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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI5463EDC-T1-E3	-	RFQ	7368	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5463	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.8A（TA）	1.8V，4.5V	62MOHM @ 4A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	15 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.25W（TA）
SIHP15N60E-BE3	2.9500	RFQ	977	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 100 V	-	180W（TC）
SI3460DDV-T1-BE3	0.4400	RFQ	8960	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SI3460DDV-T1-BE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6.2A（ta），7.9a（tc）	1.8V，4.5V	28mohm @ 5.1a，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 8 V	±8V	666 pf @ 10 V	-	1.7W（ta），2.7W（TC）
2N5547JTXV01	-	RFQ	3922	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-71-6	2N5547			TO-71	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20		-								-
SIRA14DP-T1-GE3	0.6900	RFQ	8431	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira14	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	58A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	+20V，-16V	1450 pf @ 15 V	-	3.6W（TA），31.2W（tc）
IRFR014TRPBF-BE3	1.0000	RFQ	155	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）		742-IRFR014TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	7.7A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIHG150N60E-GE3	4.3000	RFQ	8547	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG150	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHG150N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	22a（TC）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SIR876ADP-T1-GE3	1.6700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir876	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	40a（TC）	4.5V，10V	10.8mohm @ 20a，10v	2.8V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	1630 PF @ 50 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
SQS142ELNW-T1_GE3	0.9700	RFQ	50	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	40 V	86A（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2442 PF @ 25 V	-	70W（TC）
SI2341DS-T1-GE3	-	RFQ	4512	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2341	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	2.5a（ta）	4.5V，10V	72MOHM @ 2.8A，10V	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 15 V	-	710MW（TA）
SIHG125N60EF-GE3	4.9100	RFQ	6891	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG125	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载		（1 （无限）		742-SIHG125N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±30V	1533 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SIHA20N50E-GE3	2.9600	RFQ	2581	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA20N50E-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	19a（tc）	10V	184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	34W（TC）
SISH892BDN-T1-GE3	0.8900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	6.8A（ta），20A（tc）	4.5V，10V	30.4mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	26.5 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 50 V	-	3.4W（TA），29W（tc）
SIRA16DP-T1-GE3	0.2240	RFQ	7092	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira16	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TA）	4.5V，10V	6.8mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	47 NC @ 10 V	+20V，-16V	2060 pf @ 15 V	-	-
SQJB46EP-T1_GE3	1.2200	RFQ	4536	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB46	MOSFET （金属 o化物）	34W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000	2 n通道		40V	30A（TC）		8mohm @ 8a，10v	3.3V @ 250µA	32NC @ 10V		1800pf @ 25V	-
2N5547JTXL01	-	RFQ	8055	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-71-6	2N5547			TO-71	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	40		-								-
SIE820DF-T1-E3	-	RFQ	2063	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	Sie820	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	2.5V，4.5V	3.5MOHM @ 18A，4.5V	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±12V	4300 PF @ 10 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SI4386DY-T1-E3	1.4000	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4386	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	7mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.47W（TA）
SMM2348ES-T1-GE3	-	RFQ	9464	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMM2348	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 15 V	-	3W（TC）
SI1405BDH-T1-GE3	-	RFQ	4668	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1405	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（TC）	1.8V，4.5V	112MOHM @ 2.8A，4.5V	950mv @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±8V	305 pf @ 4 V	-	1.47W（TA），2.27W（tc）
SQJQ480E-T1_GE3	3.0300	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ480	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	80 V	150a（TC）	10V	3mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	144 NC @ 10 V	±20V	8625 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SIZF5302DT-T1-RE3	1.7500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-PowerPair™	SIZF5302	MOSFET （金属 o化物）	3.8W（TA），48.1W（tc）	PowerPair®3x3fs	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZF5302DT-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	28.1a（TA），100A（tc）		3.2MOHM @ 10a，10v	2V @ 250µA	22.2nc @ 10V		1030pf @ 15V	-
SQ1470EH-T1-GE3	-	RFQ	8977	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1470	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.8A（TC）		65MOHM @ 3.8A，4.5V	1.6V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V		610 pf @ 25 V	-
IRFBF30STRLPBF	3.5800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SUP60N10-18P-E3	-	RFQ	7050	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	60a（TC）	8V，10V	18.3mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 50 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
SIR440DP-T1-GE3	2.0100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir440	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.55MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 10 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI8824EDB-T2-E1	0.4300	RFQ	34	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8824	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.1a（ta）	1.2V，4.5V	75MOHM @ 1A，4.5V	800MV @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±5V	400 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SI1012X-T1-GE3	0.4500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	SI1012	MOSFET （金属 o化物）		SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	500mA（ta）	1.8V，4.5V	700MOHM @ 600mA，4.5V	900mv @ 250µA	0.75 NC @ 4.5 V	±6V		-	250MW（TA）
SQ4840EY-T1_GE3	3.3100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4840	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	20.7A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	2440 pf @ 20 V	-	7.1W（TC）
IRFZ14PBF-BE3	1.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ14PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	10A（TC）		200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²