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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
SI7858ADP-T1-GE3	2.7500	RFQ	5811	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7858	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	20A（TA）	2.5V，4.5V	2.6mohm @ 29a，4.5V	1.5V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±8V	5700 PF @ 6 V	-	1.9W（TA）
SISS4409DN-T1-GE3	1.3500	RFQ	4168	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	6,000		P通道	40 V	17.2a（ta），59.2a（tc）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	5670 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），56.8W（tc）
SIJH5100E-T1-GE3	6.0000	RFQ	8964	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	28a（28a），277a（tc）	7.5V，10V	1.89MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 50 V	-	3.3W（333W）（333W（tc）
SIR4409DP-T1-RE3	1.3100	RFQ	4098	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	17.2A（ta），60.6a tc）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	5670 pf @ 20 V	-	4.8W（ta），59.5W（TC）
SIA4446DJ-T1-GE3	0.6800	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	（13A）（TA），31a （TC）	4.5V，10V	11mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	+20V，-16V	915 PF @ 20 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SIHK185N60EF-T1GE3	4.6000	RFQ	9129	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHK185N60EF-T1GE3DKR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	16A（TC）	10V	193MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1081 PF @ 100 V	-	114W（TC）
SI1403CDL-T1-GE3	-	RFQ	4141	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1403	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.1A（TC）	2.5V，4.5V	140MOHM @ 1.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	8 NC @ 4.5 V	±12V	281 PF @ 10 V	-	600MW（TA），900MW（（（（（（（（（（（
SI2303CDS-T1-E3	0.5100	RFQ	9	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2303	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7A（TC）	4.5V，10V	190mohm @ 1.9a，10v	3V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	155 pf @ 15 V	-	2.3W（TC）
2N7002E	-	RFQ	4445	Vishay Siliconix	-	大部分	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道	60 V	340mA	4.5V，10V	5ohm @ 300mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	21 pf @ 5 V	-	350MW（TA）
2N7002K-T1-GE3	0.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
SI7852ADP-T1-GE3	2.2500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7852	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	30A（TC）	8V，10V	17mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1825 PF @ 40 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
SIHG180N60E-GE3	3.7500	RFQ	329	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG180	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	19a（tc）	10V	180MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1085 pf @ 100 V	-	156W（TC）
SI7174DP-T1-GE3	3.1700	RFQ	710	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7174	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	75 v	60a（TC）	10V	7mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2770 pf @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIA106DJ-T1-GE3	0.8800	RFQ	23	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA106	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	10a（10a），12a（tc）	7.5V，10V	18.5MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	13.5 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 30 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SIDR220EP-T1-RE3	3.3600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	92.8A（ta），415a （TC）	4.5V，10V	0.58MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	200 NC @ 10 V	+16V，-12V	10850 pf @ 10 V	-	6.25W（ta），415W（tc）
SIHP14N50D-GE3	1.4464	RFQ	6015	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 7a，10v	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	1144 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IRFPC50LC	-	RFQ	9050	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPC50LC	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	11A（TC）	10V	600mohm @ 6.6a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	190w（TC）
SIHD3N50D-E3	0.3563	RFQ	9541	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	175 pf @ 100 V	-	69W（TC）
SUM110P08-11-E3	-	RFQ	5642	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	80 V	110A（TC）	10V	11.1MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	11500 PF @ 40 V	-	13.6W（TA），375W （TC）
sum90n06-5m5p-e3	-	RFQ	6559	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	90A（TC）	10V	5.5MOHM @ 20A，10V	4.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 30 V	-	3.75W（ta），272W（tc）
SI1905DL-T1-E3	-	RFQ	7024	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1905	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		8V	570mA		600MOHM @ 570mA，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	2.3nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHFR120-GE3	0.7000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.7A（TC）	10V	270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI6465DQ-T1-E3	-	RFQ	1495	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6465	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	8.8a（ta）	1.8V，4.5V	12mohm @ 8.8a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	80 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
SUM90330E-GE3	1.7200	RFQ	9823	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90330	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	35.1A（TC）	7.5V，10V	37.5MOHM @ 12.2a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1172 PF @ 100 V	-	125W（TC）
SQS482ENW-T1_GE3	0.9200	RFQ	4814	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS482	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1865 PF @ 25 V	-	62W（TC）
SQJ488EP-T1_GE3	1.5800	RFQ	4062	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ488	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	42A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 7.4a，10v	2.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	979 PF @ 25 V	-	83W（TC）
SIHA15N50E-E3	2.2000	RFQ	7467	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha15	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	14.5A（TC）	10V	280MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±30V	1162 PF @ 100 V	-	33W（TC）
U430-E3	-	RFQ	1784年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-78-6金属罐	U430		500兆	TO-78-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	100		2 n 通道（双）								5pf @ 10V			25 v	12 ma @ 10 V	1 v @ 1 na
SIA462DJ-T4-GE3	-	RFQ	6987	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA462	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	（12A）（12a），12a （TC）	4.5V，10V	18mohm @ 9a，10v	2.4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SI2333DS-T1-E3	0.8600	RFQ	78	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2333	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	4.1a（ta）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 5.3A，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V	1100 pf @ 6 V	-	750MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²