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离散半导体产品（（5717）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
IRFZ44RSTRR Vishay Siliconix IRFZ44RSTRR -
RFQ
 ECAD 7617 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IRFZ44 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 50A（TC） 10V 28mohm @ 31a，10v 4V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 25 V - 150W（TC）
IRFB17N60K Vishay Siliconix IRFB17N60K -
RFQ
 ECAD 8132 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRFB17 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFB17N60K Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 17a（TC） 10V 420MOHM @ 10a，10v 5V @ 250µA 99 NC @ 10 V ±30V 2700 PF @ 25 V - 340W（TC）
IRF1405ZTRL Vishay Siliconix irf1405ztrl -
RFQ
 ECAD 4583 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF1405 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A（TC） 10V 4.9MOHM @ 75A，10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 4780 pf @ 25 V - 230W（TC）
IRF3205ZSTRR Vishay Siliconix IRF3205ZSTRR -
RFQ
 ECAD 6474 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IRF3205 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A（TC） 10V 6.5MOHM @ 66A，10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 3450 pf @ 25 V - 170W（TC）
IRF9640 Vishay Siliconix IRF9640 -
RFQ
 ECAD 3506 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF9640 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF9640 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 200 v 11A（TC） 10V 500MOHM @ 6.6a，10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 25 V - 125W（TC）
IRF9620 Vishay Siliconix IRF9620 -
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF9620 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF9620 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 200 v 3.5A（TC） 10V 1.5OHM @ 1.5A，10V 4V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 350 pf @ 25 V - 40W（TC）
IRF9630 Vishay Siliconix IRF9630 -
RFQ
 ECAD 5324 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF9630 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF9630 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 200 v 6.5A（TC） 10V 800MOHM @ 3.9A，10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 25 V - 74W（TC）
IRF740 Vishay Siliconix IRF740 -
RFQ
 ECAD 6753 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF740 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 400 v 10A（TC） 10V 550MOHM @ 6A，10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 125W（TC）
IRFZ14 Vishay Siliconix IRFZ14 -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRFZ14 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFZ14 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 10A（TC） 10V 200mohm @ 6a，10v 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 300 pf @ 25 V - 43W（TC）
IRF510 Vishay Siliconix IRF510 -
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF510 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF510 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 5.6A（TC） 10V 540MOHM @ 3.4A，10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±20V 180 pf @ 25 V - 43W（TC）
IRLZ34 Vishay Siliconix IRLZ34 -
RFQ
 ECAD 5910 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRLZ34 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRLZ34 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 30A（TC） 4V，5V 50mohm @ 18a，5v 2V @ 250µA 35 NC @ 5 V ±10V 1600 pf @ 25 V - 88W（TC）
IRFP340 Vishay Siliconix IRFP340 -
RFQ
 ECAD 1379 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IRFP340 MOSFET （金属 o化物） TO-247AC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFP340 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 400 v 11A（TC） 10V 550MOHM @ 6.6A，10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 150W（TC）
IRFPG30 Vishay Siliconix IRFPG30 -
RFQ
 ECAD 9904 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IRFPG30 MOSFET （金属 o化物） TO-247AC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFPG30 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 1000 v 3.1A（TC） 10V 5ohm @ 1.9a，10v 4V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±20V 980 pf @ 25 V - 125W（TC）
IRF830S Vishay Siliconix IRF830 -
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IRF830 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF830S Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 4.5A（TC） 10V 1.5OHM @ 2.7a，10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 610 pf @ 25 V - 3.1W（ta），74W（tc）
IRF840S Vishay Siliconix IRF840S -
RFQ
 ECAD 4727 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IRF840 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF840S Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 8A（TC） 10V 850MOHM @ 4.8A，10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 3.1W（ta），125W（tc）
IRF9Z14 Vishay Siliconix IRF9Z14 -
RFQ
 ECAD 3487 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF9 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF9Z14 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 60 V 6.7A（TC） 10V 500MOHM @ 4A，10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 270 pf @ 25 V - 43W（TC）
IRFD310 Vishay Siliconix IRFD310 -
RFQ
 ECAD 7524 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） IRFD310 MOSFET （金属 o化物） 4-HVMDIP 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFD310 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 400 v 350mA（ta） 10V 3.6ohm @ 210mA，10v 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 170 pf @ 25 V - 1W（ta）
IRFD9010 Vishay Siliconix IRFD9010 -
RFQ
 ECAD 2341 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） IRFD9010 MOSFET （金属 o化物） 4-HVMDIP 下载 Rohs不合规 （1 （无限） *IRFD9010 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 50 V 1.1A（TC） 10V 500MOHM @ 580mA，10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 240 pf @ 25 V - 1W（TC）
IRFI614G Vishay Siliconix IRFI614G -
RFQ
 ECAD 9819 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IRFI614 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFI614G Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 2.1A（TC） 10V 2ohm @ 1.3A，10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±20V 140 pf @ 25 V - 23W（TC）
IRFI644G Vishay Siliconix IRFI644G -
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IRFI644 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFI644G Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 7.9A（TC） 10V 280MOHM @ 4.7A，10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 40W（TC）
IRFI744G Vishay Siliconix IRFI744G -
RFQ
 ECAD 3309 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IRFI744 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFI744G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 4.9A（TC） 10V 630mohm @ 2.9a，10v 4V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 40W（TC）
IRFIB6N60A Vishay Siliconix IRFIB6N60A -
RFQ
 ECAD 1946年 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IRFIB6 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFIB6N60A Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 5.5A（TC） 10V 750MOHM @ 3.3A，10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±30V 1400 pf @ 25 V - 60W（TC）
IRFIB7N50A Vishay Siliconix IRFIB7N50A -
RFQ
 ECAD 7980 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IRFIB7 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFIB7N50A Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 6.6A（TC） 10V 520MOHM @ 4A，10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 V ±30V 1423 PF @ 25 V - 60W（TC）
IRFIBE30G Vishay Siliconix Irfibe30g -
RFQ
 ECAD 7413 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 Irfibe30 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *irfibe30g Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 800 v 2.1A（TC） 10V 3ohm @ 1.3A，10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 35W（TC）
IRFIZ24G Vishay Siliconix irfiz24g -
RFQ
 ECAD 9931 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IRFIZ24 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *irfiz24g Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 14A（TC） 10V 100mohm @ 8.4a，10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 640 pf @ 25 V - 37W（TC）
IRFL214 Vishay Siliconix IRFL214 -
RFQ
 ECAD 5602 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA IRFL214 MOSFET （金属 o化物） SOT-223 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFL214 Ear99 8541.29.0095 80 n通道 250 v 790mA（tc） 10V 2ohm @ 470mA，10v 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±20V 140 pf @ 25 V - 2W（TA），3.1W（TC）
IRFPC48 Vishay Siliconix IRFPC48 -
RFQ
 ECAD 6967 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IRFPC48 MOSFET （金属 o化物） TO-247AC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 8.9a（TC） 10V 820MOHM @ 5.3A，10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 25 V - 170W（TC）
IRFPF40 Vishay Siliconix IRFPF40 -
RFQ
 ECAD 2484 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IRFPF40 MOSFET （金属 o化物） TO-247AC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFPF40 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 900 v 4.7A（TC） 10V 2.5OHM @ 2.8A，10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 25 V - 150W（TC）
IRFR214 Vishay Siliconix IRFR214 -
RFQ
 ECAD 7254 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IRFR214 MOSFET （金属 o化物） D-pak - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRFR214 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 250 v 2.2A（TC） 10V 2ohm @ 1.3A，10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±20V 140 pf @ 25 V - 2.5W（25W），25W（tc）
IRFR9014TR Vishay Siliconix IRFR9014TR -
RFQ
 ECAD 6319 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IRFR9014 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 60 V 5.1A（TC） 10V 500MOHM @ 3.1A，10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 270 pf @ 25 V - 2.5W（25W），25W（tc）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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