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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4539ADY-T1-GE3	-	RFQ	7144	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4539	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	4.4a，3.7a		36mohm @ 5.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
SI4542DY-T1-GE3	-	RFQ	8855	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4542	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	-		25mohm @ 6.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	50NC @ 10V		-	逻辑级别门
SI4561DY-T1-E3	-	RFQ	6668	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4561	MOSFET （金属 o化物）	3W，3.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	6.8a，7.2a		35.5MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		640pf @ 20V	逻辑级别门
SI4562DY-T1-E3	-	RFQ	3507	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4562	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		20V	-		25mohm @ 7.1a，4.5V	1.6V @ 250µA	50nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4563DY-T1-GE3	-	RFQ	2431	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4563	MOSFET （金属 o化物）	3.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	8a		16mohm @ 5A，10V	2V @ 250µA	85nc @ 10V		2390pf @ 20V	-
SI4565ADY-T1-GE3	-	RFQ	8321	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4565	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	6.6a，5.6a		39mohm @ 5a，10v	2.2V @ 250µA	22nc @ 10V		625pf @ 20V	-
SI4668DY-T1-E3	-	RFQ	9051	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4668	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	16.2A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 15A，10V	2.6V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±16V	1654 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SI4804BDY-T1-GE3	-	RFQ	9473	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4804	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4814BDY-T1-GE3	-	RFQ	8091	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4814	MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	10a，10.5a		18mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4816DY-T1-E3	-	RFQ	6633	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4816	MOSFET （金属 o化物）	1W，1.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.3a，7.7a		22mohm @ 6.3a，10v	2V @ 250µA	12nc @ 5V		-	逻辑级别门
SI4818DY-T1-GE3	-	RFQ	1534年	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4818	MOSFET （金属 o化物）	1W，1.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.3a，7a		22mohm @ 6.3a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	12nc @ 5V		-	逻辑级别门
SI4830ADY-T1-GE3	-	RFQ	9548	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4830	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4834CDY-T1-GE3	-	RFQ	5791	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4834	MOSFET （金属 o化物）	2.9W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		20mohm @ 8a，10v	3V @ 1mA	25nc @ 10V		950pf @ 15V	-
SI4836DY-T1-GE3	-	RFQ	2498	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4836	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	17A（TA）	1.8V，4.5V	3mohm @ 25a，4.5V	400mv @ 250µA（250µA））	75 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SI4838DY-T1-GE3	1.5641	RFQ	2872	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4838	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	17A（TA）	2.5V，4.5V	3mohm @ 25a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	60 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SI4840DY-T1-GE3	-	RFQ	5992	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4840	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	10a（10a）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±20V		-	1.56W（TA）
SI4850EY-T1	-	RFQ	5176	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4850	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	6a（6a）	4.5V，10V	22mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V		-	1.7W（TA）
SI5457DC-T1-GE3	0.5700	RFQ	74	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5457	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6A（TC）	2.5V，4.5V	36mohm @ 4.9a，4.5V	1.4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±12V	1000 pf @ 10 V	-	5.7W（TC）
SUD40N10-25-E3	3.1200	RFQ	3256	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	40a（TC）	10V	25mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
SUD50N025-06P-E3	-	RFQ	2955	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	25 v	78A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	2490 pf @ 12 V	-	10.7W（ta），65W（tc）
SUD50N03-09P-E3	-	RFQ	3065	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	63A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	7.5W（ta），65.2W（TC）
SUD50N03-09P-GE3	-	RFQ	9942	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	63A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	7.5W（ta），65.2W（TC）
SUD50N03-11-E3	-	RFQ	4647	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 25a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	20 nc @ 5 V	±20V	1130 PF @ 25 V	-	7.5W（ta），62.5W（TC）
SUD50P08-26-E3	-	RFQ	1385	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	80 V	50A（TC）	10V	26mohm @ 12.9a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	5160 pf @ 40 V	-	8.3W（ta），136W（tc）
SUM110N04-03-E3	-	RFQ	3985	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	110A（TC）	10V	2.8mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	8250 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），375W（tc）
SUP60N06-12P-E3	-	RFQ	1117	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SUP60N0612PE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	60a（TC）	10V	12mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 30 V	-	3.25W（TA），100W（（（（（（（（
SUP60N10-18P-E3	-	RFQ	7050	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	60a（TC）	8V，10V	18.3mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 50 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
SUP85N02-03-E3	-	RFQ	3975	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP85	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	20 v	85A（TC）	2.5V，4.5V	3MOHM @ 30a，4.5V	450mv @ 2mA （最小）	200 NC @ 4.5 V	±8V	21250 PF @ 20 V	-	250W（TC）
SUP90N08-6M8P-E3	-	RFQ	2120	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	75 v	90A（TC）	10V	6.8mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	4620 PF @ 30 V	-	3.75W（ta），272W（tc）
SUP90N15-18P-E3	-	RFQ	4416	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	150 v	90A（TC）	10V	18mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4180 pf @ 75 V	-	3.75W（TA），375W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²