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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
SIHP24N80AEF-GE3	4.0900	RFQ	9871	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHP24N80AEF-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	20A（TC）	10V	195mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	1889 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI4838BDY-T1-GE3	1.6300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4838	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	34A（TC）	1.8V，4.5V	2.7MOHM @ 15A，4.5V	1V @ 250µA	84 NC @ 4.5 V	±8V	5760 pf @ 6 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
2N5115JTX02	-	RFQ	2166	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N5115			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20		-								-
SIHFB11N50A-E3	1.6861	RFQ	9439	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHFB11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	11A（TC）	10V	520MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	170W（TC）
SIHG20N50C-E3	3.0300	RFQ	8	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG20	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHG20N50CE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 10a，10v	5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±30V	2942 PF @ 25 V	-	250W（TC）
SI4866BDY-T1-E3	-	RFQ	7450	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4866	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	21.5A（TC）	1.8V，4.5V	5.3MOHM @ 12A，4.5V	1V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±8V	5020 PF @ 6 V	-	4.45W（TC）
SI1413DH-T1-E3	-	RFQ	8421	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1413	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.3a（ta）	1.8V，4.5V	115mohm @ 2.9a，4.5V	800mv @ 100µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	1W（ta）
SIHF9630S-GE3	0.7718	RFQ	9725	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF9630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHF9630S-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	6.5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
SIA485DJ-T1-GE3	0.5800	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA485	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	1.6A（TC）	6V，10V	2.6ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.3 NC @ 10 V	±20V	155 pf @ 75 V	-	15.6W（TC）
SIHFB20N50K-E3	3.2369	RFQ	2601	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHFB20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2870 pf @ 25 V	-	280W（TC）
SI7252DP-T1-GE3	2.1700	RFQ	5432	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7252	MOSFET （金属 o化物）	46W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	36.7a		18mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	27nc @ 10V		1170pf @ 50V	逻辑级别门
SI4858DY-T1-GE3	-	RFQ	2808	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4858	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	5.25MOHM @ 20A，10V	1V @ 250µA（250µA）	40 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SIA465EDJ-T1-GE3	0.1583	RFQ	2520	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA465	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6单	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	2.5V，4.5V	16.5MOHM @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±12V	2130 pf @ 10 V	-	19w（tc）
SIRC18DP-T1-GE3	1.3600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRC18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 15A，10V	2.4V @ 250µA	111 NC @ 10 V	+20V，-16V	5060 pf @ 15 V	（（（）	54.3W（TC）
SISA18DN-T1-GE3	-	RFQ	8649	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	38.3a（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	1000 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
IRF740LCPBF-BE3	3.0300	RFQ	987	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF740LCPBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）		550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
SI7153DN-T1-GE3	0.6600	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7153	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	18A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±25V	3600 PF @ 15 V	-	52W（TC）
SI8802DB-T2-E1	0.5400	RFQ	175	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8802	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	8 V	3A（3A）	1.2V，4.5V	54mohm @ 1A，4.5V	700MV @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 V	±5V		-	500MW（TA）
SI7386DP-T1-GE3	1.6200	RFQ	32	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7386	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12a（12a）	4.5V，10V	7mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
SI8819EDB-T2-E1	0.4300	RFQ	6815	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8819	MOSFET （金属 o化物）		4-microfoot®（0.8x0.8）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	2.9a（ta）	1.5V，3.7V	80mohm @ 1.5A，3.7V	900mv @ 250µA	17 NC @ 8 V	±8V	650 pf @ 6 V	-	900MW（TA）
SIHH14N60E-T1-GE3	3.5000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH14	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	16A（TC）	10V	255MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±30V	1416 PF @ 100 V	-	147W（TC）
SI4816DY-T1-E3	-	RFQ	6633	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4816	MOSFET （金属 o化物）	1W，1.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.3a，7.7a		22mohm @ 6.3a，10v	2V @ 250µA	12nc @ 5V		-	逻辑级别门
IRFR9020TRLPBF	0.8803	RFQ	1998	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SIHP6N65E-GE3	1.0658	RFQ	6099	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
2N4858JAN02	-	RFQ	5655	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4858			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
2N4392	-	RFQ	1307	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4392		1.8 w	TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N4392VSI	Ear99	8541.29.0095	200		n通道								14pf @ 20V			40 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na	60欧姆
U291	-	RFQ	7340	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AC，TO-52-3	U291		500兆	TO-206AC（to-52）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		n通道								160pf @ 0v			30 V	200 ma @ 10 V	1.5 V @ 3 na	7欧姆
SI7922DN-T1-GE3	1.7700	RFQ	45	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7922	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	1.8a		195mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA	8NC @ 10V		-	逻辑级别门
SI2301BDS-T1-GE3	0.5100	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2301	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.2A（ta）	2.5V，4.5V	100mohm @ 2.8a，4.5V	950mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	375 pf @ 6 V	-	700MW（TA）
SIHP23N60E-GE3	3.2300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP23	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	23A（TC）	10V	158mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±30V	2418 PF @ 100 V	-	227W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²