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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQJ570EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	5611	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ570	MOSFET （金属 o化物）	27W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		100V	（15A）（TC），9.5A （TC）		45mohm @ 6a，10v，146Mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	20nc @ 10v，15nc @ 10V		650pf @ 25V，600pf @ 25V	-
SQJ444EP-T1_GE3	1.3300	RFQ	9034	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ444	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	5000 pf @ 25 V	-	68W（TC）
SQJ411EP-T1_GE3	1.3300	RFQ	19	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ411	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	60a（TC）	2.5V，4.5V	5.8mohm @ 15a，4.5V	1.5V @ 250µA	150 NC @ 4.5 V	±8V	9100 PF @ 6 V	-	68W（TC）
SQJA00EP-T1_GE3	0.9800	RFQ	2003	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA00	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	30A（TC）	10V	13mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SQJB80EP-T1_GE3	1.3100	RFQ	3706	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB80	MOSFET （金属 o化物）	48W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		80V	30A（TC）		19mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	32NC @ 10V		1400pf @ 25V	-
SQ3989EV-T1_GE3	0.6000	RFQ	2652	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3989	MOSFET （金属 o化物）	1.67W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	2.5A（TC）		155mohm @ 400mA，10v	1.5V @ 250µA	11.1nc @ 10V		-	-
SQ4080EY-T1_GE3	1.3300	RFQ	23	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4080	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	18A（TC）	10V	85mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 75 V	-	7.1W（TC）
SQJ158EP-T1_GE3	0.7300	RFQ	4045	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ158	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	23A（TC）	4.5V，10V	33mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	45W（TC）
SIHA14N60E-E3	2.3700	RFQ	2678	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
SIHG15N60E-GE3	3.3200	RFQ	7640	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG15	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 100 V	-	180W（TC）
SIHP14N60E-GE3	2.3600	RFQ	5682	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
SIHG35N60E-GE3	6.6700	RFQ	4693	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG35	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	32A（TC）	10V	94mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±30V	2760 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIHG47N60AE-GE3	7.7900	RFQ	3	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	43A（TC）	10V	65MOHM @ 24A，10V	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 100 V	-	313W（TC）
SIHP25N60EFL-GE3	4.7300	RFQ	1625年	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	25A（TC）	10V	146MOHM @ 12.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	2274 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIHW61N65EF-GE3	9.2873	RFQ	9228	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHW61	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	480		n通道	650 v	64A（TC）	10V	47MOHM @ 30.5A，10V	4V @ 250µA	371 NC @ 10 V	±30V	7407 PF @ 100 V	-	520W（TC）
SIHP22N60AE-GE3	1.9830	RFQ	8658	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	20A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	1451 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SQR70090ELR_GE3	1.5700	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-4，DPAK （3 +选项卡）	SQR70090	MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	86A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 25A，10V	2.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SQD70140EL_GE3	1.2100	RFQ	9	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD70140	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	30A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	71W（TC）
SQD90P04-9M4L_GE3	2.7600	RFQ	88	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD90	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	90A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	6675 PF @ 20 V	-	136W（TC）
SIZ926DT-T1-GE3	1.3000	RFQ	221	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ926	MOSFET （金属 o化物）	20.2W，40W	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		25V	40a（TC），60a tc（TC）		4.8mohm @ 5A，10V，2.2Mohm @ 8a，10v	2.2V @ 250µA	19nc @ 10v，41nc @ 10V		925pf @ 10V，2150pf @ 10V	-
SIR610DP-T1-RE3	1.8800	RFQ	4446	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir610	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	35.4a（TC）	7.5V，10V	31.9mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 100 V	-	104W（TC）
SI4056DY-T1-GE3	0.9100	RFQ	1370	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4056	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	11.1A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 15a，10v	2.8V @ 250µA	29.5 NC @ 10 V	±20V	900 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
SI3442CDV-T1-GE3	-	RFQ	6589	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3442	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	8A（TC）	2.5V，10V	27mohm @ 6.5a，10v	1.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±12V	335 pf @ 10 V	-	1.7W（ta），2.7W（TC）
SIHP25N40D-GE3	3.0600	RFQ	417	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP25N40DGE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	25A（TC）	10V	170MOHM @ 13A，10V	5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	1707 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SISA18DN-T1-GE3	-	RFQ	8649	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	38.3a（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	1000 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SI7252DP-T1-GE3	2.1700	RFQ	5432	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7252	MOSFET （金属 o化物）	46W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	36.7a		18mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	27nc @ 10V		1170pf @ 50V	逻辑级别门
SI8817DB-T2-E1	0.4700	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8817	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.1a（ta）	1.5V，4.5V	76mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 8 V	±8V	615 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SI8808DB-T2-E1	0.4500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8808	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.8A（ta）	1.5V，4.5V	95MOHM @ 1A，4.5V	900mv @ 250µA	10 NC @ 8 V	±8V	330 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
SI8802DB-T2-E1	0.5400	RFQ	175	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8802	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	8 V	3A（3A）	1.2V，4.5V	54mohm @ 1A，4.5V	700MV @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 V	±5V		-	500MW（TA）
SI1922EDH-T1-GE3	0.4100	RFQ	4096	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1922	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1.3a		198mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	2.5nc @ 8v		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²