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离散半导体产品（（5717）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4412ADY-T1-GE3 | - |  | 3852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4412 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 5.8A（ta） | 4.5V，10V | 24mohm @ 8a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 20 nc @ 10 V | ±20V | - | 1.3W（TA） | |||||
| SI4421DY-T1-GE3 | 2.4800 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4421 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 20 v | 10a（10a） | 1.8V，4.5V | 8.75MOHM @ 14a，4.5V | 800mv @ 850µA | 125 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.5W（TA） | ||||||
| SI4425DDY-T1-GE3 | 0.9100 | | 63 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4425 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 19.7a（TC） | 4.5V，10V | 9.8mohm @ 13A，10V | 2.5V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 2610 PF @ 15 V | - | 2.5W（ta），5.7W（TC） | |||||
| SI4426DY-T1-E3 | 0.6468 | | 8632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4426 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 6.5A（TA） | 2.5V，4.5V | 25mohm @ 8.5a，4.5V | 1.4V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.5W（TA） | ||||||
| SI4426DY-T1-GE3 | - | | 4632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4426 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 6.5A（TA） | 2.5V，4.5V | 25mohm @ 8.5a，4.5V | 1.4V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.5W（TA） | ||||||
| SI4427BDY-T1-GE3 | 0.8363 | | 1982 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4427 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 9.7A（ta） | 10V | 10.5MOHM @ 12.6a，10V | 1.4V @ 250µA | 70 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.5W（TA） | ||||||
| SI4442DY-T1-GE3 | 1.5780 | | 6018 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4442 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 15A（TA） | 2.5V，10V | 4.5mohm @ 22a，10v | 1.5V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.6W（TA） | ||||||
| SI4455DY-T1-E3 | 2.0800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4455 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 150 v | 2.8A（TC） | 10V | 295MOHM @ 4A，10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | 1190 pf @ 50 V | - | 3.1W（TA），5.9W（TC） | |||||
| SI4462DY-T1-GE3 | - | | 2403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4462 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 200 v | 1.15A（TA） | 6V，10V | 480MOHM @ 1.5A，10V | 4V @ 250µA | 9 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.3W（TA） | |||||
| SI4466DY-T1-GE3 | - | | 5587 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4466 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 9.5A（TA） | 2.5V，4.5V | 9MOHM @ 13.5a，4.5V | 1.4V @ 250µA | 60 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.5W（TA） | |||||
| SI4483DODY-T1-GE3 | - | | 4074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4483 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 10a（10a） | 4.5V，10V | 8.5mohm @ 14a，10v | 3V @ 250µA | ±25V | - | 1.5W（TA） | ||||||
| SI4486EY-T1-GE3 | - | | 9236 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4486 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 5.4A（ta） | 6V，10V | 25mohm @ 7.9a，10v | 2V @ 250µA（） | 44 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.8W（TA） | |||||
| SI4539ADY-T1-GE3 | - | | 7144 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4539 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 4.4a，3.7a | 36mohm @ 5.9a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 20NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
| SI4542DY-T1-GE3 | - | | 8855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4542 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | - | 25mohm @ 6.9a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 50NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
| SI4668DY-T1-E3 | - | | 9051 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4668 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 25 v | 16.2A（TC） | 4.5V，10V | 10.5MOHM @ 15A，10V | 2.6V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±16V | 1654 pf @ 15 V | - | 2.5W（ta），5W（（（（（（（） | |||||
| SI4858DY-T1-GE3 | - | | 2808 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4858 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 13A（TA） | 4.5V，10V | 5.25MOHM @ 20A，10V | 1V @ 250µA（250µA） | 40 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.6W（TA） | |||||
| SI4890BDY-T1-E3 | - | | 6520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4890 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 16A（TC） | 4.5V，10V | 12mohm @ 10a，10v | 2.6V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±25V | 1535 pf @ 15 V | - | 2.5W（ta），5.7W（TC） | |||||
| SI4890DY-T1-GE3 | - | | 6613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4890 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 11a（11a） | 4.5V，10V | 12mohm @ 11a，10v | 800mv @ 250µA（250µA） | 20 nc @ 5 V | ±25V | - | 2.5W（TA） | ||||||
| SI4892DY-T1-E3 | - | | 1612 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4892 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 8.8a（ta） | 4.5V，10V | 12mohm @ 12.4a，10v | 800mv @ 250µA（250µA） | 10.5 NC @ 5 V | ±20V | - | 1.6W（TA） | |||||
| SI4920DY-T1-E3 | - | | 6681 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4920 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | - | 25mohm @ 6.9a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 23nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
| SI4923DY-T1-GE3 | - | | 1786年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4923 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 6.2a | 21mohm @ 8.3a，10v | 3V @ 250µA | 70NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
| SI4963BDY-T1-GE3 | 0.7796 | | 4291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4963 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 20V | 4.9a | 32MOHM @ 6.5A，4.5V | 1.4V @ 250µA | 21nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||||
| SI4936CDY-T1-E3 | 0.2436 | | 6767 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4936 | MOSFET （金属 o化物） | 2.3W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 5.8a | 40mohm @ 5a，10v | 3V @ 250µA | 9NC @ 10V | 325pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||||
 | SIHF12N60E-E3 | 2.8200 | | 8175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3完整包 | SIHF12 | MOSFET （金属 o化物） | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | SIHF12N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 12A（TC） | 10V | 380MOHM @ 6A，10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ±30V | 937 PF @ 100 V | - | 33W（TC） | ||||
 | SIHP12N60E-E3 | 2.6900 | | 3456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3 | SIHP12 | MOSFET （金属 o化物） | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | SIHP12N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 12A（TC） | 10V | 380MOHM @ 6A，10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ±30V | 937 PF @ 100 V | - | 147W（TC） | ||||
 | SQ1420EEH-T1-GE3 | - | | 2902 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SQ1420 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 1.6A（TC） | 140MOHM @ 1.2A，10V | 2.5V @ 250µA | 4 NC @ 4.5 V | 215 pf @ 25 V | - | ||||||||
 | SQ3418EEV-T1-GE3 | - | | 1236 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SQ3418 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 8A（TC） | 32MOHM @ 5A，10V | 2.5V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 V | 660 pf @ 25 V | - | ||||||||
| SQ1470EH-T1-GE3 | - | | 8977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SQ1470 | MOSFET （金属 o化物） | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 2.8A（TC） | 65MOHM @ 3.8A，4.5V | 1.6V @ 250µA | 6.6 NC @ 4.5 V | 610 pf @ 25 V | - | ||||||||
 | SQ2361EES-T1-GE3 | - | | 7750 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SQ2361 | MOSFET （金属 o化物） | SOT-23-3（TO-236） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 2.5A（TC） | 4.5V，10V | 150MOHM @ 2.4a，10V | 2.5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 545 pf @ 30 V | - | 2W（TC） | ||||
| SQ3419EEV-T1-GE3 | - | | 1109 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SQ3419 | MOSFET （金属 o化物） | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 40 V | 7.4A（TC） | 4.5V，10V | 50MOHM @ 2.5A，10V | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±12V | 1065 PF @ 20 V | - | 5W（TC） |
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30,000,000
标准产品单位
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