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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SISS5708DN-T1-GE3	1.8100	RFQ	2593	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	9.3a（ta），33.8a tc）	7.5V，10V	23mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	975 PF @ 75 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SQJ186ELP-T1_GE3	0.9600	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	66A（TC）	4.5V，10V	12.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2325 PF @ 25 V	-	135W（TC）
SIS4604DN-T1-GE3	0.9700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS4604	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14.6A（TA），44.4a （TC）	7.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	960 pf @ 30 V	-	3.6W（TA），33.7W（TC）
SIHK075N60EF-T1GE3	7.3900	RFQ	26	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn	SIHK075	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	33A（TC）	10V	71MOHM @ 15A，10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	2954 PF @ 100 V	-	192W（TC）
SIR4608LDP-T1-GE3	1.2300	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIR4608	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	13.3A（TA），43.4a （TC）	4.5V，10V	11.5mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	905 pf @ 30 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
SIR4604DP-T1-GE3	1.3800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir4604	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	15.1A（TA），49.3a （TC）	7.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	960 pf @ 30 V	-	3.9W（TA），41.6W（tc）
SISA18BDN-T1-GE3	0.7000	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SISA18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8PT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	18A（18A），60a（tc）	4.5V，10V	6.83mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	+20V，-16V	680 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），36.8W （TC）
SIZF5302DT-T1-RE3	1.7500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-PowerPair™	SIZF5302	MOSFET （金属 o化物）	3.8W（TA），48.1W（tc）	PowerPair®3x3fs	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZF5302DT-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	28.1a（TA），100A（tc）		3.2MOHM @ 10a，10v	2V @ 250µA	22.2nc @ 10V		1030pf @ 15V	-
SIDR578EP-T1-RE3	2.9500	RFQ	1337	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR578	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	17.4A（ta），78a tc）	7.5V，10V	8.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	2540 pf @ 75 V	-	7.5W（ta），150W（TC）
SQA413CEJW-T1_GE3	0.4300	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®Sc-70-6	SQA413	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	7.5A（TC）	2.5V，4.5V	38mohm @ 4.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±12V	1350 pf @ 10 V	-	13.6W（TC）
SIDR610EP-T1-RE3	3.7500	RFQ	4568	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR610	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	8.9a（ta），39.6A（TC）	7.5V，10V	31.9mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 100 V	-	7.5W（ta），150W（TC）
SQJ110EP-T1_GE3	1.7300	RFQ	3943	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	170a（TC）	10V	6.3MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 25 V	-	500W（TC）
SIJH5800E-T1-GE3	6.5400	RFQ	8664	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	80 V	30a（30a），302a（tc）	7.5V，10V	1.35MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	7730 PF @ 40 V	-	3.3W（333W）（333W（tc）
SQA604CEJW-T1_GE3	0.5300	RFQ	1968年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	5.63a（TC）	4.5V，10V	80mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	9.8 NC @ 10 V	±20V	445 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
SQJ184EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	118a（TC）	10V	7.5MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±20V	3478 pf @ 25 V	-	234W（TC）
SIHB085N60EF-GE3	6.0200	RFQ	3547	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB085	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB085N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	34A（TC）	10V	84mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2733 PF @ 100 V	-	184W（TC）
SI4534DY-T1-GE3	1.4100	RFQ	3233	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4534	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），3.6W（TC）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SI4534DY-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		60V	6.2a（ta），8a tc（8a tc），3a ta），4.1a tc（TC）		29mohm @ 5a，10v，120mohm @ 3.1a，10v	3V @ 250µA	11nc @ 10v，22nc @ 10v		420pf @ 30v，650pf @ 30V	-
SIHG150N60E-GE3	4.3000	RFQ	8547	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG150	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHG150N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	22a（TC）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SI9634DY-T1-GE3	0.9200	RFQ	9280	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9634	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），3.6W（TC）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SI9634DY-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	6.2A（ta），8a tc）		29MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	11NC @ 10V		420pf @ 30V	-
SIHB6N80AE-GE3	2.0700	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB6N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±30V	422 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
SQJQ936E-T1_GE3	3.0100	RFQ	8828	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ936	MOSFET （金属 o化物）	75W（TC）	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		40V	100A（TC）		2.3MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	113nc @ 10V		6600pf @ 25V	-
SISS5623DN-T1-GE3	1.7500	RFQ	2124	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS5623	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	10.5A（ta），36.3a（tc）	4.5V，10V	24mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1575 PF @ 30 V	-	4.8W（TA），56.8W（tc）
SIRS4401DP-T1-GE3	3.2900	RFQ	8939	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRS4401	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	46.8A（TA），198a （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	588 NC @ 10 V	±20V	21850 pf @ 20 V	-	7.4W（TA），132W（tc）
SISS4402DN-T1-GE3	1.6800	RFQ	7879	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS4402	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	35.5A（ta），128a tc）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	+20V，-16V	3850 pf @ 20 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SIRS4302DP-T1-GE3	2.9600	RFQ	2620	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRS4302	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	87A（TA），478A （TC）	4.5V，10V	0.57MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	+20V，-16V	10150 pf @ 15 V	-	6.9W（ta），208W（tc）
SIA814DJ-T1-GE3	-	RFQ	7117	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA814	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（TC）	2.5V，10V	61mohm @ 3.3a，10v	1.5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±12V	340 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.9W（ta），6.5W（TC）
SIA917DJ-T1-GE3	-	RFQ	2807	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA917	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		110MOHM @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	9NC @ 10V		250pf @ 10V	逻辑级别门
SIB414DK-T1-GE3	-	RFQ	2983	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB414	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	9A（TC）	1.2V，4.5V	26mohm @ 7.9a，4.5V	1V @ 250µA	14.03 NC @ 5 V	±5V	732 PF @ 4 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
SIB800EDK-T1-GE3	-	RFQ	2786	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB800	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	1.5A（TC）	1.5V，4.5V	225mohm @ 1.6A，4.5V	1V @ 250µA	1.7 NC @ 4.5 V	±6V		Schottky 二极管（孤立）	1.1W（TA），3.1W（TC）
SIB914DK-T1-GE3	-	RFQ	8727	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-75-6L双重	SIB914	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	POWERPAK®SC-75-6L双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		8V	1.5a		113MOHM @ 2.5a，4.5V	800MV @ 250µA	2.6nc @ 5V		125pf @ 4V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²