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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUP90P06-09L-E3 | 5.5600 | ![]() | 2454 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SUP90 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | SUP90P0609LE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 60 V | 90A(TC) | 4.5V,10V | 9.3mohm @ 30a,10v | 3V @ 250µA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 9200 PF @ 25 V | - | 2.4W(250W)(250W)TC) | |||||
![]() | TP0610K-T1-GE3 | 0.4900 | ![]() | 227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TP0610 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 185ma(ta) | 4.5V,10V | 6ohm @ 500mA,10v | 3V @ 250µA | 1.7 NC @ 15 V | ±20V | 23 pf @ 25 V | - | 350MW(TA) | ||||
![]() | SI7390DP-T1-E3 | 2.6600 | ![]() | 5413 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7390 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 9a(9a) | 4.5V,10V | 9.5Mohm @ 15a,10v | 3V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W(TA) | ||||||
![]() | SI7409ADN-T1-GE3 | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7409 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 7a(ta) | 2.5V,4.5V | 19mohm @ 11a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 40 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.5W(TA) | |||||
![]() | SI7425DN-T1-GE3 | - | ![]() | 2675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7425 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 8.3a(ta) | 1.8V,4.5V | 16mohm @ 12.6a,4.5V | 1V @ 300µA | 39 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.5W(TA) | |||||
![]() | SI7440DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7440 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 12a(12a) | 4.5V,10V | 6.5MOHM @ 21a,10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | SI7452DP-T1-E3 | - | ![]() | 2169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7452 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 11.5A(TA) | 10V | 8.3MOHM @ 19.3a,10V | 4.5V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | SI7457DP-T1-GE3 | - | ![]() | 5811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7457 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 100 v | 28a(TC) | 6V,10V | 42MOHM @ 7.9A,10V | 4V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 5230 PF @ 50 V | - | 5.2W(ta),83.3W(tc) | ||||
![]() | SI7476DP-T1-GE3 | - | ![]() | 6317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7476 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 15A(TA) | 4.5V,10V | 5.3MOHM @ 25A,10V | 3V @ 250µA | 177 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | SI7495DP-T1-E3 | - | ![]() | 5532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7495 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 13A(TA) | 1.8V,4.5V | 6.5MOHM @ 21A,4.5V | 900mv @ 1mA | 140 NC @ 5 V | ±8V | - | 1.8W(TA) | |||||
![]() | SI7633DP-T1-GE3 | 1.6700 | ![]() | 4392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7633 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 60a(TC) | 4.5V,10V | 3.3mohm @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 260 NC @ 10 V | ±20V | 9500 PF @ 10 V | - | 6.25W(TA),104W(tc) | |||||
![]() | SI7636DP-T1-GE3 | 1.1907 | ![]() | 4995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7636 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 17A(TA) | 4.5V,10V | 4mohm @ 25a,10v | 3V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 V | ±20V | 5600 pf @ 15 V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | SI7668ADP-T1-E3 | - | ![]() | 7275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7668 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 3mohm @ 25a,10v | 1.8V @ 250µA | 170 NC @ 10 V | ±12V | 8820 PF @ 15 V | - | 5.4W(ta),83W(tc) | ||||
![]() | SI7674DP-T1-GE3 | - | ![]() | 9853 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7674 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 3.3mohm @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ±20V | 5910 PF @ 15 V | - | 5.4W(ta),83W(tc) | ||||
![]() | SI7682DP-T1-E3 | - | ![]() | 1336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7682 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 20A(TC) | 4.5V,10V | 9mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1595 pf @ 15 V | - | 5W(5W),27.5W(TC) | ||||
![]() | SI7804DN-T1-GE3 | 0.5292 | ![]() | 8957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7804 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6.5A(TA) | 4.5V,10V | 18.5mohm @ 10a,10v | 1.8V @ 250µA | 13 NC @ 5 V | ±20V | - | 1.5W(TA) | ||||||
![]() | SI7840BDP-T1-E3 | - | ![]() | 4615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7840 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 8.5MOHM @ 16.5A,10V | 3V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W(TA) | |||||
![]() | SI7840BDP-T1-GE3 | - | ![]() | 8726 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7840 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 8.5MOHM @ 16.5A,10V | 3V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W(TA) | ||||||
![]() | SI7860ADP-T1-GE3 | - | ![]() | 1441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7860 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 9.5MOHM @ 16a,10v | 3V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W(TA) | |||||
![]() | SI7860DP-T1-E3 | - | ![]() | 8623 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7860 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 8mohm @ 18a,10v | 3V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W(TA) | |||||
![]() | SI7868ADP-T1-GE3 | 2.2623 | ![]() | 4724 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7868 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 40a(TC) | 4.5V,10V | 2.25MOHM @ 20A,10V | 1.6V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±16V | 6110 PF @ 10 V | - | 5.4W(ta),83W(tc) | |||||
![]() | SI7882DP-T1-E3 | - | ![]() | 9527 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7882 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 12 v | 13A(TA) | 2.5V,4.5V | 5.5MOHM @ 17A,4.5V | 1.4V @ 250µA | 30 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | SI7901EDN-T1-GE3 | - | ![]() | 8131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7901 | MOSFET (金属 o化物) | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 4.3a | 48mohm @ 6.3a,4.5V | 1V @ 800µA | 18NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI7940DP-T1-E3 | - | ![]() | 9697 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7940 | MOSFET (金属 o化物) | 1.4W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 12V | 7.6a | 17mohm @ 11.8a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI8417DB-T2-E1 | - | ![]() | 6508 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-microfoot®csp | SI8417 | MOSFET (金属 o化物) | 6-micro脚™(1.5x1) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 14.5A(TC) | 1.8V,4.5V | 21MOHM @ 1A,4.5V | 900mv @ 250µA | 57 NC @ 5 V | ±8V | 2220 PF @ 6 V | - | 2.9W(TA),6.57W(TC) | ||||
![]() | SI8441DB-T2-E1 | - | ![]() | 6868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6- UFBGA | SI8441 | MOSFET (金属 o化物) | 6-micro脚™(1.5x1) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 10.5A(TC) | 1.2V,4.5V | 80MOHM @ 1A,4.5V | 700MV @ 250µA | 13 NC @ 5 V | ±5V | 600 pf @ 10 V | - | 2.77W(TA),13W(tc) | ||||
![]() | SI9407BDY-T1-E3 | 1.3900 | ![]() | 958 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI9407 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 60 V | 4.7A(TC) | 4.5V,10V | 120mohm @ 3.2a,10v | 3V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 600 pf @ 30 V | - | 5W(TC) | |||||
![]() | SI9435BDY-T1-GE3 | 0.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI9435 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 4.1a(ta) | 10V | 42MOHM @ 5.7A,10V | 3V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.3W(TA) | ||||||
![]() | SI9926BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 6712 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI9926 | MOSFET (金属 o化物) | 1.14W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 20V | 6.2a | 20mohm @ 8.2a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI9926CDY-T1-E3 | 1.3200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI9926 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 20V | 8a | 18mohm @ 8.3a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 33nc @ 10V | 1200pf @ 10V | 逻辑级别门 |
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