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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIJA58ADP-T1-GE3	0.9800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA58	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	32.3a（TA），109a （TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	+20V，-16V	3030 pf @ 20 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
SQJQ100EL-T1_GE3	3.0300	RFQ	2552	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ100	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	200a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	14500 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SQ4431EY-T1_GE3	1.0300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4431	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	10.8A（TC）	10V	30mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1265 pf @ 15 V	-	6W（TC）
IRFU9110	-	RFQ	5198	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9110	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI6433BDQ-T1-E3	-	RFQ	5047	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6433	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	40MOHM @ 4.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.05W（TA）
SIHFR430ATR-GE3	0.4263	RFQ	2827	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR430	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHFR430ATR-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SI3447BDV-T1-GE3	-	RFQ	5935	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3447	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	40mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.1W（TA）
IRF640STRR	-	RFQ	5661	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
SIHA5N80AE-GE3	1.3800	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHA5N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	3A（TC）	10V	1.35OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	321 PF @ 100 V	-	29W（TC）
SIHS90N65E-GE3	20.6200	RFQ	233	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHS90N65E-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	87A（TC）	10V	29mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	591 NC @ 10 V	±30V	11826 PF @ 100 V	-	625W（TC）
SIHG068N60EF-GE3	6.0600	RFQ	17	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG068	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载		（1 （无限）		742-SIHG068N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	41A（TC）	10V	68mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±30V	2628 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIR888DP-T1-GE3	-	RFQ	6224	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir888	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	40a（TC）	4.5V，10V	3.25mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±16V	5065 pf @ 15 V	-	5W（5W），48W（（（（（
SIR624DP-T1-GE3	1.2000	RFQ	5356	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir624	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	18.6a（TC）	7.5V，10V	60mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 7.5 V	±20V	1110 PF @ 100 V	-	52W（TC）
SI7421DN-T1-E3	1.4600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7421	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.4a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 9.8a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRFPG30pbf	3.5400	RFQ	161	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPG30PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	1000 v	3.1A（TC）	10V	5ohm @ 1.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	980 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFIBF30G	-	RFQ	4558	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIBF30G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	900 v	1.9A（TC）	10V	3.7OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SI4554DY-T1-GE3	0.7900	RFQ	2207	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4554	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，3.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	8a		24mohm @ 6.8a，10v	2.2V @ 250µA	20NC @ 10V		690pf @ 20V	逻辑级别门
SI9433BDY-T1-E3	0.8900	RFQ	17	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9433	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	4.5A（ta）	2.7V，4.5V	40mohm @ 6.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
SI4774DY-T1-GE3	0.3900	RFQ	65	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4774	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.3V @ 1mA	14.3 NC @ 4.5 V	±20V	1025 pf @ 15 V	（（（）	5W（TC）
SIHA150N60E-GE3	3.6100	RFQ	9374	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha150	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHA150N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	9A（TC）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SI7120DN-T1-GE3	-	RFQ	1466	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	PowerPak®1212-8	SI7120	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	6.3a（ta）		19mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V			-
SIHA22N60E-GE3	3.9000	RFQ	997	Vishay Siliconix	El	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	8A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SI5459DU-T1-GE3	0.6100	RFQ	901	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5459	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8A（TC）	2.5V，4.5V	52MOHM @ 6.7a，4.5V	1.4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±12V	665 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），10.9W（TC）
SIHF6N65E-GE3	1.2028	RFQ	5949	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	31W（TC）
IRFP064PBF	5.3400	RFQ	452	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP064	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP064PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	60 V	70A（TC）	10V	9mohm @ 78a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	7400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SIHF9540PBF	-	RFQ	7246	Vishay Siliconix	*	管子	积极的				SIHF9540				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50
SIHB22N60E-GE3	4.1200	RFQ	1632年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHB22N60EGE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SUP85N10-10P-GE3	-	RFQ	6079	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP85	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	85A（TC）	10V	10mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4660 pf @ 50 V	-	3.75W（ta），227W（tc）
SIE854DF-T1-E3	-	RFQ	4705	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE854	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	60a（TC）	10V	14.2MOHM @ 13.2A，10V	4.4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SQA440CEJW-T1_GE3	0.5700	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	6-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	9A（TC）	4.5V，10V	14.4mohm @ 5A，10V	2.2V @ 250µA	17.5 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 25 V	-	13.6W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²