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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQJ200EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ200	MOSFET （金属 o化物）	27W，48W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	20a，60a		8.8mohm @ 16a，10v	2V @ 250µA	18NC @ 10V		975pf @ 10V	-
SQM40022EM_GE3	2.2300	RFQ	5202	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	SQM40022	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	150a（TC）	10V	1.63mohm @ 35a，10v	3.5V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SQS944ENW-T1_GE3	0.9600	RFQ	1520	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®1212-8W双重	SQS944	MOSFET （金属 o化物）	27.8W（TC）	PowerPak®1212-8W双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	6A（TC）		25mohm @ 1.25A，10V	2.5V @ 250µA	10NC @ 10V		615pf @ 25V	-
SIAA00DJ-T1-GE3	0.6800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIAA00	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	20.1a（ta），40a tc）	4.5V，10V	5.6mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	+16V，-12V	1090 pf @ 12.5 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SIDR622DP-T1-GE3	3.0500	RFQ	2007	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR622	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	64.6a（ta），56.7a（tc）	7.5V，10V	17.7mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1516 PF @ 75 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SIR112DP-T1-RE3	1.3800	RFQ	7139	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir112	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	37.6A（TA），133a （TC）	4.5V，10V	1.96mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	+20V，-16V	4270 pf @ 20 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
SIRA62DP-T1-RE3	1.4000	RFQ	20	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira62	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	51.4A（TA），80a tc）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	93 NC @ 10 V	+16V，-12V	4460 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），65.7W（TC）
IRFZ48SPBF	4.4200	RFQ	104	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ48	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	10V	18mohm @ 43a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.7W（190W）（TC）
SIHB12N65E-GE3	2.9300	RFQ	729	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB12	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	1224 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SI4401FDY-T1-GE3	0.8800	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4401	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	9.9a（ta），14a （TC）	4.5V，10V	14.2MOHM @ 10A，10V	2.3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4000 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SQD40081EL_GE3	1.3700	RFQ	2265	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40081	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	50A（TC）	10V	8.5mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	9950 PF @ 25 V	-	71W（TC）
SQ1464EEH-T1_GE3	0.5000	RFQ	41	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1464	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	440ma（tc）	1.5V	1.41OHM @ 2a，1.5V	1V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±8V	140 pf @ 25 V	-	430MW（TC）
SQA442EJ-T1_GE3	0.6300	RFQ	29	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SQA442	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	9A（TC）	4.5V，10V	32MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±20V	636 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）
SQJ415EP-T1_GE3	1.0000	RFQ	8070	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ415	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SQJ504EP-T1_GE3	1.6100	RFQ	9961	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ504	MOSFET （金属 o化物）	34W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		40V	30A（TC）		7.5MOHM @ 8A，10V，17MOHM @ 8A，10V	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V，85nc @ 10V		1900pf @ 25V，4600pf @ 25V	-
SISH402DN-T1-GE3	0.9400	RFQ	480	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH402	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	（19a（ta），35a tc（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 19a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SISS12DN-T1-GE3	1.1700	RFQ	9706	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS12	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	37.5a（TA），60a tc）	4.5V，10V	1.98mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	+20V，-16V	4270 pf @ 20 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SIR167DP-T1-GE3	1.0500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir167	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	111 NC @ 10 V	±25V	4380 pf @ 15 V	-	65.8W（TC）
SISF00DN-T1-GE3	1.4700	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8SCD双重	SISF00	MOSFET （金属 o化物）	69.4W（TC）	POWERPAK®1212-8SCD双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		30V	60a（TC）		5mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	53nc @ 10V		2700pf @ 15V	-
SIR668ADP-T1-RE3	2.3000	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir668	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	93.6A（TC）	7.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 50 V	-	104W（TC）
SQJ244EP-T1_GE3	1.4800	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ244	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC），48W（tc）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	20A（TC），60a （TC）		11MOHM @ 4A，10V，4.5MOHM @ 10A，10V	2.5V @ 250µA	20nc @ 10v，45nc @ 10V		1200pf @ 25V，2800pf @ 25V	-
SIRA52ADP-T1-RE3	1.4400	RFQ	380	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira52	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	41.6A（TA），131A （TC）	4.5V，10V	1.63mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	+20V，-16V	5500 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
SI7810DN-T1-GE3	1.5100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7810	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.4a（ta）	6V，10V	62MOHM @ 5.4A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI7850DP-T1-GE3	2.0000	RFQ	2541	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7850	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 10.3a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V		-	1.8W（TA）
SI8451DB-T2-E1	-	RFQ	7660	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6- UFBGA	SI8451	MOSFET （金属 o化物）		6-micro脚™（1.5x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	10.8A（TC）	1.5V，4.5V	80MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	24 NC @ 8 V	±8V	750 pf @ 10 V	-	2.77W（TA），13W（tc）
SI8461DB-T2-E1	-	RFQ	4611	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8461	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.5a（ta）	1.5V，4.5V	100mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	24 NC @ 8 V	±8V	610 pf @ 10 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
SI8465DB-T2-E1	0.4500	RFQ	90	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8465	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	104mohm @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±12V	450 pf @ 10 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
SI9934BDY-T1-GE3	-	RFQ	3322	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9934	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		12V	4.8a		35mohm @ 6.4a，4.5V	1.4V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIA425EDJ-T1-GE3	-	RFQ	2797	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA425	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	60mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA		±12V		-	2.9W（TA），15.6W（TC）
SIA533EDJ-T1-GE3	0.6200	RFQ	5188	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA533	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		12V	4.5a		34mohm @ 4.6A，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 10V		420pf @ 6V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²