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SIHP6N40D-E3 | 1.6000 | ![]() | 8974 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SIHP6 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | SIHP6N40DE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 400 v | 6A(TC) | 10V | 1欧姆 @ 3A,10V | 5V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±30V | 311 PF @ 100 V | - | 104W(TC) | |||||
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![]() | SQ2315ES-T1_BE3 | 0.6000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SQ2315 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | - | (1 (无限) | 742-SQ2315ES-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 5A(TC) | 1.8V,4.5V | 50mohm @ 3.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | ±8V | 870 pf @ 6 V | - | 2W(TC) | |||||
![]() | SUD50N03-09P-GE3 | - | ![]() | 9942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SUD50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 30 V | 63A(TC) | 4.5V,10V | 9.5Mohm @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 16 NC @ 4.5 V | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 7.5W(ta),65.2W(TC) | |||||
![]() | SI1013X-T1-GE3 | 0.4400 | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | SI1013 | MOSFET (金属 o化物) | SC-89-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 350mA(ta) | 1.8V,4.5V | 1.2OHM @ 350mA,4.5V | 450mv @ 250µA(250µA)) | 1.5 NC @ 4.5 V | ±6V | - | 250MW(TA) | |||||
![]() | SI1037X-T1-GE3 | - | ![]() | 8544 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1037 | MOSFET (金属 o化物) | SC-89(SOT-563F) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 770ma(ta) | 1.8V,4.5V | 195MOHM @ 770mA,4.5V | 450mv @ 250µA(250µA)) | 5.5 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 170MW(TA) | |||||
![]() | SQM50P03-07_GE3 | 2.6100 | ![]() | 3270 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TA) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | SQM50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 30 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 7mohm @ 30a,10v | 2.5V @ 250µA | 155 NC @ 10 V | ±20V | 5380 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | |||||
![]() | SI6943BDQ-T1-GE3 | - | ![]() | 7033 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6943 | MOSFET (金属 o化物) | 800MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 2.3a | 80MOHM @ 2.5A,4.5V | 800MV @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI7446BDP-T1-E3 | - | ![]() | 1257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7446 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 12a(12a) | 4.5V,10V | 7.5MOHM @ 19a,10v | 3V @ 250µA | 33 NC @ 5 V | ±20V | 3076 pf @ 15 V | - | 1.9W(TA) | ||||
![]() | SQJ858EP-T1_GE3 | 0.5821 | ![]() | 5999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SQJ858 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 75A(TC) | 4.5V,10V | 6mohm @ 11a,10v | 2.5V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 2500 PF @ 20 V | - | 68W(TC) | ||||||
![]() | SI7880ADP-T1-E3 | 4.1500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7880 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 3mohm @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ±20V | 5600 pf @ 15 V | - | 5.4W(ta),83W(tc) | |||||
![]() | SIB414DK-T1-GE3 | - | ![]() | 2983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-75-6 | SIB414 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®Sc-75-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 8 V | 9A(TC) | 1.2V,4.5V | 26mohm @ 7.9a,4.5V | 1V @ 250µA | 14.03 NC @ 5 V | ±5V | 732 PF @ 4 V | - | 2.4W(TA),13W(tc) | ||||
![]() | SI3588DV-T1-GE3 | - | ![]() | 6467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3588 | MOSFET (金属 o化物) | 830MW,83MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 2.5a,570mA | 80MOHM @ 3A,4.5V | 450mv @ 250µA(250µA)) | 7.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI4390DY-T1-GE3 | - | ![]() | 4455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4390 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 8.5a(ta) | 4.5V,10V | 9.5MOHM @ 12.5A,10V | 2.8V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.4W(TA) | ||||||
![]() | SIHH26N60E-T1-GE3 | 5.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | SIHH26 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®8X8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 25A(TC) | 10V | 135mohm @ 13a,10v | 4V @ 250µA | 116 NC @ 10 V | ±30V | 2815 PF @ 100 V | - | 202W(TC) | |||||
![]() | SQD10N30-330H_4GE3 | 1.6500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 300 v | 10A(TC) | 10V | 330mohm @ 14a,10v | 4.4V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ±30V | 2190 pf @ 25 V | - | 107W(TC) |
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