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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHFR9310TR-GE3	1.5800	RFQ	8059	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR9310	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIHF540S-GE3	0.7655	RFQ	4299	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRFZ34SPBF	1.5800	RFQ	6732	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SIHF640S-GE3	2.0800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
SIHB11N80E-GE3	3.8100	RFQ	3833	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB11	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	12A（TC）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	1670 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SQJA36EP-T1_GE3	1.9800	RFQ	2113	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA36	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SQJA36EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	350a（TC）	10V	1.24mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	6636 PF @ 25 V	-	500W（TC）
SQS840CENW-T1_GE3	0.7200	RFQ	7302	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS840	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SQS840CENW-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 7.5a，10v	2.5V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±20V	1031 PF @ 20 V	-	33W（TC）
SIHH070N60EF-T1GE3	7.9200	RFQ	4041	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH070	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	36a（TC）	10V	71MOHM @ 15A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	2647 PF @ 100 V	-	202W（TC）
SISS50DN-T1-GE3	0.8800	RFQ	6639	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS50	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）	742-SISS50DN-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	45 v	29.7a（ta），108a （TC）	4.5V，10V	2.83mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	+20V，-16V	4000 pf @ 20 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SIHF9630S-GE3	0.7718	RFQ	9725	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF9630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SIHF9630S-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	6.5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
SIHF520STRL-GE3	0.5608	RFQ	3677	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SIHF520STRL-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	9.2A（TC）	10V	270MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SQJ464EP-T2_GE3	0.3687	RFQ	7735	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ464	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SQJ464EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	32A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 7.1a，10v	2.5V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2086 PF @ 30 V	-	45W（TC）
SIHFR430ATR-GE3	0.4263	RFQ	2827	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR430	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SIHFR430ATR-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SQJB60EP-T2_GE3	0.5045	RFQ	7206	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB60	MOSFET （金属 o化物）	48W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SQJB60EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	30A（TC）		12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		1600pf @ 25V	-
SIHF9540S-GE3	0.7826	RFQ	6105	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF9540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SIHF9540S-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SIHF840LCS-GE3	0.8313	RFQ	5669	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SIHF840LCS-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SQD50N04_4M5LT4GE3	0.6985	RFQ	2916	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SQD50N04_4M5LT4GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5860 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SIHLR120-GE3	0.2893	RFQ	2209	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHLR120	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SIHLR120-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.7A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHF9640S-GE3	0.9592	RFQ	6687	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF9640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SIHF9640S-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
SIR624DP-T1-RE3	1.2000	RFQ	2242	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir624	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	5.7a（ta），18.6a（tc）	7.5V，10V	60mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 100 V	-	5W（5W），52W（52W）（TC）
SIA456DJ-T3-GE3	0.3589	RFQ	1335	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SIA456DJ-T3-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	200 v	1.1a（TA），2.6a tc）	1.8V，4.5V	1.38OHM @ 750mA，4.5V	1.4V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 100 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SQD100N04_3M6T4GE3	0.6985	RFQ	1050	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD100	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SQD100N04_3M6T4GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	100A（TC）	10V	3.6mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	6700 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SIHF530-GE3	-	RFQ	1771年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHF530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	88W（TC）
SIHFR430ATRL-GE3	0.4263	RFQ	5203	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR430	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SIHFR430ATRL-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SQD23N06-31L_T4GE3	0.4269	RFQ	4967	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD23	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SQD23N06-31L_T4GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	23A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	845 pf @ 25 V	-	37W（TC）
SIZF360DT-T1-GE3	1.6100	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZF360	MOSFET （金属 o化物）	3.8W（TA），52W（ta（4.3w（ta），78W（（（（（（（（ta）	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SIZF360DT-T1-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	（23a）（ta），83a（tc），34a（ta（143a t c）（TC）		4.5mohm @ 10a，10v，1.9Mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	22nc @ 10v，62nc @ 10V		1100pf @ 15V，3150pf @ 15V	-
SIR626ADP-T1-RE3	2.0600	RFQ	23	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir626	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	40.4A（TA），165a（tc）	6V，10V	1.75MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	3770 pf @ 30 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIHG105N60EF-GE3	4.3600	RFQ	500	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG105	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	29A（TC）	10V	102MOHM @ 13A，10V	5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1804 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SISF04DN-T1-GE3	1.3400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SCD	SISF04	MOSFET （金属 o化物）	5.2W（ta），69.4W（TC）	PowerPak®1212-8SCD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SISF04DN-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		30V	（30a）（ta），108a tc）		4mohm @ 7a，10v	2.3V @ 250µA	60nc @ 10V		2600pf @ 15V	-
SIR106ADP-T1-RE3	1.5700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir106	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	742-SIR106ADP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	16.1A（TA），65.8 （TC）	7.5V，10V	8mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2440 pf @ 50 V	-	5W（5W），83.3W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²