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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIE820DF-T1-GE3	2.4200	RFQ	730	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	Sie820	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	2.5V，4.5V	3.5MOHM @ 18A，4.5V	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±12V	4300 PF @ 10 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SIE832DF-T1-GE3	-	RFQ	5622	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	SIE832	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 14A，10V	3V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 20 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SIE854DF-T1-GE3	-	RFQ	6300	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE854	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	60a（TC）	10V	14.2MOHM @ 13.2A，10V	4.4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SIE860DF-T1-GE3	-	RFQ	2361	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（m）	SIE860	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（m）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 21.7A，10V	2.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	4500 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SIE864DF-T1-GE3	-	RFQ	3559	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（U）	Sie864	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（U）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	45A（TC）	4.5V，10V	5.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1510 pf @ 15 V	-	5.2W（TA），25W（25W）TC）
SIJ458DP-T1-GE3	-	RFQ	4687	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sij458	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	4810 PF @ 15 V	-	5W（5W），69.4W（TC）
SIR412DP-T1-GE3	-	RFQ	2765	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir412	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	20A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 10 V	-	3.9W（TA），15.6W（TC）
SIR414DP-T1-GE3	1.6400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir414	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	117 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 20 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SIR804DP-T1-GE3	2.8500	RFQ	6593	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir804	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	60a（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	2450 pf @ 50 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIR838DP-T1-GE3	-	RFQ	3144	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir838	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	35A（TC）	10V	33mohm @ 8.3a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2075 PF @ 75 V	-	5.4W（ta），96w（tc）
SIR846DP-T1-GE3	2.5100	RFQ	8527	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir846	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	60a（TC）	7.5V，10V	7.8mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2870 pf @ 50 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIR876DP-T1-GE3	-	RFQ	1737年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir876	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	40a（TC）	4.5V，10V	10.8mohm @ 20a，10v	2.8V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1640 pf @ 50 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
SIS412DN-T1-GE3	0.5900	RFQ	133	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS412	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 7.8a，10v	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	435 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），15.6W（tc）
SIS456DN-T1-GE3	-	RFQ	6152	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SIS892DN-T1-GE3	1.5900	RFQ	8714	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS892	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	30A（TC）	4.5V，10V	29mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	±20V	611 pf @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SUD50N02-09P-E3	-	RFQ	9366	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	20 v	20A（TA）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1300 pf @ 10 V	-	6.5W（TA），39.5W（TC）
SUD50P04-08-GE3	1.5000	RFQ	6216	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	8.1MOHM @ 22A，10V	2.5V @ 250µA	159 NC @ 10 V	±20V	5380 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），73.5W（tc）
SUM110N08-07P-E3	-	RFQ	6504	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	75 v	110A（TC）	10V	7mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	4250 pf @ 30 V	-	3.75W（TA），208.3W（tc）
SUM90N06-4M4P-E3	-	RFQ	3536	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	90A（TC）	10V	4.4mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	6190 pf @ 30 V	-	3.75W（TA），300W（tc）
SI1305DL-T1-GE3	-	RFQ	3780	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1305	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	860ma（ta）		280MOHM @ 1A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	4 NC @ 4.5 V			-	290MW（TA）
SI4190DY-T1-GE3	-	RFQ	5429	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4190	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	20A（TC）		8.8mohm @ 15a，10v	2.8V @ 250µA	58 NC @ 10 V		2000 pf @ 50 V	-
SI4500BDY-T1-GE3	-	RFQ	7817	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4500	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		20V	6.6a，3.8a		20mohm @ 9.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SUP50N03-5M1P-GE3	-	RFQ	4450	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 22A，10V	2.5V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	2780 pf @ 15 V	-	2.7W（TA），59.5W（tc）
SUP90N04-3M3P-GE3	-	RFQ	7148	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	40 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 22a，10v	2.5V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±20V	5286 pf @ 20 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI1025X-T1-GE3	0.5100	RFQ	61	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1025	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		60V	190mA		4ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	1.7nc @ 15V		23pf @ 25V	逻辑级别门
SI1056X-T1-GE3	-	RFQ	6579	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1056	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	1.32A（TA）	1.8V，4.5V	89mohm @ 1.32a，4.5V	950mv @ 250µA	8.7 NC @ 5 V	±8V	400 pf @ 10 V	-	236MW（TA）
SI1405BDH-T1-GE3	-	RFQ	4668	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1405	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（TC）	1.8V，4.5V	112MOHM @ 2.8A，4.5V	950mv @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±8V	305 pf @ 4 V	-	1.47W（TA），2.27W（tc）
SI1417EDH-T1-GE3	-	RFQ	9164	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1417	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	2.7a（ta）	1.8V，4.5V	85mohm @ 3.3a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	8 NC @ 4.5 V	±12V		-	1W（ta）
SI1426DH-T1-GE3	-	RFQ	2951	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1426	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	2.8A（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 3.6A，10V	2.5V @ 250µA	3 NC @ 4.5 V	±20V		-	1W（ta）
SI1499DH-T1-GE3	0.6700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1499	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（TC）	1.2V，4.5V	78MOHM @ 2A，4.5V	800MV @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±5V	650 pf @ 4 V	-	2.5W（2.78W）（2.78W）TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²