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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQ1470EH-T1-GE3	-	RFQ	8977	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1470	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.8A（TC）		65MOHM @ 3.8A，4.5V	1.6V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V		610 pf @ 25 V	-
SI7121DN-T1-GE3	1.3200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7121	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	1960 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI2304BDS-T1-E3	0.4700	RFQ	41	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2304	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.6a（ta）	4.5V，10V	70MOHM @ 2.5A，10V	3V @ 250µA	4 NC @ 5 V	±20V	225 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
SQ4840EY-T1_GE3	3.3100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4840	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	20.7A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	2440 pf @ 20 V	-	7.1W（TC）
IRFR9214TRPBF	1.5500	RFQ	44	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFZ14PBF-BE3	1.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ14PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	10A（TC）		200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRFBF30STRLPBF	3.5800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIHP050N60E-GE3	9.3000	RFQ	4125	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP050	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	51A（TC）	10V	50MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	3459 pf @ 100 V	-	278W（TC）
IRF530	-	RFQ	4348	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF530	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
VP1008B	-	RFQ	6699	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	VP1008	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		P通道	100 v	790ma（ta）	10V	5ohm @ 1A，10V	4.5V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	6.25W（TA）
SIHG47N60E-E3	9.7500	RFQ	485	Vishay Siliconix	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHG47N60EE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	47A（TC）	10V	64mohm @ 24a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±30V	9620 PF @ 100 V	-	357W（TC）
SIR440DP-T1-GE3	2.0100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir440	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.55MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 10 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SUP60N10-18P-E3	-	RFQ	7050	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	60a（TC）	8V，10V	18.3mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 50 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
SI8824EDB-T2-E1	0.4300	RFQ	34	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8824	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.1a（ta）	1.2V，4.5V	75MOHM @ 1A，4.5V	800MV @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±5V	400 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SI1405BDH-T1-GE3	-	RFQ	4668	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1405	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（TC）	1.8V，4.5V	112MOHM @ 2.8A，4.5V	950mv @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±8V	305 pf @ 4 V	-	1.47W（TA），2.27W（tc）
SIZF920DT-T1-GE3	1.9000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF920	MOSFET （金属 o化物）	3.9W（TA），28W tc（TC），4.5W（ta（74W ta）（74W tc）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	28a（28a），76a （TC），49A（ta（197a t c）（TC）		3.07mohm @ 10a，10v，1.05Mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA	29nc @ 10v，125nc @ 10V		1300pf @ 15V，5230pf @ 15V	-
IRFB18N50K	-	RFQ	2953	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFB18N50K	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	17a（TC）	10V	290MOHM @ 10A，10V	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2830 PF @ 25 V	-	220W（TC）
SQJ848EP-T1_GE3	1.6600	RFQ	3110	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ848	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	47A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10.3a，10V	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 20 V	-	68W（TC）
SQ4940AEY-T1_GE3	1.1400	RFQ	4	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4940	MOSFET （金属 o化物）	4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	8a		24mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	43nc @ 10V		741pf @ 20V	逻辑级别门
IRFBE30PBF-BE3	2.2500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBE30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFBE30PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	4.1A（TC）		3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIA915DJ-T1-GE3	-	RFQ	3323	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA915	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	4.5a		87MOHM @ 2.9a，10V	2.2V @ 250µA	9NC @ 10V		275pf @ 15V	逻辑级别门
SI4936CDY-T1-E3	0.2436	RFQ	6767	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4936	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.8a		40mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	9NC @ 10V		325pf @ 15V	逻辑级别门
SI4330DY-T1-GE3	-	RFQ	6712	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4330	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6.6a		16.5MOHM @ 8.7A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
sihu4n80e-ge3	0.8984	RFQ	9508	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AB	sihu4	MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	800 v	4.3A（TC）	10V	1.27OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	622 PF @ 100 V	-	69W（TC）
SI7342DP-T1-GE3	-	RFQ	6344	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7342	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	8.25mohm @ 15a，10v	1.8V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±12V	1900 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
SIA462DJ-T1-GE3	0.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA462	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 9a，10v	2.4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SIHH27N60EF-T1-GE3	7.0000	RFQ	9092	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH27	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	29A（TC）	10V	100mohm @ 13.5a，10v	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±30V	2609 PF @ 100 V	-	202W（TC）
SQS462EN-T1_BE3	1.0300	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）		742-sqs462en-t1_be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	8A（TC）	4.5V，10V	63MOHM @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	33W（TC）
SIZ910DT-T1-GE3	-	RFQ	2736	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ910	MOSFET （金属 o化物）	48W，100W	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	40a		5.8mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	40NC @ 10V		1500pf @ 15V	逻辑级别门
V961-0007-E3	-	RFQ	7506	Vishay Siliconix	*	管子	过时的				V961				-		（1 （无限）		742-V961-0007-E3	过时的		25				-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²