分立半导体产品(5717)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
IRF840LCPBF	2.2000年	询价	5	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF840	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRF840LCPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500伏	8A（温度）	10V	850毫欧@4.8A，10V	4V@250μA	39nC@10V	±30V	1100pF@25V	-	125W（温度）
SI1056X-T1-E3	-	询价	第1187章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SI1056	MOSFET（金属O化物）		SC-89 (SOT-563F)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	1.32A（塔）	1.8V、4.5V	89毫欧@1.32A，4.5V	950mV@250μA	5V时为8.7nC	±8V	400pF@10V	-	236mW（塔）
IRF624PBF-BE3	0.8831	询价	9980	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF624	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）		742-IRF624PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	250伏	4.4A（温度）		1.1欧姆@2.6A，10V	4V@250μA	14nC@10V	±20V	260pF@25V	-	50W（温度）
SI3459BDV-T1-E3	0.8300	询价	3	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3459	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	2.9A（温度）	4.5V、10V	216毫欧@2.2A，10V	3V@250μA	12nC@10V	±20V	350pF@30V	-	3.3W（温度）
SUD50N10-34P-T4-E3	-	询价	6384	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	50苏丹元	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100V	5.9A（Ta）、20A（Tc）	6V、10V	34毫欧@7A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	1800pF@25V	-	2.5W（Ta）、56W（Tc）
SI4804CDY-T1-GE3	0.7600	询价	2	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4804	MOSFET（金属O化物）	3.1W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		30V	8A		22毫欧@7.5A，10V	2.4V@250μA	23nC@10V		865pF@15V	-
SI7540ADP-T1-GE3	1.7500	询价	第574章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃	表面贴装	PowerPAK® SO-8 双	SI7540	-	3.5W	PowerPAK® SO-8 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道		20V	12A、9A		28毫欧@12A，10V	1.4V@250μA	48nC@10V		1310pF@10V	-
SIHFR120-GE3	0.7000	询价	1	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100V	7.7A（温度）	10V	270毫欧@4.6A，10V	4V@250μA	16nC@10V	±20V	360pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
SI1922EDH-T1-BE3	0.4100	询价	2	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1922	MOSFET（金属O化物）	740mW（Ta）、1.25W（Tc）	SC-70-6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	1.3A（Ta）、1.3A（Tc）		198毫欧@1A，4.5V	1V@250μA	2.5nC@8V		-	-
IRF730	-	询价	9631	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF730	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	400V	5.5A（温度）	10V	1欧姆@3.3A，10V	4V@250μA	38nC@10V	±20V	700pF@25V	-	74W（温度）
SIHB15N60E-GE3	3.1200	询价	1	威世硅科	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SIHB15	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		SIHB15N60EGE3	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	15A（温度）	10V	280毫欧@8A，10V	4V@250μA	78nC@10V	±30V	1350 pF @ 100 V	-	180W（温度）
SQ1912AEEH-T1_GE3	0.4900	询价	12	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SQ1912	MOSFET（金属O化物）	1.5W	SC-70-6	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	800mA（温度）		280毫欧@1.2A，4.5V	1.5V@250μA	1.25nC@4.5V		27pF@10V	-
IRFP450LCPBF	7.0900	询价	第344章	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRFP450	MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRFP450LCPBF	EAR99	8541.29.0095	25		N沟道	500伏	14A（温度）	10V	400毫欧@8.4A，10V	4V@250μA	74nC@10V	±30V	2200pF@25V	-	190W（温度）
SIR4602LDP-T1-RE3	0.9500	询价	3	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	15.2A（Ta）、52.1A（Tc）	4.5V、10V	8.8毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	29nC@10V	±20V	1185pF@30V	-	3.6W（Ta）、43W（Tc）
SI4409DY-T1-E3	-	询价	3513	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4409	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	150伏	1.3A（温度）	6V、10V	1.2欧姆@500mA，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	50V时为332pF	-	2.2W（Ta）、4.6W（Tc）
SI7450DP-T1-RE3	1.0516	询价	3794	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极				SI7450				下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000				3.2A（Ta）、19.8A（Tc）
SI7102DN-T1-E3	-	询价	5767	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7102	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	12V	35A（温度）	2.5V、4.5V	3.8毫欧@15A，4.5V	1V@250μA	8V时为110nC	±8V	3720pF@6V	-	3.8W（Ta）、52W（Tc）
SI3407DV-T1-GE3	0.5100	询价	14	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3407	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	8A（温度）	2.5V、4.5V	24毫欧@7.5A，4.5V	1.5V@250μA	63nC@10V	±12V	1670pF@10V	-	4.2W（温度）
SI7846DP-T1-GE3	2.9400	询价	3	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7846	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	150伏	4A（塔）	10V	50mOhm@5A，10V	4.5V@250μA	36nC@10V	±20V		-	1.9W（塔）
IRF830STRLPBF	2.3800	询价	1	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF830	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	500伏	4.5A（温度）	10V	1.5欧姆@2.7A，10V	4V@250μA	38nC@10V	±20V	610pF@25V	-	74W（温度）
IRFPS38N60LPBF	-	询价	1847年	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-274AA	红外FPS38	MOSFET（金属O化物）		SUPER-247™ (TO-274AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRFPS38N60LPBF	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	600伏	38A（温度）	10V	150mOhm@23A，10V	5V@250μA	320nC@10V	±30V	7990pF@25V	-	540W（温度）
IRF840	-	询价	2932	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF840	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500伏	8A（温度）	10V	850毫欧@4.8A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	125W（温度）
SI3440DV-T1-GE3	1.5200	询价	54	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3440	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	150伏	1.2A（塔）	6V、10V	375毫欧@1.5A，10V	4V@250μA	8nC@10V	±20V		-	1.14W（塔）
SIHK105N60EF-T1GE3	5.8000	询价	2	威世硅科	EF	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerBSFN		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK®10 x 12	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	24A（温度）	10V	105毫欧@10A、10V	5V@250μA	51nC@10V	±30V	100V时为2301pF	-	142W（温度）
2N7002E-T1-E3	0.6400	询价	第1582章	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2N7002	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	240mA（塔）	4.5V、10V	3欧姆@250mA，10V	2.5V@250μA	0.6nC@4.5V	±20V	21pF@5V	-	350毫W（塔）
SI2304DDS-T1-BE3	0.4300	询价	6	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2304	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	742-SI2304DDS-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	3.3A（Ta）、3.6A（Tc）	4.5V、10V	60毫欧@3.2A，10V	2.2V@250μA	6.7nC@10V	±20V	15V时为235pF	-	1.1W（Ta）、1.7W（Tc）
SIS424DN-T1-GE3	-	询价	4209	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SIS424	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	35A（温度）	4.5V、10V	6.4毫欧@19.6A，10V	2.5V@250μA	30nC@10V	±20V	1200pF@10V	-	3.7W（Ta）、39W（Tc）
IRFBC30ALPBF	0.8678	询价	7403	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IRFBC30	MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRFBC30ALPBF	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	3.6A（温度）	10V	2.2欧姆@2.2A，10V	4.5V@250μA	23nC@10V	±30V	510pF@25V	-	74W（温度）
IRFR310TR	-	询价	2491	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR310	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	400V	1.7A（温度）	10V	3.6欧姆@1A，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	170pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
SIR492DP-T1-GE3	-	询价	7577	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIR492	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	12V	40A（温度）	2.5V、4.5V	3.8毫欧@15A，4.5V	1V@250μA	8V时为110nC	±8V	3720pF@6V	-	4.2W（Ta）、36W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²