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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SUD50N025-06P-E3	-	RFQ	2955	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	25 v	78A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	2490 pf @ 12 V	-	10.7W（ta），65W（tc）
SUD50N03-09P-E3	-	RFQ	3065	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	63A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	7.5W（ta），65.2W（TC）
SUD50N03-09P-GE3	-	RFQ	9942	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	63A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	7.5W（ta），65.2W（TC）
SUD50N03-11-E3	-	RFQ	4647	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 25a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	20 nc @ 5 V	±20V	1130 PF @ 25 V	-	7.5W（ta），62.5W（TC）
2N7002E-T1-GE3	0.4100	RFQ	18	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		TO-236	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	240mA（ta）	10V	3ohm @ 250mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	21 pf @ 5 V	-	350MW（TA）
IRF620STRLPBF	2.0400	RFQ	960	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	（3w（ta），50W（TC）
IRF644STRRPBF	3.7500	RFQ	7952	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRF730ASTRLPBF	1.3579	RFQ	1159	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRF820STRRPBF	1.8600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
IRF9510STRLPBF	1.7000	RFQ	39	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRF9530STRRPBF	1.5619	RFQ	5448	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	12A（TC）	10V	300MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
IRF9640STRLPBF	2.4000	RFQ	60	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
IRF9Z24STRRPBF	1.3028	RFQ	7821	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9Z24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	11A（TC）	10V	280MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
IRFBC40STRLPBF	4.4500	RFQ	3642	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
IRFR010TRPBF	0.6218	RFQ	4260	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR010	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	50 V	8.2A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFR9020TRLPBF	0.8803	RFQ	1998	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IRFR9214TRLPBF	1.5500	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFR9214TRPBF	1.5500	RFQ	44	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFR9310TRRPBF	-	RFQ	6199	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFZ44STRRPBF	-	RFQ	4326	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRLI540GPBF	2.1600	RFQ	364	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	17a（TC）	4V，5V	77mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	48W（TC）
IRLZ14STRRPBF	0.9357	RFQ	8075	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ14	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	10A（TC）	4V，5V	200mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SI1031X-T1-E3	-	RFQ	8733	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1031	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	155ma（ta）	1.5V，4.5V	8ohm @ 150mA，4.5V	1.2V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±6V		-	300MW（TA）
SI1037X-T1-GE3	-	RFQ	8544	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1037	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	770ma（ta）	1.8V，4.5V	195MOHM @ 770mA，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	5.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	170MW（TA）
SI4965DY-T1-E3	-	RFQ	4814	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4965	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		8V	-		21MOHM @ 8A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	55nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4965DY-T1-GE3	-	RFQ	6333	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4965	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		8V	-		21MOHM @ 8A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	55nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI5402DC-T1-E3	-	RFQ	8823	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5402	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.9a（ta）	4.5V，10V	35MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA（250µA）	20 nc @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
SI5443DC-T1-GE3	-	RFQ	5288	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5443	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.6a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	14 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SI5449DC-T1-GE3	-	RFQ	9950	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5449	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3.1a（ta）	2.5V，4.5V	85mohm @ 3.1a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	11 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SI5461EDC-T1-E3	-	RFQ	7426	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5461	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	45MOHM @ 5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	20 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²