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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI1499DH-T1-GE3	0.6700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1499	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（TC）	1.2V，4.5V	78MOHM @ 2A，4.5V	800MV @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±5V	650 pf @ 4 V	-	2.5W（2.78W）（2.78W）TC）
SI2334DS-T1-GE3	-	RFQ	6788	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2334	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.9A（TC）	2.5V，4.5V	44mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	634 pf @ 15 V	-	1.3W（TA），1.7W（TC）
SI3469DV-T1-GE3	1.0700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3469	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5A（5A）	4.5V，10V	30mohm @ 6.7a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
SI3552DV-T1-GE3	0.8300	RFQ	553	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3552	MOSFET （金属 o化物）	1.15W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		30V	2.5a		105mohm @ 2.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	3.2nc @ 5V		-	逻辑级别门
SI3588DV-T1-GE3	-	RFQ	6467	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3588	MOSFET （金属 o化物）	830MW，83MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	2.5a，570mA		80MOHM @ 3A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	7.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4102DY-T1-GE3	-	RFQ	4349	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4102	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	3.8A（TC）	6V，10V	158mohm @ 2.7a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	370 pf @ 50 V	-	2.4W（ta），4.8W（TC）
SI4403BDY-T1-GE3	-	RFQ	6298	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4403	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	7.3a（ta）	1.8V，4.5V	17mohm @ 9.9a，4.5V	1V @ 350µA	50 NC @ 5 V	±8V		-	1.35W（TA）
SI4446DY-T1-GE3	-	RFQ	1502	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4446	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	3.9a（ta）	4.5V，10V	40mohm @ 5.2A，10V	1.6V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±12V	700 pf @ 20 V	-	1.1W（TA）
Si4488dy-T1-GE3	2.2500	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4488	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	3.5A（ta）	10V	50mohm @ 5a，10v	2V @ 250µA（）	36 NC @ 10 V	±20V		-	1.56W（TA）
SI4497DY-T1-GE3	1.8800	RFQ	3879	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4497	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	36a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	285 NC @ 10 V	±20V	9685 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SI4599DY-T1-GE3	0.9100	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4599	MOSFET （金属 o化物）	3W，3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	6.8a，5.8a		35.5MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		640pf @ 20V	逻辑级别门
SI4670DY-T1-E3	-	RFQ	2066	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4670	MOSFET （金属 o化物）	2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		25V	8a		23mohm @ 7a，10v	2.2V @ 250µA	18NC @ 10V		680pf @ 13V	逻辑级别门
SI4778DY-T1-GE3	-	RFQ	8387	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4778	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	8A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 7a，10v	2.2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±16V	680 pf @ 13 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
SI4830CDY-T1-GE3	-	RFQ	2801	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4830	MOSFET （金属 o化物）	2.9W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	8a		20mohm @ 8a，10v	3V @ 1mA	25nc @ 10V		950pf @ 15V	逻辑级别门
SI4848DY-T1-GE3	1.6400	RFQ	880	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4848	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	2.7a（ta）	6V，10V	85MOHM @ 3.5A，10V	2V @ 250µA（）	21 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI4896DY-T1-GE3	1.9500	RFQ	450	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4896	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	80 V	6.7a（ta）	6V，10V	16.5MOHM @ 10A，10V	2V @ 250µA（）	41 NC @ 10 V	±20V		-	1.56W（TA）
SI4914BDY-T1-GE3	-	RFQ	6992	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4914	MOSFET （金属 o化物）	2.7W，3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	8.4a，8a		21mohm @ 8a，10v	2.7V @ 250µA	10.5NC @ 4.5V		-	-
SI5402BDC-T1-GE3	-	RFQ	4906	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5402	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.9a（ta）	4.5V，10V	35MOHM @ 4.9A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
SI5458DU-T1-GE3	0.2284	RFQ	3940	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5458	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	6A（TC）	4.5V，10V	41MOHM @ 7.1A，10V	3V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	325 pf @ 15 V	-	3.5W（ta），10.4W（TC）
SI5511DC-T1-GE3	-	RFQ	3247	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5511	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，2.6W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		30V	4a，3.6a		55MOHM @ 4.8A，4.5V	2V @ 250µA	7.1nc @ 5V		435pf @ 15V	逻辑级别门
SI5515CDC-T1-GE3	0.8300	RFQ	7885	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5515	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	4a		36mohm @ 6a，4.5V	800MV @ 250µA	11.3nc @ 5V		632pf @ 10V	逻辑级别门
SI5935CDC-T1-GE3	0.5500	RFQ	4202	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5935	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4a		100mohm @ 3.1a，4.5V	1V @ 250µA	11NC @ 5V		455pf @ 10V	-
SI6913DQ-T1-GE3	1.3000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6913	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	4.9a		21MOHM @ 5.8A，4.5V	900MV @ 400µA	28nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI6993DQ-T1-GE3	-	RFQ	8483	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6993	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	3.6a		31MOHM @ 4.7A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7141DP-T1-GE3	2.3200	RFQ	41	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7141	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 25a，10v	2.3V @ 250µA	400 NC @ 10 V	±20V	14300 PF @ 10 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI7143DP-T1-GE3	1.3900	RFQ	173	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7143	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 16.1a，10V	2.8V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	2230 pf @ 15 V	-	4.2W（TA），35.7W（tc）
SI7625DN-T1-GE3	1.1200	RFQ	43	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7625	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	4427 PF @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI4936CDY-T1-E3	0.2436	RFQ	6767	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4936	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.8a		40mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	9NC @ 10V		325pf @ 15V	逻辑级别门
SQD50N04-09H-GE3	-	RFQ	1451	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50N	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	50A（TC）		9mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	76 NC @ 10 V		4240 pf @ 25 V	-
2N7002E-T1-GE3	0.4100	RFQ	18	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		TO-236	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	240mA（ta）	10V	3ohm @ 250mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	21 pf @ 5 V	-	350MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²