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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4840DY-T1-GE3	-	RFQ	5992	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4840	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	10a（10a）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±20V		-	1.56W（TA）
SI4850EY-T1	-	RFQ	5176	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4850	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	6a（6a）	4.5V，10V	22mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V		-	1.7W（TA）
SI4858DY-T1-GE3	-	RFQ	2808	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4858	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	5.25MOHM @ 20A，10V	1V @ 250µA（250µA）	40 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SI4862DY-T1-GE3	-	RFQ	9308	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4862	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	16 V	17A（TA）	2.5V，4.5V	3.3MOHM @ 25a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	70 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SI4866BDY-T1-E3	-	RFQ	7450	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4866	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	21.5A（TC）	1.8V，4.5V	5.3MOHM @ 12A，4.5V	1V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±8V	5020 PF @ 6 V	-	4.45W（TC）
SI4866DY-T1-E3	2.2000	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4866	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	11a（11a）	2.5V，4.5V	5.5MOHM @ 17A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	30 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SI4876DY-T1-GE3	-	RFQ	9709	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4876	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	14A（TA）	2.5V，4.5V	5mohm @ 21a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	80 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.6W（TA）
SI4884BDY-T1-E3	-	RFQ	7345	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4884	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16.5A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1525 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），4.45W（TC）
SI4890BDY-T1-E3	-	RFQ	6520	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4890	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±25V	1535 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
SI4890DY-T1-GE3	-	RFQ	6613	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4890	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	12mohm @ 11a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	20 nc @ 5 V	±25V		-	2.5W（TA）
SI4892DY-T1-E3	-	RFQ	1612	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4892	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	8.8a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 12.4a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	10.5 NC @ 5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SI4920DY-T1-E3	-	RFQ	6681	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4920	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	-		25mohm @ 6.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	23nc @ 5V		-	逻辑级别门
SI4923DY-T1-GE3	-	RFQ	1786年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4923	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	6.2a		21mohm @ 8.3a，10v	3V @ 250µA	70NC @ 10V		-	逻辑级别门
SI4963BDY-T1-GE3	0.7796	RFQ	4291	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4963	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		20V	4.9a		32MOHM @ 6.5A，4.5V	1.4V @ 250µA	21nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4936CDY-T1-E3	0.2436	RFQ	6767	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4936	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.8a		40mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	9NC @ 10V		325pf @ 15V	逻辑级别门
SIHF12N60E-E3	2.8200	RFQ	8175	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHF12N60EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	937 PF @ 100 V	-	33W（TC）
SIHP12N60E-E3	2.6900	RFQ	3456	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP12N60EE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	937 PF @ 100 V	-	147W（TC）
SQ1420EEH-T1-GE3	-	RFQ	2902	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1420	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	1.6A（TC）		140MOHM @ 1.2A，10V	2.5V @ 250µA	4 NC @ 4.5 V		215 pf @ 25 V	-
SQ3418EEV-T1-GE3	-	RFQ	1236	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3418	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	40 V	8A（TC）		32MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V		660 pf @ 25 V	-
SQ1470EH-T1-GE3	-	RFQ	8977	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1470	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.8A（TC）		65MOHM @ 3.8A，4.5V	1.6V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V		610 pf @ 25 V	-
SQ2361EES-T1-GE3	-	RFQ	7750	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2361	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.5A（TC）	4.5V，10V	150MOHM @ 2.4a，10V	2.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	545 pf @ 30 V	-	2W（TC）
SQ3419EEV-T1-GE3	-	RFQ	1109	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3419	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	7.4A（TC）	4.5V，10V	50MOHM @ 2.5A，10V	2.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	1065 PF @ 20 V	-	5W（TC）
SQ3460EV-T1_GE3	0.9100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3460	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	30mohm @ 5.1a，4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	1060 pf @ 10 V	-	3.6W（TC）
SIHB22N60E-GE3	4.1200	RFQ	1632年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHB22N60EGE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SIHB24N65E-GE3	5.9300	RFQ	4624	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2740 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIR826DP-T1-GE3	2.9400	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir826	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.8V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIR870ADP-T1-GE3	2.0900	RFQ	5138	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir870	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	60a（TC）	4.5V，10V	6.6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	2866 PF @ 50 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIR882ADP-T1-GE3	2.5100	RFQ	32	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir882	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	60a（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 20A，10V	2.8V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1975 pf @ 50 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SIZ910DT-T1-GE3	-	RFQ	2736	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ910	MOSFET （金属 o化物）	48W，100W	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	40a		5.8mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	40NC @ 10V		1500pf @ 15V	逻辑级别门
SIR812DP-T1-GE3	-	RFQ	5450	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir812	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.45MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	335 NC @ 10 V	±20V	10240 pf @ 15 V	-	6.25W（TA），104W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²