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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQ4050EY-T1_GE3	1.0500	RFQ	1908年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4050	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	19a（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2406 pf @ 20 V	-	6W（TC）
SIHK155N60E-T1-GE3	5.3300	RFQ	6952	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn	SIHK155	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	19a（tc）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SIHW47N65E-GE3	-	RFQ	6900	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHW47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	650 v	47A（TC）	10V	72MOHM @ 24A，10V	4V @ 250µA	273 NC @ 10 V	±20V	5682 PF @ 100 V	-	417W（TC）
SUC85N15-19DWF	-	RFQ	5169	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-	-	-	SUC85	-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1		-		-	-	-	-		-		-	-
SQJ411EP-T1_GE3	1.3300	RFQ	19	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ411	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	60a（TC）	2.5V，4.5V	5.8MOHM @ 15a，4.5V	1.5V @ 250µA	150 NC @ 4.5 V	±8V	9100 PF @ 6 V	-	68W（TC）
IRF9Z14STRL	-	RFQ	1946年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
2N6661	-	RFQ	9123	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6661	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道	90 v	860mA（tc）	5V，10V	4ohm @ 1A，10V	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
SQJ264EP-T1_GE3	1.6100	RFQ	9441	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ264	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC），48W（tc）	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	20A（TC），54A （TC）		20mohm @ 6a，10v，8.6mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	16nc @ 10v，32nc @ 10V		1000pf @ 25V，2100pf @ 25V	-
IRFD010	-	RFQ	1858年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD010	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD010	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	50 V	1.7A（TC）	10V	200mohm @ 860mA，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	1W（TC）
SIHP17N60D-E3	1.7493	RFQ	4844	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP17N60DE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	17a（TC）	10V	340MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	1780 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
SIHH100N60E-T1-GE3	3.6787	RFQ	1880年	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH100	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	28a（TC）	10V	100mohm @ 13.5a，10v	5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 100 V	-	174W（TC）
SI4814BDY-T1-GE3	-	RFQ	8091	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4814	MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	10a，10.5a		18mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF644PBF	1.7300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF644PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI3983DV-T1-E3	-	RFQ	5709	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3983	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.1a		110MOHM @ 2.5a，4.5V	1.1V @ 250µA	7.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFZ14	-	RFQ	6678	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ14	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SI4500BDY-T1-GE3	-	RFQ	7817	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4500	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		20V	6.6a，3.8a		20mohm @ 9.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4668DY-T1-E3	-	RFQ	9051	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4668	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	16.2A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 15A，10V	2.6V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±16V	1654 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SIRA90DP-T1-RE3	1.5500	RFQ	13	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira90	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.8MOHM @ 20a，10v	2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	+20V，-16V	10180 pf @ 15 V	-	104W（TC）
SI1926DL-T1-E3	0.4100	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1926	MOSFET （金属 o化物）	510MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	370mA		1.4OHM @ 340mA，10V	2.5V @ 250µA	1.4NC @ 10V		18.5pf @ 30V	逻辑级别门
SI5853CDC-T1-E3	-	RFQ	3250	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5853	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4A（TC）	1.8V，4.5V	104mohm @ 2.5A，4.5V	1V @ 250µA	11 NC @ 8 V	±8V	350 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.5W（TA），3.1W（TC）
SI8435DB-T1-E1	-	RFQ	2179	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8435	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	10A（TC）	1.5V，4.5V	41MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±5V	1600 PF @ 10 V	-	2.78W（ta），6.25W（tc）
SIR414DP-T1-GE3	1.6400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir414	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	117 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 20 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI4830CDY-T1-GE3	-	RFQ	2801	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4830	MOSFET （金属 o化物）	2.9W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	8a		20mohm @ 8a，10v	3V @ 1mA	25nc @ 10V		950pf @ 15V	逻辑级别门
SI7940DP-T1-E3	-	RFQ	9697	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7940	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		12V	7.6a		17mohm @ 11.8a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF9620pbf	1.6800	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9620pbf	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFBE30L	-	RFQ	7369	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBE30	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBE30L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	4.1A（TC）	10V	3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIHG17N80E-GE3	5.4100	RFQ	9174	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG17	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2408 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI2316BDS-T1-E3	0.5900	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2316	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 3.9a，10v	3V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.66W（tc）
IRFI640GPBF	3.6700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI640GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9.8A（TC）	10V	180mohm @ 5.9a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SI6928DQ-T1-GE3	-	RFQ	7157	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6928	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	4a		35mohm @ 4A，10V	1V @ 250µA	14NC @ 5V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²