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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
VP0300B-E3	-	RFQ	2220	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-		-	VP0300	MOSFET （金属 o化物）			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		P通道	30 V	320mA（TA）		2.5OHM @ 1A，12V	4.5V @ 1mA			150 pf @ 15 V	-	-
SI2302DDS-T1-BE3	0.4400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2302DDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.6a（ta）	2.5V，4.5V	57MOHM @ 3.6A，4.5V	850mv @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	710MW（TA）
SI2333CDS-T1-BE3	0.6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	5.1a（ta），7.1a（7.1a）TC）	1.8V，4.5V	35MOHM @ 5.1A，4.5V	1V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±8V	1225 pf @ 6 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SI5511DC-T1-GE3	-	RFQ	3247	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5511	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，2.6W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		30V	4a，3.6a		55MOHM @ 4.8A，4.5V	2V @ 250µA	7.1nc @ 5V		435pf @ 15V	逻辑级别门
SI4462DY-T1-GE3	-	RFQ	2403	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4462	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	1.15A（TA）	6V，10V	480MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
SIJA58ADP-T1-GE3	0.9800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA58	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	32.3a（TA），109a （TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	+20V，-16V	3030 pf @ 20 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
SQJQ100EL-T1_GE3	3.0300	RFQ	2552	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ100	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	200a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	14500 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SQ4431EY-T1_GE3	1.0300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4431	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	10.8A（TC）	10V	30mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1265 pf @ 15 V	-	6W（TC）
IRFU9110	-	RFQ	5198	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9110	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI6433BDQ-T1-E3	-	RFQ	5047	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6433	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	40MOHM @ 4.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.05W（TA）
SIHFR430ATR-GE3	0.4263	RFQ	2827	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR430	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHFR430ATR-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SI3447BDV-T1-GE3	-	RFQ	5935	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3447	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	40mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.1W（TA）
IRF640STRR	-	RFQ	5661	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
SIHA5N80AE-GE3	1.3800	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHA5N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	3A（TC）	10V	1.35OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	321 PF @ 100 V	-	29W（TC）
SIHS90N65E-GE3	20.6200	RFQ	233	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHS90N65E-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	87A（TC）	10V	29mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	591 NC @ 10 V	±30V	11826 PF @ 100 V	-	625W（TC）
SIHG068N60EF-GE3	6.0600	RFQ	17	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG068	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载		（1 （无限）		742-SIHG068N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	41A（TC）	10V	68mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±30V	2628 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIR888DP-T1-GE3	-	RFQ	6224	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir888	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	40a（TC）	4.5V，10V	3.25mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±16V	5065 pf @ 15 V	-	5W（5W），48W（（（（（
2N6661JTXV02	-	RFQ	3690	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6661	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道	90 v	860mA（tc）	5V，10V	4ohm @ 1A，10V	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
SIR624DP-T1-GE3	1.2000	RFQ	5356	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir624	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	18.6a（TC）	7.5V，10V	60mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 7.5 V	±20V	1110 PF @ 100 V	-	52W（TC）
SI7421DN-T1-E3	1.4600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7421	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.4a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 9.8a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRFPG30pbf	3.5400	RFQ	161	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPG30PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	1000 v	3.1A（TC）	10V	5ohm @ 1.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	980 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFIBF30G	-	RFQ	4558	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIBF30G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	900 v	1.9A（TC）	10V	3.7OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SI4554DY-T1-GE3	0.7900	RFQ	2207	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4554	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，3.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	8a		24mohm @ 6.8a，10v	2.2V @ 250µA	20NC @ 10V		690pf @ 20V	逻辑级别门
SI9433BDY-T1-E3	0.8900	RFQ	17	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9433	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	4.5A（ta）	2.7V，4.5V	40mohm @ 6.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SI2392ADS-T1-BE3	0.5400	RFQ	2716	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2392ADS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	2.2A（ta），3.1a（3.1a）TC）	4.5V，10V	126mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	196 pf @ 50 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SIJH5800E-T1-GE3	6.5400	RFQ	8664	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	80 V	30a（30a），302a（tc）	7.5V，10V	1.35MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	7730 PF @ 40 V	-	3.3W（333W）（333W（tc）
SI4774DY-T1-GE3	0.3900	RFQ	65	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4774	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.3V @ 1mA	14.3 NC @ 4.5 V	±20V	1025 pf @ 15 V	（（（）	5W（TC）
SIHA150N60E-GE3	3.6100	RFQ	9374	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha150	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHA150N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	9A（TC）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SI7120DN-T1-GE3	-	RFQ	1466	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	PowerPak®1212-8	SI7120	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	6.3a（ta）		19mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V			-
SIHA22N60E-GE3	3.9000	RFQ	997	Vishay Siliconix	El	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	8A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	35W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²