RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQJ858AEP-T1_GE3	1.2300	RFQ	9644	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ858	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	58A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 14A，10V	2.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2450 pf @ 20 V	-	48W（TC）
SI2305ADS-T1-GE3	-	RFQ	1910	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2305	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.4A（TC）	1.8V，4.5V	40mohm @ 4.1a，4.5V	800MV @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 4 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
IRFBA22N50APBF	-	RFQ	2342	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	Super-220™	IRFBA22	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-220™to-273AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBA22N50APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	24A（TC）	10V	230MOHM @ 13.8A，10V	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±30V	3400 PF @ 25 V	-	340W（TC）
SI2399DS-T1-BE3	0.5100	RFQ	5804	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2399DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.1a（TA），6a （TC）	2.5V，10V	34mohm @ 5.1A，10V	1.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	835 pf @ 10 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SI7452DP-T1-E3	-	RFQ	2169	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7452	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	11.5A（TA）	10V	8.3MOHM @ 19.3a，10V	4.5V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SQJB68EP-T1_GE3	0.9800	RFQ	6	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB68	MOSFET （金属 o化物）	27W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	11A（TC）		92MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	8NC @ 10V		280pf @ 25V	-
SI5906DU-T1-GE3	-	RFQ	9745	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5906	MOSFET （金属 o化物）	10.4W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	6a		31MOHM @ 4.8A，10V	2.2V @ 250µA	8.6nc @ 10V		300pf @ 15V	逻辑级别门
SI4320DY-T1-E3	-	RFQ	7887	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4320	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	3mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	70 NC @ 4.5 V	±20V	6500 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
SQS181ELNW-T1_GE3	1.1200	RFQ	20	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	44A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2771 PF @ 25 V	-	119W（TC）
SI5499DC-T1-E3	-	RFQ	2207	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5499	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	6A（TC）	1.5V，4.5V	36mohm @ 5.1a，4.5V	800MV @ 250µA	35 NC @ 8 V	±5V	1290 pf @ 4 V	-	2.5W（ta），6.2W（TC）
SI4590DY-T1-GE3	0.9500	RFQ	4861	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4590	-	2.4W，3.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		100V	3.4a，2.8a		57MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 250µA	11.5NC @ 10V		360pf @ 50V	-
SI3465DV-T1-E3	-	RFQ	4278	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3465	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3A（3A）	4.5V，10V	80mohm @ 4A，10V	3V @ 250µA	5.5 NC @ 5 V	±20V		-	1.14W（TA）
SI1026X-T1-E3	-	RFQ	7760	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1026	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	305mA		1.4OHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		30pf @ 25V	逻辑级别门
SQ4946EY-T1-E3	-	RFQ	1629年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4946	MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	4.5a		55MOHM @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	30nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI4124DY-T1-GE3	2.0800	RFQ	6780	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4124	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	20.5A（TC）	4.5V，10V	7.5mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3540 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
SI9933CDY-T1-E3	0.6300	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9933	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		20V	4a		58MOHM @ 4.8A，4.5V	1.4V @ 250µA	26NC @ 10V		665pf @ 10V	逻辑级别门
SIHA15N65E-GE3	3.1800	RFQ	4793	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha15	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	2460 pf @ 100 V	-	34W（TC）
SUM23N15-73-E3	-	RFQ	9221	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum23	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	23A（TC）	6V，10V	73mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1290 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），100W（TC）
IRFIZ24GPBF	1.7900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIZ24GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	37W（TC）
SI7949DP-T1-E3	1.6400	RFQ	9	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7949	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		60V	3.2a		64mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	40NC @ 10V		-	逻辑级别门
SI7465DP-T1-E3	1.3200	RFQ	51	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7465	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	64mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SQ3418AEEV-T1_BE3	0.9300	RFQ	4843	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3418	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SQ3418AEEV-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	8A（TC）	4.5V，10V	32MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	12.4 NC @ 10 V	±20V	675 PF @ 20 V	-	5W（TC）
SQJ420EP-T1_GE3	0.8800	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ420	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 9.7a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1860 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF530STRLPBF	1.7300	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
IRC640pbf	-	RFQ	9424	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRC640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRC640pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	电流感应	125W（TC）
IRL540SPBF	2.7000	RFQ	215	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRL540SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	4V，5V	77mohm @ 17a，5v	2V @ 250µA	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SIZ902DT-T1-GE3	1.4900	RFQ	6870	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ902	MOSFET （金属 o化物）	29W，66W	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	16a		12mohm @ 13.8a，10v	2.2V @ 250µA	21NC @ 10V		790pf @ 15V	逻辑级别门
SI5486DU-T1-GE3	-	RFQ	5361	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5486	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12A（TC）	1.8V，4.5V	15mohm @ 7.7a，4.5V	1V @ 250µA	54 NC @ 8 V	±8V	2100 PF @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SI7425DN-T1-GE3	-	RFQ	2675	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7425	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8.3a（ta）	1.8V，4.5V	16mohm @ 12.6a，4.5V	1V @ 300µA	39 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
IRFP140pbf	4.1400	RFQ	458	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP140	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP140pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	100 v	31a（TC）	10V	77mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	180W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²