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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHB15N50E-GE3	1.3703	RFQ	6360	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB15	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	14.5A（TC）	10V	280MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±30V	1162 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SIHG28N60EF-GE3	6.6200	RFQ	500	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG28	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	28a（TC）	10V	123mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2714 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIHP20N50E-GE3	2.9400	RFQ	5200	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	19a（tc）	10V	184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SIHA21N60EF-E3	2.1183	RFQ	4412	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha21	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	21a（TC）	10V	176mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2030 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SQJ951EP-T1_GE3	1.6100	RFQ	1355	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ951	MOSFET （金属 o化物）	56W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	30a		17mohm @ 7.5a，10v	2.5V @ 250µA	50NC @ 10V		1680pf @ 10V	-
SQM120P04-04L_GE3	3.6400	RFQ	8972	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	13980 pf @ 20 V	-	375W（TC）
SIHP28N60EF-GE3	3.2340	RFQ	2860	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP28	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	28a（TC）	10V	123mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2714 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIA466EDJ-T1-GE3	0.6800	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA466	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	25A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 9A，10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	620 pf @ 1 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SQJ992EP-T1_GE3	1.3900	RFQ	5070	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ992	MOSFET （金属 o化物）	34W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	15a		56.2MOHM @ 3.7A，10V	2.5V @ 250µA	12nc @ 10V		446pf @ 30V	-
SI8824EDB-T2-E1	0.4300	RFQ	34	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8824	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.1a（ta）	1.2V，4.5V	75MOHM @ 1A，4.5V	800MV @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±5V	400 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
2N6660JAN02	-	RFQ	6560	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的		-	-	2N6660			-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	1
SIR774DP-T1-GE3	-	RFQ	3000	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的				Sir774				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000				32A（ta），40a tc）	4.5V，10V				±20V
SI4590DY-T1-GE3	0.9500	RFQ	4861	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4590	-	2.4W，3.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		100V	3.4a，2.8a		57MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 250µA	11.5NC @ 10V		360pf @ 50V	-
SIHD12N50E-GE3	1.8000	RFQ	8456	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD12	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	550 v	10.5A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	886 pf @ 100 V	-	114W（TC）
IRF9510SPBF	2.0400	RFQ	996	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9510	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SIHP30N60E-GE3	5.9800	RFQ	7039	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP30	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SQJQ480E-T1_GE3	3.0300	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ480	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	80 V	150a（TC）	10V	3mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	144 NC @ 10 V	±20V	8625 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IRFZ48SPBF	4.4200	RFQ	104	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ48	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	10V	18mohm @ 43a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.7W（190W）（TC）
SIHB12N65E-GE3	2.9300	RFQ	729	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB12	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	1224 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SI4401FDY-T1-GE3	0.8800	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4401	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	9.9a（ta），14a （TC）	4.5V，10V	14.2MOHM @ 10A，10V	2.3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4000 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SQD40081EL_GE3	1.3700	RFQ	2265	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40081	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	50A（TC）	10V	8.5mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	9950 PF @ 25 V	-	71W（TC）
SQ1464EEH-T1_GE3	0.5000	RFQ	41	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1464	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	440ma（tc）	1.5V	1.41OHM @ 2a，1.5V	1V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±8V	140 pf @ 25 V	-	430MW（TC）
SQA442EJ-T1_GE3	0.6300	RFQ	29	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SQA442	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	9A（TC）	4.5V，10V	32MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±20V	636 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
SQJ415EP-T1_GE3	1.0000	RFQ	8070	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ415	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SQJ504EP-T1_GE3	1.6100	RFQ	9961	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ504	MOSFET （金属 o化物）	34W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		40V	30A（TC）		7.5MOHM @ 8A，10V，17MOHM @ 8A，10V	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V，85nc @ 10V		1900pf @ 25V，4600pf @ 25V	-
SQJA76EP-T1_GE3	1.4600	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA76	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	75A（TC）	10V	2.4mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5250 pf @ 25 V	-	68W（TC）
SISH402DN-T1-GE3	0.9400	RFQ	480	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH402	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	（19a（ta），35a tc（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 19a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SISS12DN-T1-GE3	1.1700	RFQ	9706	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS12	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	37.5a（TA），60a tc）	4.5V，10V	1.98mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	+20V，-16V	4270 pf @ 20 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SI4010DY-T1-GE3	-	RFQ	6705	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4010	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	31.3a（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	77 NC @ 10 V	+20V，-16V	3595 pf @ 15 V	-	6W（TC）
SI4143DY-T1-GE3	0.7800	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4143	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	25.3A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 12A，10V	2.5V @ 250µA	167 NC @ 10 V	±25V	6630 PF @ 15 V	-	6W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²