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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
SI3460DV-T1-GE3	-	RFQ	7113	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3460	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	5.1a（ta）	1.8V，4.5V	27MOHM @ 5.1A，4.5V	450mv @ 1ma （最小）	20 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.1W（TA）
SI2335DS-T1-GE3	-	RFQ	6311	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2335	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	12 v	3.2A（ta）	1.8V，4.5V	51MOHM @ 4A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	15 NC @ 4.5 V	±8V	1225 pf @ 6 V	-	750MW（TA）
SQ9407EY-T1_GE3	1.1800	RFQ	8	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ9407	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	4.6A（TC）	4.5V，10V	85MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1140 pf @ 30 V	-	3.75W（TC）
SI7804DN-T1-GE3	0.5292	RFQ	8957	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7804	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	18.5mohm @ 10a，10v	1.8V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SIE848DF-T1-GE3	-	RFQ	3442	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE848	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 15 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SQM50P06-15L_GE3	2.6100	RFQ	8419	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM50	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	P通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	6120 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SIR570DP-T1-RE3	2.4700	RFQ	3731	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	150 v	（19a（ta），77.4A（TC）	7.5V，10V	7.9Mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3740 pf @ 75 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
2N4858JTXL02	-	RFQ	8060	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4858			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40	-								-
SIR182LDP-T1-RE3	1.9100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	31.7A（TA），130a （TC）	4.5V，10V	2.75MOHM @ 15A，10V	2.4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	3700 PF @ 30 V	-	（5W（ta），83W（tc）
SIHP24N80AE-GE3	3.3400	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	800 v	21a（TC）	10V	184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	1836 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SQJ457EP-T1_BE3	0.9800	RFQ	7086	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ457EP-T1_BE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	60 V	36a（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	68W（TC）
IRF730APBF-BE3	1.9200	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF730APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	5.5A（TC）		1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
2N4416A	-	RFQ	8179	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以	2N4416		300兆	to-206af（72）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200	n通道								4pf @ 15V			35 v	5 ma @ 15 V	2.5 V @ 1 na
SI7615BDN-T1-GE3	-	RFQ	3755	Vishay Siliconix	-	（CT）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7615	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	29A（ta），104a（tc）		3.8mohm @ 20a，10v	1.5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±12V	4890 pf @ 10 V	-	5.2W（ta），66w（tc）
2N4391-E3	-	RFQ	1881年	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4391		1.8 w	TO-206AA（to-18）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200	n通道								14pf @ 20V			40 V	50 mA @ 20 V	4 V @ 1 na	30欧姆
SIHP24N80AEF-GE3	4.0900	RFQ	9871	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHP24N80AEF-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	800 v	20A（TC）	10V	195mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	1889 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI4838BDY-T1-GE3	1.6300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4838	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	12 v	34A（TC）	1.8V，4.5V	2.7MOHM @ 15A，4.5V	1V @ 250µA	84 NC @ 4.5 V	±8V	5760 pf @ 6 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
2N5115JTX02	-	RFQ	2166	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N5115			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20	-								-
SIHFB11N50A-E3	1.6861	RFQ	9439	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHFB11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	11A（TC）	10V	520MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	170W（TC）
SI4866BDY-T1-E3	-	RFQ	7450	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4866	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	12 v	21.5A（TC）	1.8V，4.5V	5.3MOHM @ 12A，4.5V	1V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±8V	5020 PF @ 6 V	-	4.45W（TC）
SI1413DH-T1-E3	-	RFQ	8421	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1413	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	2.3a（ta）	1.8V，4.5V	115mohm @ 2.9a，4.5V	800mv @ 100µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	1W（ta）
SIA485DJ-T1-GE3	0.5800	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA485	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	150 v	1.6A（TC）	6V，10V	2.6ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.3 NC @ 10 V	±20V	155 pf @ 75 V	-	15.6W（TC）
SI4858DY-T1-GE3	-	RFQ	2808	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4858	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	5.25MOHM @ 20A，10V	1V @ 250µA（250µA）	40 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SIA465EDJ-T1-GE3	0.1583	RFQ	2520	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA465	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6单	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	12A（TC）	2.5V，4.5V	16.5MOHM @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±12V	2130 pf @ 10 V	-	19w（tc）
SIRC18DP-T1-GE3	1.3600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRC18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 15A，10V	2.4V @ 250µA	111 NC @ 10 V	+20V，-16V	5060 pf @ 15 V	（（（）	54.3W（TC）
IRF740LCPBF-BE3	3.0300	RFQ	987	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF740LCPBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	10A（TC）		550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
SI8802DB-T2-E1	0.5400	RFQ	175	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8802	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	8 V	3A（3A）	1.2V，4.5V	54mohm @ 1A，4.5V	700MV @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 V	±5V		-	500MW（TA）
SI7386DP-T1-GE3	1.6200	RFQ	32	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7386	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	12a（12a）	4.5V，10V	7mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
SI8819EDB-T2-E1	0.4300	RFQ	6815	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8819	MOSFET （金属 o化物）		4-microfoot®（0.8x0.8）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	12 v	2.9a（ta）	1.5V，3.7V	80mohm @ 1.5A，3.7V	900mv @ 250µA	17 NC @ 8 V	±8V	650 pf @ 6 V	-	900MW（TA）
SIHH14N60E-T1-GE3	3.5000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH14	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	16A（TC）	10V	255MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±30V	1416 PF @ 100 V	-	147W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²