000	RFQ	215	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL540	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRL540SPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	28a（TC）	4V，5V	77mohm @ 17a，5v	2V @ 250µA	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRFI630GPBF	2.9500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI630	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI630GPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	5.9a（TC）	10V	400MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRF840ALPBF	2.7800	RFQ	475	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF840	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF840ALPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRFBC40SPBF	4.4500	RFQ	1517年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC40SPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
IRFBC40ASPBF	4.4500	RFQ	464	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC40ASPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	1036 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRC640pbf	-	RFQ	9424	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRC640	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRC640pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	电流感应	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²