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离散半导体产品（（5717）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4884BDY-T1-E3 | - |  | 7345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4884 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 16.5A（TC） | 4.5V，10V | 9mohm @ 10a，10v | 3V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 1525 pf @ 15 V | - | 2.5W（TA），4.45W（TC） | ||||
| SI4886DY-T1-E3 | - | | 5268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4886 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 9.5A（TA） | 4.5V，10V | 10mohm @ 13a，10v | 800mv @ 250µA（250µA） | 20 nc @ 5 V | ±20V | - | 1.56W（TA） | ||||
| SI4890BDY-T1-E3 | - | | 6520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4890 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 16A（TC） | 4.5V，10V | 12mohm @ 10a，10v | 2.6V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±25V | 1535 pf @ 15 V | - | 2.5W（ta），5.7W（TC） | ||||
| SI4890DY-T1-GE3 | - | | 6613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4890 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 11a（11a） | 4.5V，10V | 12mohm @ 11a，10v | 800mv @ 250µA（250µA） | 20 nc @ 5 V | ±25V | - | 2.5W（TA） | |||||
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| SI4920DY-T1-GE3 | - | | 3157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4920 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | - | 25mohm @ 6.9a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 23nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI4923DY-T1-GE3 | - | | 1786年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4923 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 6.2a | 21mohm @ 8.3a，10v | 3V @ 250µA | 70NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||||
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| SI4965DY-T1-GE3 | - | | 6333 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4965 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 8V | - | 21MOHM @ 8A，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 55nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
 | SI5402DC-T1-E3 | - | | 8823 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5402 | MOSFET （金属 o化物） | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 4.9a（ta） | 4.5V，10V | 35MOHM @ 4.9A，10V | 1V @ 250µA（250µA） | 20 nc @ 10 V | ±20V | - | 1.3W（TA） | ||||
| SI5443DC-T1-GE3 | - | | 5288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5443 | MOSFET （金属 o化物） | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.6a（ta） | 2.5V，4.5V | 65mohm @ 3.6a，4.5V | 600mv @ 250µA（250µA）） | 14 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.3W（TA） | ||||
| SI5449DC-T1-GE3 | - | | 9950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5449 | MOSFET （金属 o化物） | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3.1a（ta） | 2.5V，4.5V | 85mohm @ 3.1a，4.5V | 600mv @ 250µA（250µA）） | 11 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.3W（TA） | ||||
| SI5461EDC-T1-E3 | - | | 7426 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5461 | MOSFET （金属 o化物） | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 4.5A（ta） | 1.8V，4.5V | 45MOHM @ 5A，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 20 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.3W（TA） | ||||
| SI5461EDC-T1-GE3 | - | | 7798 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5461 | MOSFET （金属 o化物） | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 4.5A（ta） | 1.8V，4.5V | 45MOHM @ 5A，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 20 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.3W（TA） | ||||
| SI5463EDC-T1-GE3 | - | | 7492 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5463 | MOSFET （金属 o化物） | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.8A（TA） | 1.8V，4.5V | 62MOHM @ 4A，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 15 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.25W（TA） | ||||
| SI5475DC-T1-E3 | - | | 5330 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5475 | MOSFET （金属 o化物） | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 5.5A（ta） | 1.8V，4.5V | 31MOHM @ 5.5A，4.5V | 450mv @ 1ma （最小） | 29 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.3W（TA） | ||||
 | SI5479DU-T1-GE3 | - | | 4442 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®Chipfet™ | SI5479 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®Chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 16A（TC） | 1.8V，4.5V | 21mohm @ 6.9a，4.5V | 1V @ 250µA | 51 NC @ 8 V | ±8V | 1810 PF @ 6 V | - | 3.1W（TA），17.8W（tc） | |||
| SI5485DU-T1-GE3 | - | | 4626 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®Chipfet™ | SI5485 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®Chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 12A（TC） | 2.5V，4.5V | 25mohm @ 5.9a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 42 NC @ 8 V | ±12V | 1100 pf @ 10 V | - | 3.1W（TA），31W（（（（（（ | |||
| SI5504BDC-T1-E3 | 1.0000 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5504 | MOSFET （金属 o化物） | 3.12W，3.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 4a，3.7a | 65mohm @ 3.1a，10v | 3V @ 250µA | 7NC @ 10V | 220pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||
| SI5504DC-T1-GE3 | - | | 9316 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5504 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 2.9a，2.1a | 85mohm @ 2.9a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 7.5NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI5853CDC-T1-E3 | - | | 3250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5853 | MOSFET （金属 o化物） | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 4A（TC） | 1.8V，4.5V | 104mohm @ 2.5A，4.5V | 1V @ 250µA | 11 NC @ 8 V | ±8V | 350 pf @ 10 V | Schottky 二极管（孤立） | 1.5W（TA），3.1W（TC） | |||
 | SI5858DU-T1-GE3 | - | | 9214 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®Chipfet™ | SI5858 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®Chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6A（TC） | 1.8V，4.5V | 39mohm @ 4.4A，4.5V | 1V @ 250µA | 16 NC @ 8 V | ±8V | 520 pf @ 10 V | Schottky 二极管（孤立） | 2.3W（ta），8.3W（TC） | |||
| SI5903DC-T1-GE3 | - | | 8859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5903 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 2.1a | 155mohm @ 2.1a，4.5V | 600mv @ 250µA（250µA）） | 6NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI5905BDC-T1-E3 | - | | 6081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5905 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 8V | 4a | 80mohm @ 3.3a，4.5V | 1V @ 250µA | 11NC @ 8V | 350pf @ 4V | 逻辑级别门 | |||||
| SI5906DU-T1-GE3 | - | | 9745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®CHIPFET™双重 | SI5906 | MOSFET （金属 o化物） | 10.4W | PowerPak®Chipfet双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 6a | 31MOHM @ 4.8A，10V | 2.2V @ 250µA | 8.6nc @ 10V | 300pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||
| SI5915BDC-T1-E3 | - | | 3698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5915 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 8V | 4a | 70mohm @ 3.3a，4.5V | 1V @ 250µA | 14NC @ 8V | 420pf @ 4V | 逻辑级别门 | |||||
| SI5933DC-T1-GE3 | - | | 3407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5933 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 2.7a | 110MOHM @ 2.7a，4.5V | 1V @ 250µA | 7.7nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI5943DU-T1-GE3 | - | | 5749 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®CHIPFET™双重 | SI5943 | MOSFET （金属 o化物） | 8.3W | PowerPak®Chipfet双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 12V | 6a | 64mohm @ 3.6A，4.5V | 1V @ 250µA | 15nc @ 8V | 460pf @ 6V | 逻辑级别门 |
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