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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
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![]() | SI4634DY-T1-GE3 | 0.8080 | ![]() | 3654 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4634 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 24.5A(TC) | 4.5V,10V | 5.2MOHM @ 15A,10V | 2.6V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 3150 pf @ 15 V | - | 2.5W(ta),5.7W(TC) | ||||
![]() | SI4670DY-T1-GE3 | 0.4998 | ![]() | 1913年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4670 | MOSFET (金属 o化物) | 2.8W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 25V | 8a | 23mohm @ 7a,10v | 2.2V @ 250µA | 18NC @ 10V | 680pf @ 13V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI4842BDY-T1-GE3 | 2.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4842 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 28a(TC) | 4.5V,10V | 4.2MOHM @ 20A,10V | 3V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 3650 pf @ 15 V | - | (3W(ta),6.25W(TC) | ||||
![]() | SI4943CDY-T1-GE3 | 1.7000 | ![]() | 6726 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4943 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 20V | 8a | 19.2MOHM @ 8.3a,10V | 3V @ 250µA | 62NC @ 10V | 1945pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI1034X-T1-GE3 | 0.4600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1034 | MOSFET (金属 o化物) | 250MW | SC-89(SOT-563F) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 180mA | 5ohm @ 200ma,4.5V | 1.2V @ 250µA | 0.75nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
![]() | SI2323DS-T1-GE3 | 0.7300 | ![]() | 332 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SI2323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.7a(ta) | 1.8V,4.5V | 39MOHM @ 4.7A,4.5V | 1V @ 250µA | 19 nc @ 4.5 V | ±8V | 1020 pf @ 10 V | - | 750MW(TA) | |||
![]() | SI4630DY-T1-GE3 | 2.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4630 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 25 v | 40a(TC) | 4.5V,10V | 2.7MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 161 NC @ 10 V | ±16V | 6670 pf @ 15 V | - | 3.5W(TA),7.8W(TC) | ||||
![]() | SI4800BDY-T1-GE3 | 0.9200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4800 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 6.5A(TA) | 4.5V,10V | 18.5mohm @ 9a,10v | 1.8V @ 250µA | 13 NC @ 5 V | ±25V | - | 1.3W(TA) | |||||
![]() | SI5435BDC-T1-GE3 | - | ![]() | 9346 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5435 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4.3a(ta) | 4.5V,10V | 45MOHM @ 4.3A,10V | 3V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.3W(TA) | ||||
![]() | SI5447DC-T1-GE3 | - | ![]() | 1002 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5447 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.5A(ta) | 1.8V,4.5V | 76MOHM @ 3.5A,4.5V | 450mv @ 250µA(250µA)) | 10 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.3W(TA) | ||||
![]() | SI6433BDQ-T1-GE3 | - | ![]() | 7852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6433 | MOSFET (金属 o化物) | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 4A(ta) | 2.5V,4.5V | 40MOHM @ 4.8A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.05W(TA) | ||||
![]() | SI6459BDQ-T1-GE3 | - | ![]() | 6462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6459 | MOSFET (金属 o化物) | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 2.2A(ta) | 4.5V,10V | 115mohm @ 2.7a,10v | 3V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | - | 1W(ta) | ||||
![]() | SI6954ADQ-T1-GE3 | 0.8800 | ![]() | 3618 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6954 | MOSFET (金属 o化物) | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 3.1a | 53MOHM @ 3.4A,10V | 1V @ 250µA(250µA) | 16NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||||
![]() | SI7106DN-T1-GE3 | 1.5600 | ![]() | 922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7106 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 12.5A(TA) | 2.5V,4.5V | 6.2MOHM @ 19.5A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.5W(TA) | |||||
![]() | SI7107DN-T1-GE3 | - | ![]() | 7992 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7107 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 9.8A(ta) | 1.8V,4.5V | 10.8mohm @ 15.3a,4.5V | 1V @ 450µA | 44 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.5W(TA) | ||||
![]() | SI7415DN-T1-GE3 | 1.6000 | ![]() | 4985 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7415 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 3.6a(ta) | 4.5V,10V | 65MOHM @ 5.7A,10V | 3V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.5W(TA) | |||||
![]() | SI7430DP-T1-GE3 | 2.9200 | ![]() | 6268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7430 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 150 v | 26a(TC) | 8V,10V | 45mohm @ 5a,10v | 4.5V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ±20V | 1735 PF @ 50 V | - | 5.2W(ta),64W(tc) | ||||
![]() | SI7456DP-T1-GE3 | 2.1000 | ![]() | 942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7456 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 5.7A(ta) | 6V,10V | 25mohm @ 9.3a,10v | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | SI7922DN-T1-GE3 | 1.7700 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7922 | MOSFET (金属 o化物) | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 100V | 1.8a | 195mohm @ 2.5a,10v | 3.5V @ 250µA | 8NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SIA914DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 6455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA914 | MOSFET (金属 o化物) | 6.5W | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 4.5a | 53MOHM @ 3.7A,4.5V | 1V @ 250µA | 11.5nc @ 8v | 400pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||
![]() | SI2351DS-T1-GE3 | - | ![]() | 2309 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | (CT) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SI2351 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.8A(TC) | 115MOHM @ 2.4a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 5.1 NC @ 5 V | 250 pf @ 10 V | - | |||||||
![]() | SI7120DN-T1-GE3 | - | ![]() | 1466 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | (CT) | 过时的 | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7120 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 6.3a(ta) | 19mohm @ 10a,10v | 3.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | - | ||||||||
![]() | IRL640STRRPBF | 2.9500 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRL640 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 200 v | 17a(TC) | 4V,5V | 180mohm @ 10a,5v | 2V @ 250µA | 66 NC @ 5 V | ±10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W(ta),125W(tc) | ||||
![]() | SIZ300DT-T1-GE3 | 1.1200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZ300 | MOSFET (金属 o化物) | 16.7W,31W | 8-PowerPair® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 11a,28a | 24mohm @ 9.8a,10v | 2.4V @ 250µA | 12nc @ 10V | 400pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI5999EDU-T1-GE3 | - | ![]() | 9313 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®CHIPFET™双重 | SI5999 | MOSFET (金属 o化物) | 10.4W | PowerPak®Chipfet双重 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 6a | 59MOHM @ 3.5A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 20NC @ 10V | 496pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SIHG33N60E-GE3 | 6.6800 | ![]() | 6903 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SIHG33 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 33A(TC) | 10V | 99MOHM @ 16.5A,10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±30V | 3508 PF @ 100 V | - | 278W(TC) | ||||
SUP40N25-60-E3 | 5.0400 | ![]() | 6962 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SUP40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 250 v | 40a(TC) | 6V,10V | 60mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ±30V | 5000 pf @ 25 V | - | 3.75W(TA),300W(tc) | |||||
![]() | sihu7n60e-ge3 | 1.8300 | ![]() | 2344 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | sihu7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 600MOHM @ 3.5A,10V | 4V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 680 pf @ 100 V | - | 78W(TC) | ||||
SQJ992EP-T1_GE3 | 1.3900 | ![]() | 5070 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ992 | MOSFET (金属 o化物) | 34W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 15a | 56.2MOHM @ 3.7A,10V | 2.5V @ 250µA | 12nc @ 10V | 446pf @ 30V | - | |||||||
![]() | SIHA21N60EF-E3 | 2.1183 | ![]() | 4412 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | Siha21 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 21a(TC) | 10V | 176mohm @ 11a,10v | 4V @ 250µA | 84 NC @ 10 V | ±30V | 2030 PF @ 100 V | - | 35W(TC) |
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