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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQJQ980EL-T1_GE3	2.6800	RFQ	3770	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ980	MOSFET （金属 o化物）	187W	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		80V	36a（TC）		13.5MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	36NC @ 10V		1995pf @ 40V	-
IRF9510	-	RFQ	4604	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9510S	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SUD35N10-26P-T4GE3	0.9951	RFQ	1852年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD35	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	35A（TC）	7V，10V	26mohm @ 12a，10v	4.4V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 12 V	-	8.3W（ta），83W（tc）
SI4420BDY-T1-E3	0.9600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4420	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	9.5A（TA）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13.5A，10V	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V		-	1.4W（TA）
SI4160DY-T1-GE3	1.3500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4160	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	25.4A（TC）	4.5V，10V	4.9mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2071 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
IRLIZ24GPBF	0.4772	RFQ	8689	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	irliz24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	37W（TC）
SIHG21N65EF-GE3	3.3640	RFQ	8770	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG21	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±30V	2322 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IRF9Z14	-	RFQ	3487	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z14	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SI4618DY-T1-E3	-	RFQ	6290	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4618	MOSFET （金属 o化物）	1.98W，4.16W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	8a，15.2a		17mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	44NC @ 10V		1535pf @ 15V	-
IRFP31N50L	-	RFQ	8528	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP31	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP31N50L	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	31a（TC）	10V	180mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±30V	5000 pf @ 25 V	-	460W（TC）
SIHG33N60E-GE3	6.6800	RFQ	6903	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG33	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	33A（TC）	10V	99MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3508 PF @ 100 V	-	278W（TC）
IRLZ24STRL	-	RFQ	5958	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	17a（TC）	4V，5V	100mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SI5902DC-T1-E3	-	RFQ	7164	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5902	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	2.9a		85mohm @ 2.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	7.5NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRF634PBF	1.7500	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF634PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI2316ds-T1-E3	0.8200	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2316	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.9a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 3.4a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	7 NC @ 10 V	±20V	215 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
SI9634DY-T1-GE3	0.9200	RFQ	9280	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9634	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），3.6W（TC）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SI9634DY-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	6.2A（ta），8a tc）		29MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	11NC @ 10V		420pf @ 30V	-
IRL540pbf-be3	2.5100	RFQ	995	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irl540pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）		77mohm @ 17a，5v	2V @ 250µA	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SI4446DY-T1-GE3	-	RFQ	1502	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4446	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	3.9a（ta）	4.5V，10V	40mohm @ 5.2A，10V	1.6V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±12V	700 pf @ 20 V	-	1.1W（TA）
SQS484EN-T1_GE3	1.0100	RFQ	14	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS484	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	16A（TC）	4.5V，10V	9MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1855 pf @ 25 V	-	62W（TC）
SI4866DY-T1-E3	2.2000	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4866	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	11a（11a）	2.5V，4.5V	5.5MOHM @ 17A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	30 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SISS52DN-T1-GE3	1.0600	RFQ	23	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISS52	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SISS52DN-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	47.1A（TA），162a （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	65 NC @ 10 V	+16V，-12V	2950 pf @ 15 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SI4288DY-T1-GE3	1.3900	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4288	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	9.2a		20mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	15nc @ 10V		580pf @ 20V	逻辑级别门
SI7636DP-T1-E3	1.8500	RFQ	6060	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7636	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	4mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	5600 pf @ 15 V	-	1.9W（TA）
SISS67DN-T1-GE3	1.1000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS67	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	111 NC @ 10 V	±25V	4380 pf @ 15 V	-	65.8W（TC）
SIRS4302DP-T1-GE3	2.9600	RFQ	2620	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRS4302	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	87A（TA），478A （TC）	4.5V，10V	0.57MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	+20V，-16V	10150 pf @ 15 V	-	6.9W（ta），208W（tc）
SI1450DH-T1-GE3	-	RFQ	5032	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1450	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	4.53A（TA），6.04a （TC）	1.5V，4.5V	47MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	7.05 NC @ 5 V	±5V	535 pf @ 4 V	-	1.56W（TA），2.78W（tc）
sihu6n62e-ge3	1.6500	RFQ	5294	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	sihu6	MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	620 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	578 pf @ 100 V	-	78W（TC）
IRFI610G	-	RFQ	4436	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI610	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFI610G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	2.6a（ta）		-	-				-	-
SQ4470EY-T1_GE3	1.6600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4470	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	16A（TC）	6V，10V	12mohm @ 6a，10v	3.5V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	3165 PF @ 25 V	-	7.1W（TC）
IRLZ34	-	RFQ	5910	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLZ34	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	30A（TC）	4V，5V	50mohm @ 18a，5v	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±10V	1600 pf @ 25 V	-	88W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²