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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI2307CDS-T1-GE3	0.5100	RFQ	29	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2307	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3.5A（TC）	4.5V，10V	88mohm @ 3.5A，10V	3V @ 250µA	6.2 NC @ 4.5 V	±20V	340 pf @ 15 V	-	1.1W（ta），1.8W（TC）
SI2308BDS-T1-GE3	0.5500	RFQ	65	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2308	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	2.3a（TC）	4.5V，10V	156mohm @ 1.9a，10v	3V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 30 V	-	1.09W（TA），1.66W（tc）
SI7121DN-T1-GE3	1.3200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7121	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	1960 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI7123DN-T1-GE3	-	RFQ	6245	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7123	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	10.2A（ta）	1.8V，4.5V	10.6mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	90 NC @ 4.5 V	±8V	3729 PF @ 10 V	-	1.5W（TA）
SI7601DN-T1-GE3	-	RFQ	8654	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7601	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	16A（TC）	2.5V，4.5V	19.2mohm @ 11a，4.5V	1.6V @ 250µA	27 NC @ 5 V	±12V	1870 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SI7720DN-T1-GE3	0.9072	RFQ	7889	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7720	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	12.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1790 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SI7738DP-T1-GE3	3.0500	RFQ	4722	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7738	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	30A（TC）	10V	38mohm @ 7.7A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 75 V	-	5.4W（ta），96w（tc）
SI7802DN-T1-GE3	-	RFQ	4616	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7802	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	1.24A（TA）	6V，10V	435MOHM @ 1.95a，10V	3.6V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI7882DP-T1-GE3	-	RFQ	3629	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7882	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	13A（TA）	2.5V，4.5V	5.5MOHM @ 17A，4.5V	1.4V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.9W（TA）
SI7994DP-T1-GE3	3.7000	RFQ	1087	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7994	MOSFET （金属 o化物）	46W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	60a		5.6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	80nc @ 10V		3500pf @ 15V	-
SIA408DJ-T1-GE3	-	RFQ	4239	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA408	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（TC）	2.5V，10V	36mohm @ 5.3a，10v	1.6V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±12V	830 pf @ 15 V	-	3.4W（TA），17.9W（tc）
SIA430DJ-T1-GE3	-	RFQ	3481	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA430	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 7A，10V	3V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SIA513DJ-T1-GE3	-	RFQ	2161	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA513	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	4.5a		60mohm @ 3.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	12nc @ 10V		360pf @ 10V	逻辑级别门
SIA814DJ-T1-GE3	-	RFQ	7117	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA814	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（TC）	2.5V，10V	61mohm @ 3.3a，10v	1.5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±12V	340 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.9W（ta），6.5W（TC）
SIA917DJ-T1-GE3	-	RFQ	2807	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA917	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		110MOHM @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	9NC @ 10V		250pf @ 10V	逻辑级别门
SIB414DK-T1-GE3	-	RFQ	2983	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB414	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	9A（TC）	1.2V，4.5V	26mohm @ 7.9a，4.5V	1V @ 250µA	14.03 NC @ 5 V	±5V	732 PF @ 4 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
SIB800EDK-T1-GE3	-	RFQ	2786	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB800	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	1.5A（TC）	1.5V，4.5V	225mohm @ 1.6A，4.5V	1V @ 250µA	1.7 NC @ 4.5 V	±6V		Schottky 二极管（孤立）	1.1W（TA），3.1W（TC）
SIB914DK-T1-GE3	-	RFQ	8727	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-75-6L双重	SIB914	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	POWERPAK®SC-75-6L双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		8V	1.5a		113MOHM @ 2.5a，4.5V	800MV @ 250µA	2.6nc @ 5V		125pf @ 4V	-
SIR440DP-T1-GE3	2.0100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir440	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.55MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 10 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIR462DP-T1-GE3	1.1800	RFQ	2837	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir462	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	7.9Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1155 pf @ 15 V	-	4.8W（TA），41.7W（tc）
SIR464DP-T1-GE3	1.4200	RFQ	475	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir464	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3545 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），69w（tc）
SIR472DP-T1-GE3	-	RFQ	2862	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir472	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 13.8a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	820 pf @ 15 V	-	3.9W（TA），29.8W（TC）
SIR476DP-T1-GE3	-	RFQ	8203	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir476	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	6150 pf @ 10 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIR888DP-T1-GE3	-	RFQ	6224	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir888	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	40a（TC）	4.5V，10V	3.25mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±16V	5065 pf @ 15 V	-	5W（5W），48W（（（（（
SIR890DP-T1-GE3	-	RFQ	2659	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir890	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	2.9mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2747 PF @ 10 V	-	5W（5W），50W（50W）TC）
SI4114DY-T1-GE3	1.3400	RFQ	8737	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4114	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	20A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±16V	3700 PF @ 10 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
SI4122DY-T1-GE3	2.3500	RFQ	9977	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4122	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	27.2A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 20 V	-	（3w（ta），6w（tc）
SI4413CDY-T1-GE3	0.8222	RFQ	1978年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4413	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	-		-	-				-	-
SI4448DY-T1-E3	-	RFQ	6508	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4448	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	50A（TC）	1.8V，4.5V	1.7MOHM @ 20A，4.5V	1V @ 250µA	150 NC @ 4.5 V	±8V	12350 pf @ 6 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SI4561DY-T1-GE3	-	RFQ	4751	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4561	MOSFET （金属 o化物）	3W，3.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	6.8a，7.2a		35.5MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		640pf @ 20V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²