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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHB28N60EF-T5-GE3	6.2000	RFQ	6563	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	742-SIHB28N60EF-T5-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	28a（TC）	10V	123mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2714 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIHA22N60EL-GE3	4.1700	RFQ	1511	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）	742-SIHA22N60EL-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	197mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	1690 pf @ 100 V	-	35W（TC）
SQJ980AEP-T1_BE3	1.1900	RFQ	9408	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ980	MOSFET （金属 o化物）	34W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）	742-SQJ980AEP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		75V	17a（TC）		50MOHM @ 3.8A，10V	2.5V @ 250µA	21NC @ 10V		790pf @ 35V	-
SQJ414EP-T1_BE3	0.9400	RFQ	1352	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）	742-SQJ414EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	12MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 15 V	-	45W（TC）
SQ3469EV-T1_BE3	0.6200	RFQ	8	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）	742-SQ3469EV-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8A（TC）	4.5V，10V	36mohm @ 6.7a，10v	2.5V @ 25µA	27 NC @ 10 V	±20V	1020 pf @ 10 V	-	5W（TC）
sihp35n60e-be3	6.0500	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	32A（TC）	10V	94mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±30V	2760 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIHP15N50E-BE3	2.2000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	14.5A（TC）	10V	280MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±30V	1162 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SIDR680DP-T1-RE3	2.9200	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）	742-SIDR680DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	32.8A（TA），100A（tc）	7.5V，10V	2.9mohm @ 20a，10v	3.4V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SIHP25N60EFL-BE3	4.7300	RFQ	942	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	25A（TC）	10V	146MOHM @ 12.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	2274 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIHA22N60AE-GE3	3.6200	RFQ	998	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	8A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	1451 PF @ 100 V	-	33W（TC）
SI3440ADV-T1-BE3	0.4700	RFQ	6506	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）	742-SI3440ADV-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	1.6A（ta），2.2a （TC）	7.5V，10V	380MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	4 NC @ 10 V	±20V	80 pf @ 75 V	-	2W（TA），3.6W（TC）
SI2323DDS-T1-BE3	0.5900	RFQ	5053	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	742-SI2323DDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	4.1a（ta），5.3a tc（TC）	1.8V，4.5V	39MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA	36 NC @ 8 V	±8V	1160 pf @ 10 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
SIS4604DN-T1-GE3	0.9700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS4604	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14.6A（TA），44.4a （TC）	7.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	960 pf @ 30 V	-	3.6W（TA），33.7W（TC）
SIR4608LDP-T1-GE3	1.2300	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIR4608	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	13.3A（TA），43.4a （TC）	4.5V，10V	11.5mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	905 pf @ 30 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
SIHH250N60EF-T1GE3	4.3200	RFQ	50	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	915 PF @ 100 V	-	89W（TC）
SIR5710DP-T1-RE3	1.4300	RFQ	1431	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	7.8a（ta），26.8a tc）	7.5V，10V	31.5mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 75 V	-	4.8W（TA），56.8W（tc）
SISS5110DN-T1-GE3	1.6600	RFQ	5692	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS5110	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	13.4A（TA），46.4a （TC）	7.5V，10V	8.9MOHM @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	920 PF @ 50 V	-	4.8W（TA），56.8W（tc）
SQJQ936E-T1_GE3	3.0100	RFQ	8828	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ936	MOSFET （金属 o化物）	75W（TC）	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		40V	100A（TC）		2.3MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	113nc @ 10V		6600pf @ 25V	-
SQ2309CES-T1_GE3	-	RFQ	5634	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	1.7A（TC）	4.5V，10V	370MOHM @ 1.25A，10V	2.5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±20V	265 pf @ 25 V	-	2W（TC）
SQS120ELNW-T1_GE3	1.0300	RFQ	9729	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	192a（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	4590 pf @ 25 V	-	119W（TC）
SIA471DJ-T1-GE3	0.5900	RFQ	8282	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA471	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	12.9a（ta），30.3a tc）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	27.8 NC @ 10 V	+16V，-20V	1170 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SISF20DN-T1-GE3	1.5900	RFQ	6407	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8SCD双重	SISF20	MOSFET （金属 o化物）	5.2W（ta），69.4W（TC）	POWERPAK®1212-8SCD双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	（14A）（52A（ta）（TC）		13mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	33nc @ 10V		1290pf @ 30V	-
SISS73DN-T1-GE3	1.5100	RFQ	5309	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS73	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	4.4A（TA），16.2a tc）	10V	125mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	719 PF @ 75 V	-	5.1W（TA），65.8W（tc）
sihll110tr-ge3	0.6500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Sihll110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.5A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 900mA，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFZ34SPBF	1.5800	RFQ	6732	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SIHB11N80E-GE3	3.8100	RFQ	3833	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SIHB11	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	12A（TC）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	1670 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SIHD2N80AE-GE3	0.5174	RFQ	1677年	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2266-SIHD2N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	800 v	2.9a（TC）	10V	2.9ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	180 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
SIHG22N60EF-GE3	4.2500	RFQ	456	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG22	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	19a（tc）	10V	182Mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SQJA78EP-T1_GE3	1.7100	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA78	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	72A（TC）	10V	5.3MOHM @ 10a，10v	3.3V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SIS128LDN-T1-GE3	0.9900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS128	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	10.2a（ta），33.7a（tc）	4.5V，10V	15.6mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 40 V	-	3.6W（39W），39w（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²