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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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SIHG17N80E-GE3	5.4100	RFQ	9174	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG17	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2408 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IRLIZ24GPBF	0.4772	RFQ	8689	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	irliz24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	37W（TC）
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SIHB22N60EL-GE3	2.2344	RFQ	2818	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	197mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	1690 pf @ 100 V	-	227W（TC）
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SIHB33N60ET1-GE3	6.1800	RFQ	2691	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB33	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	33A（TC）	10V	99MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3508 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SIHB33N60ET5-GE3	3.8346	RFQ	8835	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB33	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	33A（TC）	10V	99MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3508 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SIHD6N62ET1-GE3	0.6924	RFQ	9883	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	620 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	578 pf @ 100 V	-	78W（TC）
SIHD6N65ET1-GE3	0.7371	RFQ	5044	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SIHD6N65ET5-GE3	0.7371	RFQ	8030	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SIHD7N60ET5-GE3	0.8080	RFQ	7810	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD7	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	78W（TC）
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SIHFR1N60A-GE3	1.0000	RFQ	2762	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	sihfr1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	7ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SIHP18N60E-GE3	1.6464	RFQ	9170	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	18A（TC）	10V	202MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SIHP22N60EL-GE3	2.1903	RFQ	2841	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	197mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	1690 pf @ 100 V	-	227W（TC）
SIHP6N65E-GE3	1.0658	RFQ	6099	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SIR638DP-T1-RE3	0.7316	RFQ	1703	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir638	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	204 NC @ 10 V	+20V，-16V	10500 PF @ 20 V	-	104W（TC）
SIR690DP-T1-RE3	0.7316	RFQ	3012	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir690	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	34.4A（TC）	7.5V，10V	35mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1935 PF @ 100 V	-	104W（TC）
SIRA00DP-T1-RE3	0.7903	RFQ	2197	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira00	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	1MOHM @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	+20V，-16V	11700 PF @ 15 V	-	104W（TC）
SIRA18DP-T1-RE3	0.1904	RFQ	4824	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	33A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	1000 pf @ 15 V	-	14.7W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²