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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF9Z34PBF	1.8300	RFQ	745	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9Z34PBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	18A（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	88W（TC）
SI5485DU-T1-GE3	-	RFQ	4626	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5485	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	2.5V，4.5V	25mohm @ 5.9a，4.5V	1.5V @ 250µA	42 NC @ 8 V	±12V	1100 pf @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SIHD7N60ET5-GE3	0.8080	RFQ	7810	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD7	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	78W（TC）
SI7850DP-T1-E3	2.0000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7850	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 10.3a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V		-	1.8W（TA）
SI6463BDQ-T1-GE3	-	RFQ	3319	Vishay Siliconix	Trechfet®	（CT）	过时的		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6463	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6.2a（ta）		15mohm @ 7.4a，4.5V	800MV @ 250µA	60 NC @ 5 V			-
IRLI540GPBF	2.1600	RFQ	364	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	17a（TC）	4V，5V	77mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SIR178DP-T1-RE3	1.7200	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir178	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR178DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	（100A）（ta），430a tc）（TC）	2.5V，10V	0.4mohm @ 30a，10v	1.5V @ 250µA	310 NC @ 10 V	+12V，-8V	12430 PF @ 10 V	-	6.3W（ta），104W（tc）
SQ2310ES-T1_GE3	0.9000	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2310	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6A（TC）	1.5V，4.5V	30mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	485 pf @ 10 V	-	2W（TC）
sum40n02-12p-e3	-	RFQ	8901	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum40	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	20 v	40a（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1000 pf @ 10 V	-	3.75W（ta），83W（tc）
SI4778DY-T1-GE3	-	RFQ	8387	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4778	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	8A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 7a，10v	2.2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±16V	680 pf @ 13 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
IRFB16N60LPBF	-	RFQ	9786	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB16	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB16N60LPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	16A（TC）	10V	460MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±30V	2720 PF @ 25 V	-	310W（TC）
SIA425EDJ-T1-GE3	-	RFQ	2797	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA425	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	60mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA		±12V		-	2.9W（TA），15.6W（TC）
SIA471DJ-T1-GE3	0.5900	RFQ	8282	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA471	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	12.9a（ta），30.3a tc）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	27.8 NC @ 10 V	+16V，-20V	1170 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SISF20DN-T1-GE3	1.5900	RFQ	6407	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8SCD双重	SISF20	MOSFET （金属 o化物）	5.2W（ta），69.4W（TC）	POWERPAK®1212-8SCD双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	（14A）（52A（ta）（TC）		13mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	33nc @ 10V		1290pf @ 30V	-
SQM50034EL_GE3	2.1900	RFQ	450	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM50034	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SISS73DN-T1-GE3	1.5100	RFQ	5309	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS73	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	4.4A（TA），16.2a tc）	10V	125mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	719 PF @ 75 V	-	5.1W（TA），65.8W（tc）
SIHD2N80AE-GE3	0.5174	RFQ	1677年	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2266-SIHD2N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	800 v	2.9a（TC）	10V	2.9ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	180 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
SIHG22N60EF-GE3	4.2500	RFQ	456	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG22	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	19a（tc）	10V	182Mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SQJA78EP-T1_GE3	1.7100	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA78	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	72A（TC）	10V	5.3MOHM @ 10a，10v	3.3V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SIS128LDN-T1-GE3	0.9900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS128	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	10.2a（ta），33.7a（tc）	4.5V，10V	15.6mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 40 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
SUP60020E-GE3	3.1100	RFQ	198	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60020	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	150a（TC）	7.5V，10V	2.4mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	227 NC @ 10 V	±20V	10680 pf @ 40 V	-	375W（TC）
sihll110tr-ge3	0.6500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Sihll110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.5A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 900mA，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFZ34SPBF	1.5800	RFQ	6732	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SIHB11N80E-GE3	3.8100	RFQ	3833	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB11	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	12A（TC）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	1670 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SQJA36EP-T1_GE3	1.9800	RFQ	2113	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA36	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJA36EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	350a（TC）	10V	1.24mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	6636 PF @ 25 V	-	500W（TC）
SQJ464EP-T2_GE3	0.3687	RFQ	7735	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ464	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ464EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	32A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 7.1a，10v	2.5V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2086 PF @ 30 V	-	45W（TC）
SQJB60EP-T2_GE3	0.5045	RFQ	7206	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB60	MOSFET （金属 o化物）	48W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJB60EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	30A（TC）		12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		1600pf @ 25V	-
SIHF9640S-GE3	0.9592	RFQ	6687	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF9640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHF9640S-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
SIA456DJ-T3-GE3	0.3589	RFQ	1335	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIA456DJ-T3-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	200 v	1.1a（TA），2.6a tc）	1.8V，4.5V	1.38OHM @ 750mA，4.5V	1.4V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 100 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SIR626ADP-T1-RE3	2.0600	RFQ	23	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir626	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	40.4A（TA），165a（tc）	6V，10V	1.75MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	3770 pf @ 30 V	-	6.25W（TA），104W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²