SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SI4634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4634DY-T1-GE3 0.8080
RFQ
ECAD 3654 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4634 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 24.5A(TC) 4.5V,10V 5.2MOHM @ 15A,10V 2.6V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 3150 pf @ 15 V - 2.5W(ta),5.7W(TC)
SI4670DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4670DY-T1-GE3 0.4998
RFQ
ECAD 1913年 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4670 MOSFET (金属 o化物) 2.8W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 25V 8a 23mohm @ 7a,10v 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V 680pf @ 13V 逻辑级别门
SI4842BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4842BDY-T1-GE3 2.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4842 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 28a(TC) 4.5V,10V 4.2MOHM @ 20A,10V 3V @ 250µA 100 nc @ 10 V ±20V 3650 pf @ 15 V - (3W(ta),6.25W(TC)
SI4943CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4943CDY-T1-GE3 1.7000
RFQ
ECAD 6726 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4943 MOSFET (金属 o化物) 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 2(p 通道(双) 20V 8a 19.2MOHM @ 8.3a,10V 3V @ 250µA 62NC @ 10V 1945pf @ 10V 逻辑级别门
SI1034X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1034X-T1-GE3 0.4600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SI1034 MOSFET (金属 o化物) 250MW SC-89(SOT-563F) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 20V 180mA 5ohm @ 200ma,4.5V 1.2V @ 250µA 0.75nc @ 4.5V - 逻辑级别门
SI2323DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2323DS-T1-GE3 0.7300
RFQ
ECAD 332 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2323 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3.7a(ta) 1.8V,4.5V 39MOHM @ 4.7A,4.5V 1V @ 250µA 19 nc @ 4.5 V ±8V 1020 pf @ 10 V - 750MW(TA)
SI4630DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4630DY-T1-GE3 2.0000
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4630 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 25 v 40a(TC) 4.5V,10V 2.7MOHM @ 20A,10V 2.2V @ 250µA 161 NC @ 10 V ±16V 6670 pf @ 15 V - 3.5W(TA),7.8W(TC)
SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4800BDY-T1-GE3 0.9200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4800 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 6.5A(TA) 4.5V,10V 18.5mohm @ 9a,10v 1.8V @ 250µA 13 NC @ 5 V ±25V - 1.3W(TA)
SI5435BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5435BDC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9346 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5435 MOSFET (金属 o化物) 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 4.3a(ta) 4.5V,10V 45MOHM @ 4.3A,10V 3V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V - 1.3W(TA)
SI5447DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5447DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1002 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5447 MOSFET (金属 o化物) 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 3.5A(ta) 1.8V,4.5V 76MOHM @ 3.5A,4.5V 450mv @ 250µA(250µA)) 10 NC @ 4.5 V ±8V - 1.3W(TA)
SI6433BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6433BDQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7852 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) SI6433 MOSFET (金属 o化物) 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 4A(ta) 2.5V,4.5V 40MOHM @ 4.8A,4.5V 1.5V @ 250µA 15 NC @ 4.5 V ±8V - 1.05W(TA)
SI6459BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6459BDQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6462 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) SI6459 MOSFET (金属 o化物) 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 2.2A(ta) 4.5V,10V 115mohm @ 2.7a,10v 3V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V - 1W(ta)
SI6954ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6954ADQ-T1-GE3 0.8800
RFQ
ECAD 3618 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) SI6954 MOSFET (金属 o化物) 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 3.1a 53MOHM @ 3.4A,10V 1V @ 250µA(250µA) 16NC @ 10V - 逻辑级别门
SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7106DN-T1-GE3 1.5600
RFQ
ECAD 922 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7106 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 12.5A(TA) 2.5V,4.5V 6.2MOHM @ 19.5A,4.5V 1.5V @ 250µA 27 NC @ 4.5 V ±12V - 1.5W(TA)
SI7107DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7107DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7992 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7107 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 9.8A(ta) 1.8V,4.5V 10.8mohm @ 15.3a,4.5V 1V @ 450µA 44 NC @ 4.5 V ±8V - 1.5W(TA)
SI7415DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7415DN-T1-GE3 1.6000
RFQ
ECAD 4985 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7415 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 3.6a(ta) 4.5V,10V 65MOHM @ 5.7A,10V 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V - 1.5W(TA)
SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7430DP-T1-GE3 2.9200
RFQ
ECAD 6268 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7430 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 150 v 26a(TC) 8V,10V 45mohm @ 5a,10v 4.5V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±20V 1735 PF @ 50 V - 5.2W(ta),64W(tc)
SI7456DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7456DP-T1-GE3 2.1000
RFQ
ECAD 942 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7456 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 5.7A(ta) 6V,10V 25mohm @ 9.3a,10v 4V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±20V - 1.9W(TA)
SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7922DN-T1-GE3 1.7700
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7922 MOSFET (金属 o化物) 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 100V 1.8a 195mohm @ 2.5a,10v 3.5V @ 250µA 8NC @ 10V - 逻辑级别门
SIA914DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA914DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6455 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA914 MOSFET (金属 o化物) 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 20V 4.5a 53MOHM @ 3.7A,4.5V 1V @ 250µA 11.5nc @ 8v 400pf @ 10V 逻辑级别门
SI2351DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2351DS-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2309 0.00000000 Vishay Siliconix - (CT) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2351 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 2.8A(TC) 115MOHM @ 2.4a,4.5V 1.5V @ 250µA 5.1 NC @ 5 V 250 pf @ 10 V -
SI7120DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7120DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1466 0.00000000 Vishay Siliconix - (CT) 过时的 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7120 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 6.3a(ta) 19mohm @ 10a,10v 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 V -
IRL640STRRPBF Vishay Siliconix IRL640STRRPBF 2.9500
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRL640 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 200 v 17a(TC) 4V,5V 180mohm @ 10a,5v 2V @ 250µA 66 NC @ 5 V ±10V 1800 pf @ 25 V - 3.1W(ta),125W(tc)
SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ300DT-T1-GE3 1.1200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn SIZ300 MOSFET (金属 o化物) 16.7W,31W 8-PowerPair® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(半桥) 30V 11a,28a 24mohm @ 9.8a,10v 2.4V @ 250µA 12nc @ 10V 400pf @ 15V 逻辑级别门
SI5999EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5999EDU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9313 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5999 MOSFET (金属 o化物) 10.4W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 6a 59MOHM @ 3.5A,4.5V 1.5V @ 250µA 20NC @ 10V 496pf @ 10V 逻辑级别门
SIHG33N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG33N60E-GE3 6.6800
RFQ
ECAD 6903 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SIHG33 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 33A(TC) 10V 99MOHM @ 16.5A,10V 4V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±30V 3508 PF @ 100 V - 278W(TC)
SUP40N25-60-E3 Vishay Siliconix SUP40N25-60-E3 5.0400
RFQ
ECAD 6962 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SUP40 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 40a(TC) 6V,10V 60mohm @ 20a,10v 4V @ 250µA 140 NC @ 10 V ±30V 5000 pf @ 25 V - 3.75W(TA),300W(tc)
SIHU7N60E-GE3 Vishay Siliconix sihu7n60e-ge3 1.8300
RFQ
ECAD 2344 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA sihu7 MOSFET (金属 o化物) TO-251AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 7A(TC) 10V 600MOHM @ 3.5A,10V 4V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±30V 680 pf @ 100 V - 78W(TC)
SQJ992EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ992EP-T1_GE3 1.3900
RFQ
ECAD 5070 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ992 MOSFET (金属 o化物) 34W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 60V 15a 56.2MOHM @ 3.7A,10V 2.5V @ 250µA 12nc @ 10V 446pf @ 30V -
SIHA21N60EF-E3 Vishay Siliconix SIHA21N60EF-E3 2.1183
RFQ
ECAD 4412 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 Siha21 MOSFET (金属 o化物) TO-220完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 21a(TC) 10V 176mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 84 NC @ 10 V ±30V 2030 PF @ 100 V - 35W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库