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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4634DY-T1-GE3	0.8080	RFQ	3654	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4634	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	24.5A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 15A，10V	2.6V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
SI2333DS-T1-BE3	0.8600	RFQ	1239	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2333DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	4.1a（ta）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 5.3A，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V	1100 pf @ 6 V	-	750MW（TA）
SQ7414AEN-T1_BE3	-	RFQ	6320	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQ7414	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载				742-SQ7414AEN-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	16A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 5.7a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	980 pf @ 30 V	-	62W（TC）
SIS612EDNT-T1-GE3	-	RFQ	9312	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS612	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	2.5V，4.5V	3.9mohm @ 14a，4.5V	1.2V @ 1mA	70 NC @ 10 V	±12V	2060 pf @ 10 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI4368DY-T1-E3	2.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4368	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 25A，10V	1.8V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±12V	8340 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
SI7501DN-T1-E3	-	RFQ	4503	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7501	MOSFET （金属 o化物）	1.6W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道，普通排水		30V	5.4a，4.5a		35mohm @ 7.7A，10V	3V @ 250µA	14NC @ 10V		-	逻辑级别门
SQD50034E_GE3	1.6500	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50034	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	100A（TC）	10V	3.9mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	107W（TC）
SQS484EN-T1_BE3	0.9100	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS484	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	16A（TC）	4.5V，10V	9MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1855 pf @ 25 V	-	62W（TC）
IRFPC60pbf	7.1300	RFQ	334	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPC60PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	16A（TC）	10V	400MOHM @ 9.6A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SI4845DY-T1-E3	-	RFQ	2208	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4845	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	2.7A（TC）	2.5V，4.5V	210MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V	312 PF @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.75W（TA），2.75W（tc）
SIR168DP-T1-GE3	-	RFQ	3321	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir168	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	4.4mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2040 pf @ 15 V	-	5W（5W），34.7W（TC）
SQS944ENW-T1_GE3	0.9600	RFQ	1520	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®1212-8W双重	SQS944	MOSFET （金属 o化物）	27.8W（TC）	PowerPak®1212-8W双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	6A（TC）		25mohm @ 1.25A，10V	2.5V @ 250µA	10NC @ 10V		615pf @ 25V	-
SIR432DP-T1-GE3	-	RFQ	7648	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir432	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	28.4a（TC）	7.5V，10V	30.6mohm @ 8.6a，10v	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1170 pf @ 50 V	-	5W（5W），54W（tc）（TC）
SI7882DP-T1-E3	-	RFQ	9527	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7882	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	13A（TA）	2.5V，4.5V	5.5MOHM @ 17A，4.5V	1.4V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.9W（TA）
irfr120pbf-be3	1.2300	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR120	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr120pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	7.7A（TC）		270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SQ2303ES-T1_BE3	0.5300	RFQ	658	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2303	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SQ2303ES-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.5A（TC）	4.5V，10V	170MOHM @ 1.7A，10V	2.5V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	210 pf @ 25 V	-	1.9W（TC）
SI7115DN-T1-E3	2.1000	RFQ	3583	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7115	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	8.9a（TC）	6V，10V	295MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 50 V	-	52W（TC）
SI3585DV-T1-GE3	-	RFQ	5975	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3585	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	2a，1.5a		125mohm @ 2.4a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	3.2nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI2392BDS-T1-GE3	0.6400	RFQ	25	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2392	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	2A（2a），2.3a tc（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 10a，10v	3V @ 250µA	7.1 NC @ 10 V	±20V	290 pf @ 50 V	-	1.25W（ta），1.7W（tc）
2N4857JTXL02	-	RFQ	9658	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4857			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SIHD6N62ET1-GE3	0.6924	RFQ	9883	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	620 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	578 pf @ 100 V	-	78W（TC）
SIS435DNT-T1-GE3	0.7900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS435	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	30A（TC）	1.8V，4.5V	5.4MOHM @ 13A，4.5V	900mv @ 250µA	180 NC @ 8 V	±8V	5700 PF @ 10 V	-	3.7W（TA），39W（tc）
SQJ858AEP-T1_GE3	1.2300	RFQ	9644	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ858	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	58A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 14A，10V	2.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2450 pf @ 20 V	-	48W（TC）
SI2305ADS-T1-GE3	-	RFQ	1910	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2305	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.4A（TC）	1.8V，4.5V	40mohm @ 4.1a，4.5V	800MV @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 4 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
SI2399DS-T1-BE3	0.5100	RFQ	5804	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2399DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.1a（TA），6a （TC）	2.5V，10V	34mohm @ 5.1A，10V	1.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	835 pf @ 10 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SI7452DP-T1-E3	-	RFQ	2169	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7452	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	11.5A（TA）	10V	8.3MOHM @ 19.3a，10V	4.5V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SQJB68EP-T1_GE3	0.9800	RFQ	6	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB68	MOSFET （金属 o化物）	27W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	11A（TC）		92MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	8NC @ 10V		280pf @ 25V	-
SI4320DY-T1-E3	-	RFQ	7887	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4320	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	3mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	70 NC @ 4.5 V	±20V	6500 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
SQS181ELNW-T1_GE3	1.1200	RFQ	20	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	44A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2771 PF @ 25 V	-	119W（TC）
SI5499DC-T1-E3	-	RFQ	2207	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5499	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	6A（TC）	1.5V，4.5V	36mohm @ 5.1a，4.5V	800MV @ 250µA	35 NC @ 8 V	±5V	1290 pf @ 4 V	-	2.5W（ta），6.2W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²