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离散半导体产品（（5717）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
IRFPC48 Vishay Siliconix IRFPC48 -
RFQ
 ECAD 6967 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IRFPC48 MOSFET （金属 o化物） TO-247AC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 8.9a（TC） 10V 820MOHM @ 5.3A，10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 25 V - 170W（TC）
IRFPF40 Vishay Siliconix IRFPF40 -
RFQ
 ECAD 2484 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IRFPF40 MOSFET （金属 o化物） TO-247AC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFPF40 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 900 v 4.7A（TC） 10V 2.5OHM @ 2.8A，10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 25 V - 150W（TC）
IRFR214 Vishay Siliconix IRFR214 -
RFQ
 ECAD 7254 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IRFR214 MOSFET （金属 o化物） D-pak - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFR214 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 250 v 2.2A（TC） 10V 2ohm @ 1.3A，10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±20V 140 pf @ 25 V - 2.5W（25W），25W（tc）
IRFR9014TR Vishay Siliconix IRFR9014TR -
RFQ
 ECAD 6319 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IRFR9014 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 60 V 5.1A（TC） 10V 500MOHM @ 3.1A，10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 270 pf @ 25 V - 2.5W（25W），25W（tc）
IRFR9120TR Vishay Siliconix IRFR9120Tr -
RFQ
 ECAD 1952年 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IRFR9120 MOSFET （金属 o化物） D-pak - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 100 v 5.6A（TC） 10V 600MOHM @ 3.4A，10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 390 pf @ 25 V - 2.5W（TA），42W（TC）
IRFR9120TRL Vishay Siliconix IRFR9120Trl -
RFQ
 ECAD 7811 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IRFR9120 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 100 v 5.6A（TC） 10V 600MOHM @ 3.4A，10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 390 pf @ 25 V - 2.5W（TA），42W（TC）
IRFU210 Vishay Siliconix IRFU210 -
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA irfu2 MOSFET （金属 o化物） TO-251AA 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFU210 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 200 v 2.6A（TC） 10V 1.5OHM @ 1.6A，10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±20V 140 pf @ 25 V - 2.5W（25W），25W（tc）
IRFU320 Vishay Siliconix IRFU320 -
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA irfu3 MOSFET （金属 o化物） TO-251AA 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFU320 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 400 v 3.1A（TC） 10V 1.8OHM @ 1.9a，10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 350 pf @ 25 V - 2.5W（TA），42W（TC）
IRFU9014 Vishay Siliconix IRFU9014 -
RFQ
 ECAD 3953 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA IRFU9 MOSFET （金属 o化物） TO-251AA 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFU9014 Ear99 8541.29.0095 75 P通道 60 V 5.1A（TC） 10V 500MOHM @ 3.1A，10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 270 pf @ 25 V - 2.5W（25W），25W（tc）
IRFU9220 Vishay Siliconix IRFU9220 -
RFQ
 ECAD 1889年 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA IRFU9 MOSFET （金属 o化物） TO-251AA 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFU9220 Ear99 8541.29.0095 75 P通道 200 v 3.6A（TC） 10V 1.5OHM @ 2.2a，10v 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 340 pf @ 25 V - 2.5W（TA），42W（TC）
IRFZ24S Vishay Siliconix IRFZ24 -
RFQ
 ECAD 2518 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IRFZ24 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFZ24S Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 17a（TC） 10V 100mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 640 pf @ 25 V - 3.7W（TA），60W（TC）
IRFZ30 Vishay Siliconix IRFZ30 -
RFQ
 ECAD 3175 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRFZ30 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFZ30 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 50 V 30A（TC） 10V 50mohm @ 16a，10v 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 25 V - 74W（TC）
IRFZ34 Vishay Siliconix IRFZ34 -
RFQ
 ECAD 6877 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRFZ34 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFZ34 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 30A（TC） 10V 50mohm @ 18a，10v 4V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 25 V - 88W（TC）
IRFZ40 Vishay Siliconix IRFZ40 -
RFQ
 ECAD 5889 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRFZ40 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFZ40 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 50A（TC） 10V 28mohm @ 31a，10v 4V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 25 V - 150W（TC）
IRF530S Vishay Siliconix IRF530 -
RFQ
 ECAD 4348 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IRF530 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF530 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 14A（TC） 10V 160MOHM @ 8.4a，10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 670 pf @ 25 V - 3.7W（TA），88W（TC）
IRF640S Vishay Siliconix IRF640S -
RFQ
 ECAD 6507 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IRF640 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 18A（TC） 10V 180mohm @ 11a，10v 4V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 3.1W（TA），130W（tc）
IRF840LC Vishay Siliconix IRF840LC -
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF840 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） *IRF840LC Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 8A（TC） 10V 850MOHM @ 4.8A，10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 125W（TC）
IRL530STRR Vishay Siliconix IRL530STRR -
RFQ
 ECAD 5589 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IRL530 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 15A（TC） 4V，5V 160MOHM @ 9A，5V 2V @ 250µA 28 NC @ 5 V ±10V 930 PF @ 25 V - 3.7W（TA），88W（TC）
IRL640S Vishay Siliconix IRL640S -
RFQ
 ECAD 5588 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IRL640 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRL640S Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 17a（TC） 4V，5V 180mohm @ 10a，5v 2V @ 250µA 66 NC @ 5 V ±10V 1800 pf @ 25 V - 3.1W（ta），125W（tc）
IRLR014TR Vishay Siliconix irlr014tr -
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IRLR014 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 7.7A（TC） 4V，5V 200mohm @ 4.6A，5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 V ±10V 400 pf @ 25 V - 2.5W（25W），25W（tc）
IRLR110 Vishay Siliconix IRLR110 -
RFQ
 ECAD 2708 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IRLR110 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs不合规 （1 （无限） *IRLR110 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 4.3A（TC） 4V，5V 540MOHM @ 2.6a，5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 V ±10V 250 pf @ 25 V - 2.5W（25W），25W（tc）
IRFP450LC Vishay Siliconix IRFP450LC -
RFQ
 ECAD 3800 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IRFP450 MOSFET （金属 o化物） TO-247AC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFP450LC Ear99 8541.29.0095 500 n通道 500 v 14A（TC） 10V 400MOHM @ 8.4a，10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 V ±30V 2200 PF @ 25 V - 190w（TC）
IRFUC20 Vishay Siliconix IRFUC20 -
RFQ
 ECAD 9823 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA IRFUC20 MOSFET （金属 o化物） TO-251AA 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFUC20 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 600 v 2A（TC） 10V 4.4OHM @ 1.2A，10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 350 pf @ 25 V - 2.5W（TA），42W（TC）
IRF820A Vishay Siliconix IRF820a -
RFQ
 ECAD 2120 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF820 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF820A Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 2.5A（TC） 10V 3ohm @ 1.5A，10V 4.5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 340 pf @ 25 V - 50W（TC）
IRFI740GLC Vishay Siliconix IRFI740GLC -
RFQ
 ECAD 4993 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IRFI740 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFI740GLC Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 400 v 5.7A（TC） 10V 550MOHM @ 3.4A，10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 40W（TC）
IRLIZ14G Vishay Siliconix irliz14g -
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IRLIZ14 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *irliz14g Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 8A（TC） 4V，5V 200mohm @ 4.8A，5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 V ±10V 400 pf @ 25 V - 27W（TC）
IRFBC20L Vishay Siliconix IRFBC20L -
RFQ
 ECAD 9270 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA IRFBC20 MOSFET （金属 o化物） i2pak 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFBC20L Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 2.2A（TC） 10V 4.4OHM @ 1.3A，10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 350 pf @ 25 V - 3.1W（ta），50W（TC）
IRFSL11N50A Vishay Siliconix IRFSL11N50A -
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA IRFSL11 MOSFET （金属 o化物） TO-262-3 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFSL11N50A Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 11A（TC） 10V 550MOHM @ 6.6A，10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 V ±30V 1426 PF @ 25 V - 190w（TC）
IRFI9634G Vishay Siliconix IRFI9634G -
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IRFI9634 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFI9634G Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 250 v 4.1A（TC） 10V 1欧姆 @ 2.5A，10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 680 pf @ 25 V - 35W（TC）
IRLR120TRL Vishay Siliconix irlr120trl -
RFQ
 ECAD 5658 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IRLR120 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 7.7A（TC） 4V，5V 270MOHM @ 4.6A，5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 V ±10V 490 pf @ 25 V - 2.5W（TA），42W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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