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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
irfu9310pbf	1.5800	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9310	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu9310pbf	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI4466DY-T1-E3	-	RFQ	1693年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4466	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	9.5A（TA）	2.5V，4.5V	9MOHM @ 13.5a，4.5V	1.4V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
SIS472ADN-T1-GE3	0.1714	RFQ	7351	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS472	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	24A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1515 PF @ 15 V	-	28W（TC）
IRLZ14STRLPBF	1.6300	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ14	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	10A（TC）	4V，5V	200mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRFPG50	-	RFQ	5888	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPG50	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	1000 v	6.1A（TC）	10V	2ohm @ 3.6A，10V	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	190w（TC）
sihu5n50d-e3	0.5199	RFQ	2871	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	sihu5	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	5.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	325 pf @ 100 V	-	104W（TC）
irfu4105ztr	-	RFQ	4522	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU4105	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	55 v	30A（TC）	10V	24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
SI1903DL-T1-E3	-	RFQ	6591	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1903	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	410mA		995MOHM @ 410mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.8NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQJA64EP-T1_GE3	0.8000	RFQ	1729年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA64	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	15A（TC）	10V	32MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SIRA58ADP-T1-RE3	1.1900	RFQ	7284	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira58	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	32.3a（TA），109a （TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	+20V，-16V	3030 pf @ 20 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
SI4936ADY-T1-GE3	0.9072	RFQ	5028	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4936	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	4.4a		36mohm @ 5.9a，10v	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
SQUN700E-T1_GE3	2.4400	RFQ	5083	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SQUN700	MOSFET （金属 o化物）	50W（TC），48W（tc）	死	下载		（1 （无限）		742平方米700E-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双），p通道		200V，40V	16A（TC），30A （TC）		9.2MOHM @ 9.8A，10V，75MOHM @ 5A，10V，30MOHM @ 6A，10V	3.5V @ 250µA，2.5V @ 250µA	23nc @ 10v，11nc @ 10v，30.2nc @ 10v		1474pf @ 20v，600pf @ 100v，1302pf @ 100V	-
SI4442DY-T1-E3	3.1400	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4442	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	15A（TA）	2.5V，10V	4.5mohm @ 22a，10v	1.5V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.6W（TA）
SISA34DN-T1-GE3	0.5500	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA34	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	+20V，-16V	1100 pf @ 15 V	-	20.8W（TC）
SIHS90N65E-E3	-	RFQ	8588	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHS90	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	650 v	87A（TC）	10V	29mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	591 NC @ 10 V	±30V	11826 PF @ 100 V	-	625W（TC）
IRF9520STRRPBF	1.2863	RFQ	1224	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	6.8A（TC）	10V	600MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SIR606DP-T1-GE3	1.5300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir606	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	37A（TC）	6V，10V	16.2MOHM @ 15A，10V	3.6V @ 250µA	22 NC @ 6 V	±20V	1360 pf @ 50 V	-	44.5W（TC）
SIA477EDJ-T1-GE3	0.5100	RFQ	5996	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA477	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	12A（TC）		14mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	87 NC @ 8 V		2970 pf @ 6 V	-	-
SIJ494DP-T1-GE3	1.7300	RFQ	4587	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij494	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	36.8A（TC）	7.5V，10V	23.2MOHM @ 15A，10V	4.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1070 pf @ 75 V	-	69.4W（TC）
IRF730	-	RFQ	9631	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SQS462EN-T1_GE3	1.0300	RFQ	2097	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS462	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	8A（TC）	4.5V，10V	63MOHM @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	33W（TC）
IRF9610	-	RFQ	6563	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9610	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	20W（TC）
SI2337DS-T1-E3	1.0100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2337	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	2.2A（TC）	6V，10V	270MOHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 40 V	-	（760MW）（TA），2.5W（tc）
SI3867DV-T1-GE3	-	RFQ	6583	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3867	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.9a（ta）	2.5V，4.5V	51MOHM @ 5.1A，4.5V	1.4V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.1W（TA）
IRFR010TRLPBF	0.6218	RFQ	8020	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR010	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	50 V	8.2A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFR224Trl	-	RFQ	2585	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR224	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	3.8A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI1988DH-T1-E3	-	RFQ	9762	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1988	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1.3a		168mohm @ 1.4a，4.5V	1V @ 250µA	4.1NC @ 8V		110pf @ 10V	逻辑级别门
IRFU1N60A	-	RFQ	9851	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu1	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU1N60A	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	7ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SI3410DV-T1-GE3	0.8300	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3410	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1295 pf @ 15 V	-	2W（TA），4.1W（4.1W）TC）
SIHP25N40D-E3	3.0600	RFQ	8185	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	25A（TC）	10V	170MOHM @ 13A，10V	5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	1707 PF @ 100 V	-	278W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²