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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIA445EDJ-T1-GE3	0.6400	RFQ	285	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA445	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	12A（TC）	2.5V，4.5V	16.5MOHM @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±12V	2130 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SISA04DN-T1-GE3	1.2500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA04	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	2.15MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	77 NC @ 10 V	+20V，-16V	3595 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
irfr9020pbf	1.8700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IRFR9120pbf	1.4000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	P通道	100 v	5.6A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
irfrc20pbf	1.2900	RFQ	10	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFRC20TRRPBF	0.8236	RFQ	6797	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFD014PBF	1.3900	RFQ	248	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD014	MOSFET （金属 o化物）	4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD014PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	1.7A（TA）	10V	200mohm @ 1a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
IRFD214pbf	0.5880	RFQ	6004	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD214	MOSFET （金属 o化物）	4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD214PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	250 v	450mA（ta）	10V	2ohm @ 270mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRFP440pbf	3.3700	RFQ	356	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP440	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP440pbf	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	500 v	8.8A（TC）	10V	850MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFPE40pbf	4.3900	RFQ	7904	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPE40	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPE40pbf	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	800 v	5.4A（TC）	10V	2ohm @ 3.2a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFP31N50LPBF	7.6600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP31	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP31N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	500 v	31a（TC）	10V	180mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±30V	5000 pf @ 25 V	-	460W（TC）
IRFPE50pbf	4.8500	RFQ	175	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPE50	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPE50pbf	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	800 v	7.8A（TC）	10V	1.2OHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	190w（TC）
IRFPF50pbf	6.9100	RFQ	485	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF50	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPF50pbf	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	900 v	6.7A（TC）	10V	1.6OHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRL510pbf	1.3500	RFQ	13	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL510	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRL510pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRF710pbf	1.1100	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF710	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF710pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	36W（TC）
irfz14pbf	1.2900	RFQ	63	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfz14pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRF9Z10PBF	1.6300	RFQ	958	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z10	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9Z10PBF	Ear99	8541.29.0095	50	P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRF530pbf	1.4000	RFQ	8	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF530	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF530pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	88W（TC）
IRFR024TRPBF	1.2900	RFQ	208	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR024	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFL9014TRPBF	0.9300	RFQ	47	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9014	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	1.8A（TC）	10V	500MOHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFL014TRPBF	0.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	2.7A（TC）	10V	200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFP140pbf	4.1400	RFQ	458	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP140	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP140pbf	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	100 v	31a（TC）	10V	77mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IRF634NSPBF	-	RFQ	3955	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF634	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF634NSPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	250 v	8A（TC）	10V	435MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），88W（TC）
IRFR420TRPBF	1.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFR9010TRPBF	1.0600	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9010	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	50 V	5.3A（TC）	10V	500MOHM @ 2.8a，10V	4V @ 250µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRLR110TRPBF	0.9300	RFQ	23	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFBC40SPBF	4.4500	RFQ	1517年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC40SPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
IRFBC40ASPBF	4.4500	RFQ	464	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC40ASPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	1036 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRC640pbf	-	RFQ	9424	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRC640	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRC640pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	电流感应	125W（TC）
IRFR214pbf	0.6159	RFQ	7829	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfr214pbf	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²