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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI2302CDS-T1-E3	0.4100	RFQ	137	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.6a（ta）	2.5V，4.5V	57MOHM @ 3.6A，4.5V	850mv @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	710MW（TA）
SIHA18N60E-E3	1.6758	RFQ	4998	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	18A（TC）	10V	202MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	34W（TC）
SI7850ADP-T1-GE3	1.2600	RFQ	5915	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7850	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	10.3a（ta），12a （TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 10a，10v	2.8V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 30 V	-	3.6W（3.6W），35.7W（TC）
SI4408DY-T1-GE3	1.6758	RFQ	8886	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4408	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	14A（TA）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 21a，10V	1V @ 250µA（250µA）	32 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SQJQ112ER-T1_GE3	3.8600	RFQ	3163	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJQ112ER-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	296a（TC）	10V	2.53MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	272 NC @ 10 V	±20V	15945 PF @ 25 V	-	600W（TC）
SIHD6N65E-GE3	1.6100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SI2304BDS-T1-BE3	0.4700	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2304BDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.6a（ta）	4.5V，10V	70MOHM @ 2.5A，10V	3V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
IRFBC40STRLPBF	4.4500	RFQ	3642	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
IRFR020Tr	-	RFQ	2637	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SISH625DN-T1-GE3	0.6300	RFQ	8685	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH625	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	17.3a（ta），35a （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	4427 PF @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IRF644NPBF	-	RFQ	6534	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF644NPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	240MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SIRA32DP-T1-RE3	1.0600	RFQ	5641	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira32	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	83 NC @ 10 V	+16V，-12V	4450 pf @ 10 V	-	65.7W（TC）
IRLR110TRPBF	0.9300	RFQ	23	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIR610DP-T1-RE3	1.8800	RFQ	4446	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir610	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	35.4a（TC）	7.5V，10V	31.9mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 100 V	-	104W（TC）
SI5461EDC-T1-GE3	-	RFQ	7798	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5461	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	45MOHM @ 5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	20 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SI2305CDS-T1-BE3	0.4300	RFQ	1501	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2305CDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	4.4a（ta），5.8a tc）	1.8V，4.5V	35MOHM @ 4.4A，4.5V	1V @ 250µA	30 NC @ 8 V	±8V	960 pf @ 4 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
irfrc20trl	-	RFQ	8772	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI7309DN-T1-GE3	1.0400	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7309	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	8A（TC）	4.5V，10V	115mohm @ 3.9a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 30 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SQJ980AEP-T1_GE3	1.3100	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TA）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ980	MOSFET （金属 o化物）	34W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		75V	17a（TC）		50MOHM @ 3.8A，10V	2.5V @ 250µA	21NC @ 10V		790pf @ 35V	-
SI4451DY-T1-E3	1.3041	RFQ	8046	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4451	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	12 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	8.25mohm @ 14A，4.5V	800mv @ 850µA	120 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
SUM110N04-03-E3	-	RFQ	3985	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	110A（TC）	10V	2.8mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	8250 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），375W（tc）
IRF644N	-	RFQ	2838	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF644N	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	240MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFP460LCPBF	5.3900	RFQ	19	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP460	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP460LCPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	280W（TC）
IRL640S	-	RFQ	5588	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL640S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	17a（TC）	4V，5V	180mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SIHB053N60E-GE3	6.3800	RFQ	912	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB053N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	47A（TC）	10V	54mohm @ 26.5A，10V	5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	3722 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SI1032X-T1-E3	-	RFQ	5713	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	SI1032	MOSFET （金属 o化物）		SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	200ma（ta）	1.5V，4.5V	5ohm @ 200ma，4.5V	1.2V @ 250µA	0.75 NC @ 4.5 V	±6V		-	300MW（TA）
IRF830ASPBF	2.2000	RFQ	776	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF830ASPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SQM40081EL_GE3	1.7900	RFQ	8318	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM40081	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	9950 PF @ 25 V	-	107W（TC）
SI8472DB-T2-E1	0.5600	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8472	MOSFET （金属 o化物）		4-microfoot®（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	3.3a（ta）	1.5V，4.5V	44mohm @ 1.5A，4.5V	900mv @ 250µA	18 nc @ 8 V	±8V	630 pf @ 10 V	-	780MW（TA）
IRFBC30AS	-	RFQ	5193	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC30AS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²