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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
SIA911ADJ-T1-GE3	0.1953	RFQ	5203	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA911	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		116mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	13nc @ 8v		345pf @ 10V	-
SI5481DU-T1-GE3	-	RFQ	9846	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5481	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	1.8V，4.5V	22mohm @ 6.5a，4.5V	1V @ 250µA	50 NC @ 8 V	±8V	1610 PF @ 10 V	-	3.1W（TA），17.8W（tc）
SI8425DB-T1-E1	0.5900	RFQ	1239	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，WLCSP	SI8425	MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（1.6x1.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.9a（ta）	1.8V，4.5V	23mohm @ 2a，4.5V	900mv @ 250µA	110 NC @ 10 V	±10V	2800 PF @ 10 V	-	1.1W（ta），2.7W（TC）
SI2306BDS-T1-GE3	0.6000	RFQ	6988	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2306	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	3.16a（ta）	4.5V，10V	47MOHM @ 3.5A，10V	3V @ 250µA	4.5 NC @ 5 V	±20V	305 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
IRF9610STRR	-	RFQ	7926	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9610	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	200 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	（3W）（TA），20W（20W）TC）
IRF510	-	RFQ	2862	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF510	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	5.6A（TC）	10V	540MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SIZ916DT-T1-GE3	-	RFQ	6283	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ916	MOSFET （金属 o化物）	22.7W，100W	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	16a，40a		6.4mohm @ 19a，10v	2.4V @ 250µA	26NC @ 10V		1208pf @ 15V	-
SI7812DN-T1-E3	2.0800	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7812	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	75 v	16A（TC）	4.5V，10V	37MOHM @ 7.2A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	840 pf @ 35 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
IRFP9140	-	RFQ	6074	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP9140	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP9140	Ear99	8541.29.0095	25		P通道	100 v	21a（TC）	10V	200mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	180W（TC）
SIR640DP-T1-GE3	-	RFQ	4553	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir640	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	4930 PF @ 20 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI1300BDL-T1-E3	-	RFQ	9245	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1300	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	400mA（TC）	2.5V，4.5V	850MOHM @ 250mA，4.5V	1V @ 250µA	0.84 NC @ 4.5 V	±8V	35 pf @ 10 V	-	190MW（TA），200MW（（TC）
SI1013X-T1-E3	-	RFQ	8836	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	SI1013	MOSFET （金属 o化物）		SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	350mA（ta）	1.8V，4.5V	1.2OHM @ 350mA，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	1.5 NC @ 4.5 V	±6V		-	250MW（TA）
SIA938DJT-T1-GE3	0.6700	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA938	MOSFET （金属 o化物）	1.9W（ta），7.8W（TC）	POWERPAK®SC-70-6双重	下载		（1 （无限）		742-SIA938DJT-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.5a（ta），4.5a tc）		21.5MOHM @ 5A，10V	1.5V @ 250µA	11.5NC @ 10V		425pf @ 10V	-
SQJA46EP-T1_GE3	1.1500	RFQ	9232	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA46	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	10V	3mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	5000 pf @ 25 V	-	68W（TC）
SI1022R-T1-GE3	0.6300	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1022	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	330ma（ta）	4.5V，10V	1.25ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 25 V	-	250MW（TA）
SQ3989EV-T1_BE3	0.6000	RFQ	8623	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3989	MOSFET （金属 o化物）	1.67W（TC）	6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SQ3989EV-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	2.5A（TC）		155mohm @ 400mA，10v	1.5V @ 250µA	11.1nc @ 10V		-	-
SUD50N02-04P-E3	-	RFQ	1213	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±20V	5000 pf @ 10 V	-	8.3W（ta），136W（tc）
SIDR390DP-T1-GE3	2.4900	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR390	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	69.9a（ta），100a（tc）	4.5V，10V	0.8MOHM @ 20a，10v	2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	+20V，-16V	10180 pf @ 15 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
2N4393-E3	-	RFQ	1646年	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4393		1.8 w	TO-206AA（to-18）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200		n通道								14pf @ 20V			40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na	100欧姆
SI4153DY-T1-GE3	0.7100	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SI4153DY-T1-GE3DKR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	14.3A（TA），19.3A （TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±25V	3600 PF @ 15 V	-	3.1W（ta），5.6W（TC）
SIDR104AEEP-T1-RE3	3.0500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	21.1a（ta），90.5a （TC）	7.5V，10V	6.1MOHM @ 15A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3250 pf @ 50 V	-	6.5W（ta），120W（120W）TC）
TN2404K-T1-E3	0.9100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TN2404	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	240 v	200ma（ta）	2.5V，10V	4ohm @ 300mA，10v	2V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V		-	360MW（TA）
SIA929DJ-T1-GE3	0.6400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA929	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	4.5A（TC）		64mohm @ 3a，10v	1.1V @ 250µA	21NC @ 10V		575pf @ 15V	逻辑级别门
IRFD9020	-	RFQ	2528	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9020	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD9020	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	1.6a（ta）	10V	280MOHM @ 960mA，10V	4V @ 1µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SI4936BDY-T1-GE3	1.3200	RFQ	14	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4936	MOSFET （金属 o化物）	2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6.9a		35mohm @ 5.9a，10v	3V @ 250µA	15nc @ 10V		530pf @ 15V	逻辑级别门
SI3407DV-T1-GE3	0.5100	RFQ	14	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3407	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8A（TC）	2.5V，4.5V	24mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±12V	1670 pf @ 10 V	-	4.2W（TC）
SIHP14N60E-BE3	2.3600	RFQ	978	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
IRFR9020	-	RFQ	6135	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9020	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IRF9540pbf	2.1500	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9540pbf	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SI1303DL-T1-GE3	-	RFQ	1080	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1303	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	670ma（ta）	2.5V，4.5V	430MOHM @ 1A，4.5V	1.4V @ 250µA	2.2 NC @ 4.5 V	±12V		-	290MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²